超级军网中国22纳米技术获重大突破 赶上英特尔
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/29 05:59:17
| 中国22纳米技术获重大突破 赶上英特尔 | |
http://www.chinareviewnews.com 2013-07-09 |
据《中国科学报》报道，由于这一工作采用了与工业生产一致的工艺方法和流程，具备向产业界转移的条件，因而对我国集成电路产业的技术升级形成了具有实际意义的推动作用。同时，该先导工艺研发中心建成了一个能够开展22纳米及以下技术代研发的工艺平台。 这标志着，我国也加入了高端集成电路先导工艺研发的国际俱乐部。 优势互补“穿插侦察”齐上阵 4位“千人计划”、5位中科院百人计划，30多位工业界核心的工程师团队……先导工艺研发中心拥有这样一支令人艶羡的国际化研发团队。 “我们整个项目团队在构架上做得比较好。海归跟本土团队结合得水乳交融，形成优势互补。”该中心主任赵超表示。 2009年，在国家科技重大专项02专项的支持下，微电子所成团队引进了一大批海归，建成了拥有200多名研发人员的集成电路先导工艺研发中心。 杨世宁、朱慧珑、赵超、闫江4位“千人”在磨合中迅速形成优势互补的决策团队，在4年艰苦的攻关中拧成一股绳，打出了漂亮的短传配合。 例如，杨世宁原是中芯国际的首席运营官，现任中科院微电子所所长执行顾问一职。他具有非常丰富的产业化运营经验，是一个“会做减法的人”，能始终把握主干，而将枝枝叶叶修剪掉，使项目迅速有效率地直奔目标。 http://www.zhgpl.com/doc/1026/2/0/2/102620233.html?coluid=7&kindid=0&docid=102620233&mdate=0709110026 |
http://www.chinareviewnews.com 2013-07-09
中评社香港7月9日电／中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心（以下简称先导工艺研发中心）通过4年的艰苦攻关，在22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设上，实现了重要突破，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进高K／金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs，器件性能良好。 据《中国科学报》报道，由于这一工作采用了与工业生产一致的工艺方法和流程，具备向产业界转移的条件，因而对我国集成电路产业的技术升级形成了具有实际意义的推动作用。同时，该先导工艺研发中心建成了一个能够开展22纳米及以下技术代研发的工艺平台。
这标志着，我国也加入了高端集成电路先导工艺研发的国际俱乐部。
优势互补“穿插侦察”齐上阵
4位“千人计划”、5位中科院百人计划，30多位工业界核心的工程师团队……先导工艺研发中心拥有这样一支令人艶羡的国际化研发团队。
“我们整个项目团队在构架上做得比较好。海归跟本土团队结合得水乳交融，形成优势互补。”该中心主任赵超表示。
2009年，在国家科技重大专项02专项的支持下，微电子所成团队引进了一大批海归，建成了拥有200多名研发人员的集成电路先导工艺研发中心。
杨世宁、朱慧珑、赵超、闫江4位“千人”在磨合中迅速形成优势互补的决策团队，在4年艰苦的攻关中拧成一股绳，打出了漂亮的短传配合。
例如，杨世宁原是中芯国际的首席运营官，现任中科院微电子所所长执行顾问一职。他具有非常丰富的产业化运营经验，是一个“会做减法的人”，能始终把握主干，而将枝枝叶叶修剪掉，使项目迅速有效率地直奔目标。
http://www.zhgpl.com/doc/1026/2/0/2/102620233.html?coluid=7&kindid=0&docid=102620233&mdate=0709110026
