超级军网2D时代即将结束 未来是3D NAND的天下
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/29 04:58:05
Intel在处理器制程工艺上已经实现了3D晶体管的量产，现在他们又准备把3D带到NAND闪存制造中去。当然，NAND中的3D不是3D晶体管，而是3D堆栈布局，Intel高管预测现有的20nm NAND工艺在过一两代就会进入新的3D堆栈时代了。
在上周举办的比利时微电子研究中心技术论坛会议上，Intel高级技术副总、IMFT联合CEO Keyvan Esfarjani谈论了IMFT公司对3D NAND的一些看法。目前的非易失性NAND的Cell单元还是2D排列的，新的3D堆栈NAND将以GAA(Gate All Around)的结构形式将传统的2D Cell单元垂直排列起来。
目前东芝在3D NAND闪存上的研究处于领先地位，去年底他们宣布使用p-BiCS(pipe-shaped Bit Cost Scalable)技术在一个50nm宽的垂直通道上集成了16层NAND单元，今年开始出样，2015年量产，东芝的p-BiCS技术将晶体管以U形排列。
目前3D堆栈NAND还不够成熟，而且现有的2D NAND还未到极限，目前的主流是20nm，预计还有15nm、10nm的制程工艺可供升级，3D堆栈工艺可能在15nm节点出现。
此外，Esfarjani表示目前16层的3D NAND在成本上还不能显示出成本优势，需要64层堆栈，至少也要达到32层的水平才行。
IMFT在20nm工艺节点使用了浮栅高K金属栅极Cell结构(floating-gate high-K metal gate)取代了34nm及25nm工艺使用的环绕式Cell结构(wrap-around)，2012年时IMFT就展示过了128Gbit容量的NAND闪存，美光的M500SSD固态硬盘使用的就是128Gbit的NAND。
http://www.idnovo.com.cn/hardware/2013/0606/article_3660.html Intel在处理器制程工艺上已经实现了3D晶体管的量产，现在他们又准备把3D带到NAND闪存制造中去。当然，NAND中的3D不是3D晶体管，而是3D堆栈布局，Intel高管预测现有的20nm NAND工艺在过一两代就会进入新的3D堆栈时代了。
在上周举办的比利时微电子研究中心技术论坛会议上，Intel高级技术副总、IMFT联合CEO Keyvan Esfarjani谈论了IMFT公司对3D NAND的一些看法。目前的非易失性NAND的Cell单元还是2D排列的，新的3D堆栈NAND将以GAA(Gate All Around)的结构形式将传统的2D Cell单元垂直排列起来。
目前东芝在3D NAND闪存上的研究处于领先地位，去年底他们宣布使用p-BiCS(pipe-shaped Bit Cost Scalable)技术在一个50nm宽的垂直通道上集成了16层NAND单元，今年开始出样，2015年量产，东芝的p-BiCS技术将晶体管以U形排列。
目前3D堆栈NAND还不够成熟，而且现有的2D NAND还未到极限，目前的主流是20nm，预计还有15nm、10nm的制程工艺可供升级，3D堆栈工艺可能在15nm节点出现。
此外，Esfarjani表示目前16层的3D NAND在成本上还不能显示出成本优势，需要64层堆栈，至少也要达到32层的水平才行。
IMFT在20nm工艺节点使用了浮栅高K金属栅极Cell结构(floating-gate high-K metal gate)取代了34nm及25nm工艺使用的环绕式Cell结构(wrap-around)，2012年时IMFT就展示过了128Gbit容量的NAND闪存，美光的M500SSD固态硬盘使用的就是128Gbit的NAND。
http://www.idnovo.com.cn/hardware/2013/0606/article_3660.html
在上周举办的比利时微电子研究中心技术论坛会议上，Intel高级技术副总、IMFT联合CEO Keyvan Esfarjani谈论了IMFT公司对3D NAND的一些看法。目前的非易失性NAND的Cell单元还是2D排列的，新的3D堆栈NAND将以GAA(Gate All Around)的结构形式将传统的2D Cell单元垂直排列起来。
目前东芝在3D NAND闪存上的研究处于领先地位，去年底他们宣布使用p-BiCS(pipe-shaped Bit Cost Scalable)技术在一个50nm宽的垂直通道上集成了16层NAND单元，今年开始出样，2015年量产，东芝的p-BiCS技术将晶体管以U形排列。
目前3D堆栈NAND还不够成熟，而且现有的2D NAND还未到极限，目前的主流是20nm，预计还有15nm、10nm的制程工艺可供升级，3D堆栈工艺可能在15nm节点出现。