先导工艺研发中心的首席科学家和项目首席专家朱慧珑，是来自IBM的引领发明家和发明大师，主要负责整体技术路线的制定和布局，在器件物理、工艺研发、TCAD和知识产权布局等发挥主导作用。他身先士卒，在项目中完成了200多项专利申请。
赵超曾在世界著名的研发中心IMEC从事了10多年研发工作，其研发领域涵盖集成电路前道工艺和后道工艺，对8英寸、12英寸工艺线上多个技术代工艺研发有较全面的经验。
2011年，他受命担任先导工艺研发中心主任一职，负责中心的行政领导工作；同时，作为项目的副首席专家，他负责工艺平台的建设工作，对研发中心整体建设付出了大量的艰苦劳动。
闫江则拥有在英飞凌公司美国研发部10年的工业界研发经验。他曾参与和负责了从90纳米、65纳米、45纳米和32纳米技术代的产品研发项目。作为项目的副首席专家，他负责工艺整合子课题的领导工作，带领着30多名工程师冲锋在第一线。
对于先导工艺研发中心的使命，几位“千人计划”专家有着一致的认识：“我们是国家集成电路工艺研发战役中的‘穿插部队’和‘侦察部队’”。
朱慧珑解释道：“穿插部队的特点和任务就是：一要效率高，二要能占领战略要地。”先导工艺研发中心作为穿插部队，它的一个优势就是快速、灵活，可以先于工业界的“大部队”插入敌后，并用专利布局的方法占领与其投入相称的战略要地。
赵超曾在世界著名的研发中心IMEC从事了10多年研发工作，其研发领域涵盖集成电路前道工艺和后道工艺，对8英寸、12英寸工艺线上多个技术代工艺研发有较全面的经验。
2011年，他受命担任先导工艺研发中心主任一职，负责中心的行政领导工作；同时，作为项目的副首席专家，他负责工艺平台的建设工作，对研发中心整体建设付出了大量的艰苦劳动。
闫江则拥有在英飞凌公司美国研发部10年的工业界研发经验。他曾参与和负责了从90纳米、65纳米、45纳米和32纳米技术代的产品研发项目。作为项目的副首席专家，他负责工艺整合子课题的领导工作，带领着30多名工程师冲锋在第一线。
对于先导工艺研发中心的使命，几位“千人计划”专家有着一致的认识：“我们是国家集成电路工艺研发战役中的‘穿插部队’和‘侦察部队’”。
朱慧珑解释道：“穿插部队的特点和任务就是：一要效率高，二要能占领战略要地。”先导工艺研发中心作为穿插部队，它的一个优势就是快速、灵活，可以先于工业界的“大部队”插入敌后，并用专利布局的方法占领与其投入相称的战略要地。
压力山大时间节点见真章
“4年之前，对22纳米项目能否成功有着各种各样的猜测。对此，我们非常理解，毕竟这是一个难度极大的项目。”赵超说。
在此之前，我国曾有过几次建设集成电路研发中心的努力，但都没有达到预期战略目标。面对国家数亿元的大投入和高期待，以及业界同行们的高度关注，几位“千人计划”专家承受着巨大压力。
“做这项大工程，我们有一两年都睡不好觉，‘压力山大’啊！”赵超在回忆道，“你能明显感到别人质疑的目光，却无法解释。我们真有点像挖山的愚公，只能希望用劳作来感动上天。”
在2012年4月，当第一个验证工艺设备器件研制出来时，团队所有人都挤在那小小的示波器前等待结果。
当在看到验证的原理器件出来的那一刹那，在场的所有人都“眼泪汪汪”的。
这项工程不仅面临着从无到有的技术难度，还面临着几乎不可能完成的时间节点。
由于资金等现实问题，闫江的工艺整合集成子课题的完成时间被迫由两年时间缩短至7个月。
为了保证任务按时完成，闫江要保证每批次的流片实验一次成功。为此，他与工艺线上的30多位工程师每天仔细地检测各个工艺步骤是否符合设定的特性，将差错的苗头消灭在第一时间，保证每一步流片的质量。
在7个月内，线上的工程师一度24小时连轴转，片子从这个机台出来就被抱着跑向下一个机台。就这样，他们用15天跑完了全程近300道工艺步骤的流程，达到工业界研发的最快速度。
最终，6个批次的流片实验全部一次成功，团队按时完成了工艺整合集成的项目任务。
“4年之前，对22纳米项目能否成功有着各种各样的猜测。对此，我们非常理解，毕竟这是一个难度极大的项目。”赵超说。
在此之前，我国曾有过几次建设集成电路研发中心的努力，但都没有达到预期战略目标。面对国家数亿元的大投入和高期待，以及业界同行们的高度关注，几位“千人计划”专家承受着巨大压力。
“做这项大工程，我们有一两年都睡不好觉，‘压力山大’啊！”赵超在回忆道，“你能明显感到别人质疑的目光，却无法解释。我们真有点像挖山的愚公，只能希望用劳作来感动上天。”
在2012年4月，当第一个验证工艺设备器件研制出来时，团队所有人都挤在那小小的示波器前等待结果。
当在看到验证的原理器件出来的那一刹那，在场的所有人都“眼泪汪汪”的。
这项工程不仅面临着从无到有的技术难度，还面临着几乎不可能完成的时间节点。
由于资金等现实问题，闫江的工艺整合集成子课题的完成时间被迫由两年时间缩短至7个月。
为了保证任务按时完成，闫江要保证每批次的流片实验一次成功。为此，他与工艺线上的30多位工程师每天仔细地检测各个工艺步骤是否符合设定的特性，将差错的苗头消灭在第一时间，保证每一步流片的质量。
在7个月内，线上的工程师一度24小时连轴转，片子从这个机台出来就被抱着跑向下一个机台。就这样，他们用15天跑完了全程近300道工艺步骤的流程，达到工业界研发的最快速度。
最终，6个批次的流片实验全部一次成功，团队按时完成了工艺整合集成的项目任务。
拉长战线为转化生产作铺垫
在谈到团队建设时候，海归们不约而同地提到微电子所所长叶甜春。
这批海归以及从国内遴选出来的精兵强将，都是叶甜春一个一个挖来的，有的甚至是在别人的招聘会场上“劫来的”。
专家们表示，加盟团队的一个重要原因正是因为叶甜春的感召力。微电子所副所长陈大鹏是先导工艺研发中心的奠基人和研究所人才战略最直接的执行者。经他之手，一个一个海归加入团队，开始发挥各自聪明才智的创业进程。
正是这一广揽人才的做法，带来了科研理念更新和科研模式质的改变。例如，朱慧珑带来了专利先行的思想，并为项目结出丰硕成果。先导工艺研发中心在项目过程中建立了自主知识产权带动的科研模式，始终坚持“专利先行”的战略。
“过去，我国在知识产权建设上没有合理的战略布局，我们辛辛苦苦研发的技术早就被别人申报了专利。这样，即使有自主研发，也做不到自主知识产权。”赵超感叹道。
在该项目的执行过程中，微电子所与北京大学、清华大学、复旦大学以及中科院微系统所的联合项目组完成了1369项专利申请，其中包括424项国际专利申请，为我国在集成电路领域掌握自主知识产权、取得国际话语权奠定了基础。
先导工艺研发中心坚持“通过做项目锤炼团队”的原则，建设成一个在科研人员、科研条件上堪称国际水平的平台。
“通过这个项目，我们可以呈现给国家一支研究力量，而不单单是完成一项科研工作。”赵超如是说。
建成的平台对后续项目发展起到非常重要的作用，现在，中心正在着手开展16／14纳米技术的研发。
“我们现在进展得非常顺利，在跑步追赶，差距不断缩小。”赵超表示。现在，先导工艺研发中心的研发效率和质量管理系统都是工业化标准的，得到工业界研发伙伴的充分认可。
同时，项目对国家科技重大专项其他课题和整个产业链起到了直接的支撑作用。“我们完成了专项交付的各项战略任务。”赵超表示，“研发中心不仅在先导工艺技术研发上起到国家队的作用，同时成为国产半导体装备和材料的验证基地、集成电路工程技术人才的培养基地和该领域的国际交流基地。”
下一步，该中心将加入专项部署的更大规模的“战役”，把先导技术转化成工业生产技术，为国家集成电路产业发展作出更多贡献。
在谈到团队建设时候，海归们不约而同地提到微电子所所长叶甜春。
这批海归以及从国内遴选出来的精兵强将，都是叶甜春一个一个挖来的，有的甚至是在别人的招聘会场上“劫来的”。
专家们表示，加盟团队的一个重要原因正是因为叶甜春的感召力。微电子所副所长陈大鹏是先导工艺研发中心的奠基人和研究所人才战略最直接的执行者。经他之手，一个一个海归加入团队，开始发挥各自聪明才智的创业进程。