此外，Esfarjani表示目前16层的3D NAND在成本上还不能显示出成本优势，需要64层堆栈，至少也要达到32层的水平才行。
IMFT在20nm工艺节点使用了浮栅高K金属栅极Cell结构(floating-gate high-K metal gate)取代了34nm及25nm工艺使用的环绕式Cell结构(wrap-around)，2012年时IMFT就展示过了128Gbit容量的NAND闪存，美光的M500SSD固态硬盘使用的就是128Gbit的NAND。
http://www.idnovo.com.cn/hardware/2013/0606/article_3660.html Intel在处理器制程工艺上已经实现了3D晶体管的量产，现在他们又准备把3D带到NAND闪存制造中去。当然，NAND中的3D不是3D晶体管，而是3D堆栈布局，Intel高管预测现有的20nm NAND工艺在过一两代就会进入新的3D堆栈时代了。
在上周举办的比利时微电子研究中心技术论坛会议上，Intel高级技术副总、IMFT联合CEO Keyvan Esfarjani谈论了IMFT公司对3D NAND的一些看法。目前的非易失性NAND的Cell单元还是2D排列的，新的3D堆栈NAND将以GAA(Gate All Around)的结构形式将传统的2D Cell单元垂直排列起来。
目前东芝在3D NAND闪存上的研究处于领先地位，去年底他们宣布使用p-BiCS(pipe-shaped Bit Cost Scalable)技术在一个50nm宽的垂直通道上集成了16层NAND单元，今年开始出样，2015年量产，东芝的p-BiCS技术将晶体管以U形排列。
目前3D堆栈NAND还不够成熟，而且现有的2D NAND还未到极限，目前的主流是20nm，预计还有15nm、10nm的制程工艺可供升级，3D堆栈工艺可能在15nm节点出现。
此外，Esfarjani表示目前16层的3D NAND在成本上还不能显示出成本优势，需要64层堆栈，至少也要达到32层的水平才行。
IMFT在20nm工艺节点使用了浮栅高K金属栅极Cell结构(floating-gate high-K metal gate)取代了34nm及25nm工艺使用的环绕式Cell结构(wrap-around)，2012年时IMFT就展示过了128Gbit容量的NAND闪存，美光的M500SSD固态硬盘使用的就是128Gbit的NAND。
http://www.idnovo.com.cn/hardware/2013/0606/article_3660.html
美光用IBM工艺投产3D内存芯片 提速15倍
IBM、美光今天联合宣布，将会借助蓝色巨人在全球率先投入商用的TSV(硅穿孔)工艺技术，制造美光开发的混合存储立方体(HMC)内存芯片，号称可在速度上比现有内存芯片快最多15倍。
HMC芯片使用垂直管道(或者说穿孔)将多个独立芯片堆叠封装在一起，产品原型的带宽就已高达128GB/s，最终成品还会更高，而目前普通内存最高也不过12.8GB/s。与此同时，HMC能够将芯片的封装尺寸减小最多90％，同时传输数据消耗的能量也减少70％。
IBM新开发的3-D TSV制造工艺正好就是用来连接3D微架构的，将成为HMC内存投入商业性量产的基础。
IBM会在纽约州东菲什基尔(East Fishkill)的工厂，采用32nm HKMG工艺制造美光HMC内存芯片，而有关其TSV技术的更多细节将在近日的IEEE国际电子设备会议上公布。
HMC内存初期面向大规模网络、高性能计算、工业自动化等专业领域，但最终会争取进入消费级产品。
http://news.mydrivers.com/1/211/211003.htm
IBM、美光今天联合宣布，将会借助蓝色巨人在全球率先投入商用的TSV(硅穿孔)工艺技术，制造美光开发的混合存储立方体(HMC)内存芯片，号称可在速度上比现有内存芯片快最多15倍。
HMC芯片使用垂直管道(或者说穿孔)将多个独立芯片堆叠封装在一起，产品原型的带宽就已高达128GB/s，最终成品还会更高，而目前普通内存最高也不过12.8GB/s。与此同时，HMC能够将芯片的封装尺寸减小最多90％，同时传输数据消耗的能量也减少70％。
IBM新开发的3-D TSV制造工艺正好就是用来连接3D微架构的，将成为HMC内存投入商业性量产的基础。
IBM会在纽约州东菲什基尔(East Fishkill)的工厂，采用32nm HKMG工艺制造美光HMC内存芯片，而有关其TSV技术的更多细节将在近日的IEEE国际电子设备会议上公布。
HMC内存初期面向大规模网络、高性能计算、工业自动化等专业领域，但最终会争取进入消费级产品。
http://news.mydrivers.com/1/211/211003.htm
散热有问题吗？