正是这一广揽人才的做法，带来了科研理念更新和科研模式质的改变。例如，朱慧珑带来了专利先行的思想，并为项目结出丰硕成果。先导工艺研发中心在项目过程中建立了自主知识产权带动的科研模式，始终坚持“专利先行”的战略。
“过去，我国在知识产权建设上没有合理的战略布局，我们辛辛苦苦研发的技术早就被别人申报了专利。这样，即使有自主研发，也做不到自主知识产权。”赵超感叹道。
在该项目的执行过程中，微电子所与北京大学、清华大学、复旦大学以及中科院微系统所的联合项目组完成了1369项专利申请，其中包括424项国际专利申请，为我国在集成电路领域掌握自主知识产权、取得国际话语权奠定了基础。
先导工艺研发中心坚持“通过做项目锤炼团队”的原则，建设成一个在科研人员、科研条件上堪称国际水平的平台。
“通过这个项目，我们可以呈现给国家一支研究力量，而不单单是完成一项科研工作。”赵超如是说。
建成的平台对后续项目发展起到非常重要的作用，现在，中心正在着手开展16／14纳米技术的研发。
“我们现在进展得非常顺利，在跑步追赶，差距不断缩小。”赵超表示。现在，先导工艺研发中心的研发效率和质量管理系统都是工业化标准的，得到工业界研发伙伴的充分认可。
同时，项目对国家科技重大专项其他课题和整个产业链起到了直接的支撑作用。“我们完成了专项交付的各项战略任务。”赵超表示，“研发中心不仅在先导工艺技术研发上起到国家队的作用，同时成为国产半导体装备和材料的验证基地、集成电路工程技术人才的培养基地和该领域的国际交流基地。”
下一步，该中心将加入专项部署的更大规模的“战役”，把先导技术转化成工业生产技术，为国家集成电路产业发展作出更多贡献。
希望是干出点真东西
大刀斩RB 发表于 2013-7-9 11:48
拉长战线为转化生产作铺垫
在谈到团队建设时候，海归们不约而同地提到微电子所所长叶甜春。
只是器件的原理性演示，离开实用化和量产还很遥远
拉长战线为转化生产作铺垫
在谈到团队建设时候，海归们不约而同地提到微电子所所长叶甜春。
只是器件的原理性演示，离开实用化和量产还很遥远
转帖机器人有bug啊，，怎么老是绿背景灰色字
他们这么报道就是为了造势好从国家拿钱，不然项目怎么算完成。一般这种项目国家好几个亿砸进去，只要求一两百篇专利，所以好像看到他们专利申请不少，其实都是实用新型，没几个有技术含量的，也没几个美国专利。
wanghywanghy 发表于 2013-7-11 10:14
他们这么报道就是为了造势好从国家拿钱，不然项目怎么算完成。一般这种项目国家好几个亿砸进去，只要求一两 ...
更何况，上网随便搜一下原始报道的标题“四年磨一片”，中国科学报。标题里面根本就不存在什么intel的事儿。报纸上唯一提到intel的地方，就是在图片描述上，写了句“到目前为止，全球也只有英特尔公司在22纳米技术代实现了大规模生产。”
http://www.cas.cn/xw/cmsm/201307/t20130709_3896891.shtml
如此看来，人家自己还是非常有自知之明的，描述的很严谨的，知道自己几斤几两。
当这个报道转到网上以后呢，出现了两种标题：
“中国22纳米技术获重大突破 全球仅英特尔有量产”
http://news.ifeng.com/mil/2/detail_2013_07/09/27298750_1.shtml
“中国22纳米技术获重大突破 赶上英特尔”
http://www.zhgpl.com/doc/1026/2/ ... amp;docid=102620233
头一种标题，虽有误导之嫌，但还算中立，勉强可以忍受。绝大部分网媒是用的这个标题。
第二种标题，就很赤裸裸的标题党了，纯粹是记者脑补。也就几个烂网站吸引眼球用用。
然后呢，就有人转到这儿了，然后呢，就自动跟着脑补了。
他们这么报道就是为了造势好从国家拿钱，不然项目怎么算完成。一般这种项目国家好几个亿砸进去，只要求一两 ...
更何况，上网随便搜一下原始报道的标题“四年磨一片”，中国科学报。标题里面根本就不存在什么intel的事儿。报纸上唯一提到intel的地方，就是在图片描述上，写了句“到目前为止，全球也只有英特尔公司在22纳米技术代实现了大规模生产。”
http://www.cas.cn/xw/cmsm/201307/t20130709_3896891.shtml
如此看来，人家自己还是非常有自知之明的，描述的很严谨的，知道自己几斤几两。
当这个报道转到网上以后呢，出现了两种标题：
“中国22纳米技术获重大突破 全球仅英特尔有量产”
http://news.ifeng.com/mil/2/detail_2013_07/09/27298750_1.shtml
“中国22纳米技术获重大突破 赶上英特尔”
http://www.zhgpl.com/doc/1026/2/ ... amp;docid=102620233
头一种标题，虽有误导之嫌，但还算中立，勉强可以忍受。绝大部分网媒是用的这个标题。
第二种标题，就很赤裸裸的标题党了，纯粹是记者脑补。也就几个烂网站吸引眼球用用。
然后呢，就有人转到这儿了，然后呢，就自动跟着脑补了。
wanghywanghy 发表于 2013-7-11 10:16
更何况，上网随便搜一下原始报道的标题“四年磨一片”，中国科学报。标题里面根本就不存在什么intel的事 ...
微电子所在这里边确实做了很多工作，至少high-k last是20纳米需要的，但是没有SiGe，SiC，没有silicide last，没有local interconnect，不讲pitch，没有SRAM bitcell面积，沟道表面坑坑洼洼，电学数据不是原始的，做过修正，否则光contact离沟道那么远就把啥优势都消耗掉了。总共300步工艺就把22做出来也太神奇了，我估计中芯国际是不会用微电子所的技术的，他们肯定会在自己28纳米基础上来改进，共享设备还节约成本。好比你给乔布斯一个山寨iPhone，让他在此基础上开发iPhone4，乔布斯会用吗？人山寨机也有电话短信上网拍照功能啊！
本来重大专项就是针对产业化的，研究所要插一脚也是因为专项经费规模大，研究所不是更应该做点10纳米以下的东西才是正道吗？
intel被扯进来真是冤枉，人家intel 22用的finfet，微电子所是平面。要我说微电子所报导应该这么写，英特尔无法突破体硅瓶颈，无奈在22纳米采用成本更高的finfet，微电子突破了这个瓶颈，使得体硅的寿命得以延长，那不更牛！
更何况，上网随便搜一下原始报道的标题“四年磨一片”，中国科学报。标题里面根本就不存在什么intel的事 ...
微电子所在这里边确实做了很多工作，至少high-k last是20纳米需要的，但是没有SiGe，SiC，没有silicide last，没有local interconnect，不讲pitch，没有SRAM bitcell面积，沟道表面坑坑洼洼，电学数据不是原始的，做过修正，否则光contact离沟道那么远就把啥优势都消耗掉了。总共300步工艺就把22做出来也太神奇了，我估计中芯国际是不会用微电子所的技术的，他们肯定会在自己28纳米基础上来改进，共享设备还节约成本。好比你给乔布斯一个山寨iPhone，让他在此基础上开发iPhone4，乔布斯会用吗？人山寨机也有电话短信上网拍照功能啊！
本来重大专项就是针对产业化的，研究所要插一脚也是因为专项经费规模大，研究所不是更应该做点10纳米以下的东西才是正道吗？
intel被扯进来真是冤枉，人家intel 22用的finfet，微电子所是平面。要我说微电子所报导应该这么写，英特尔无法突破体硅瓶颈，无奈在22纳米采用成本更高的finfet，微电子突破了这个瓶颈，使得体硅的寿命得以延长，那不更牛！
wanghywanghy 发表于 2013-7-11 10:17
微电子所在这里边确实做了很多工作，至少high-k last是20纳米需要的，但是没有SiGe，SiC，没有silicide l ...
估计这一批做的东西受到工艺设备的限制太大。比如说contact的问题，pitch的问题，电子束光刻的alignment的瓶颈摆在那里，是没办法解决的。至于SiGe，SiC，三代半导体啥的，和这个项目没啥关系，8寸线，太难。
10nm的话，即使用电子束光刻，仍然会面临没有合适的光刻胶用于器件制造。
从纯粹做先进器件研究的角度，根本不需要这条线，做原型的东西，用小片子，做简单的管子，不要做电路，就ok了。这种活儿，物理所半导体所北大复旦干的都多。发paper的活儿，和8寸无关。
对于这条8寸线，我个人认为是相当畸形的。首先地方不够，工艺设备不全。然后就是禁运的问题，很多设备材料买不到。一条瘸腿的8寸线，做器件是没指望的。倒是先导工艺这一条，当初起名字的时候有一定的预见性。器件指望不上，工艺的研发还是可以推动的，只要不刻意的割裂器件和工艺，还是能做一些东西的，比如high k之类。
另外一方面，能否把器件和工艺做结合，是这条线面临的最大问题。说实话，论做器件做module的实力，微电子所是不如北大、复旦、半导体所这种地方的，微电子所的优势是工艺。那么如何让器件实力强的地方来8寸线上流片，这是关键。合作单位做的器件创新，在这条线上进行类似中试的验证，工艺整合，为推向产业界打基础，这还是很有意义的。比如复旦最近发的新器件模型，就应该在8寸线上跑一跑，否则永远只能躺在实验室里。而且叶是复旦毕业生，这种合作是很值得期待的。
微电子所在这里边确实做了很多工作，至少high-k last是20纳米需要的，但是没有SiGe，SiC，没有silicide l ...
估计这一批做的东西受到工艺设备的限制太大。比如说contact的问题，pitch的问题，电子束光刻的alignment的瓶颈摆在那里，是没办法解决的。至于SiGe，SiC，三代半导体啥的，和这个项目没啥关系，8寸线，太难。
10nm的话，即使用电子束光刻，仍然会面临没有合适的光刻胶用于器件制造。
从纯粹做先进器件研究的角度，根本不需要这条线，做原型的东西，用小片子，做简单的管子，不要做电路，就ok了。这种活儿，物理所半导体所北大复旦干的都多。发paper的活儿，和8寸无关。
对于这条8寸线，我个人认为是相当畸形的。首先地方不够，工艺设备不全。然后就是禁运的问题，很多设备材料买不到。一条瘸腿的8寸线，做器件是没指望的。倒是先导工艺这一条，当初起名字的时候有一定的预见性。器件指望不上，工艺的研发还是可以推动的，只要不刻意的割裂器件和工艺，还是能做一些东西的，比如high k之类。
另外一方面，能否把器件和工艺做结合，是这条线面临的最大问题。说实话，论做器件做module的实力，微电子所是不如北大、复旦、半导体所这种地方的，微电子所的优势是工艺。那么如何让器件实力强的地方来8寸线上流片，这是关键。合作单位做的器件创新，在这条线上进行类似中试的验证，工艺整合，为推向产业界打基础，这还是很有意义的。比如复旦最近发的新器件模型，就应该在8寸线上跑一跑，否则永远只能躺在实验室里。而且叶是复旦毕业生，这种合作是很值得期待的。
wanghywanghy 发表于 2013-7-11 10:17
微电子所在这里边确实做了很多工作，至少high-k last是20纳米需要的，但是没有SiGe，SiC，没有silicide l ...
估计这一批做的东西受到工艺设备的限制太大。比如说contact的问题，pitch的问题，电子束光刻的alignment的瓶颈摆在那里，是没办法解决的。至于SiGe，SiC，三代半导体啥的，和这个项目没啥关系，8寸线，太难。
10nm的话，即使用电子束光刻，仍然会面临没有合适的光刻胶用于器件制造。
从纯粹做先进器件研究的角度，根本不需要这条线，做原型的东西，用小片子，做简单的管子，不要做电路，就ok了。这种活儿，物理所半导体所北大复旦干的都多。发paper的活儿，和8寸无关。
对于这条8寸线，我个人认为是相当畸形的。首先地方不够，工艺设备不全。然后就是禁运的问题，很多设备材料买不到。一条瘸腿的8寸线，做器件是没指望的。倒是先导工艺这一条，当初起名字的时候有一定的预见性。器件指望不上，工艺的研发还是可以推动的，只要不刻意的割裂器件和工艺，还是能做一些东西的，比如high k之类。
另外一方面，能否把器件和工艺做结合，是这条线面临的最大问题。说实话，论做器件做module的实力，微电子所是不如北大、复旦、半导体所这种地方的，微电子所的优势是工艺。那么如何让器件实力强的地方来8寸线上流片，这是关键。合作单位做的器件创新，在这条线上进行类似中试的验证，工艺整合，为推向产业界打基础，这还是很有意义的。比如复旦最近发的新器件模型，就应该在8寸线上跑一跑，否则永远只能躺在实验室里。而且叶是复旦毕业生，这种合作是很值得期待的。
微电子所在这里边确实做了很多工作，至少high-k last是20纳米需要的，但是没有SiGe，SiC，没有silicide l ...
估计这一批做的东西受到工艺设备的限制太大。比如说contact的问题，pitch的问题，电子束光刻的alignment的瓶颈摆在那里，是没办法解决的。至于SiGe，SiC，三代半导体啥的，和这个项目没啥关系，8寸线，太难。
10nm的话，即使用电子束光刻，仍然会面临没有合适的光刻胶用于器件制造。
从纯粹做先进器件研究的角度，根本不需要这条线，做原型的东西，用小片子，做简单的管子，不要做电路，就ok了。这种活儿，物理所半导体所北大复旦干的都多。发paper的活儿，和8寸无关。
对于这条8寸线，我个人认为是相当畸形的。首先地方不够，工艺设备不全。然后就是禁运的问题，很多设备材料买不到。一条瘸腿的8寸线，做器件是没指望的。倒是先导工艺这一条，当初起名字的时候有一定的预见性。器件指望不上，工艺的研发还是可以推动的，只要不刻意的割裂器件和工艺，还是能做一些东西的，比如high k之类。
另外一方面，能否把器件和工艺做结合，是这条线面临的最大问题。说实话，论做器件做module的实力，微电子所是不如北大、复旦、半导体所这种地方的，微电子所的优势是工艺。那么如何让器件实力强的地方来8寸线上流片，这是关键。合作单位做的器件创新，在这条线上进行类似中试的验证，工艺整合，为推向产业界打基础，这还是很有意义的。比如复旦最近发的新器件模型，就应该在8寸线上跑一跑，否则永远只能躺在实验室里。而且叶是复旦毕业生，这种合作是很值得期待的。
管它啥专利 实用新型不也是专利吗 有助于中芯的 多小的技术都比没有强啊
不明觉厉！
楼上的诸位。这个工艺是重大专项的节点。已经完成并转到16纳米工艺研发。
问题是只有中芯国际在国内成熟量产40纳米。中芯国际能用此工艺跃进到22纳米制程吗？量产要多长时间？
问题是只有中芯国际在国内成熟量产40纳米。中芯国际能用此工艺跃进到22纳米制程吗？量产要多长时间？
wanghywanghy 发表于 2013-7-11 17:12
估计这一批做的东西受到工艺设备的限制太大。比如说contact的问题，pitch的问题，电子束光刻的alignment ...
这工艺能在多长时间内量产？
估计这一批做的东西受到工艺设备的限制太大。比如说contact的问题，pitch的问题，电子束光刻的alignment ...
这工艺能在多长时间内量产？