超级军网CD的童子们不要太欢乐哦
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/27 19:14:11
中科院22纳米CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展
关键字：CMOS关键技术 MOSFET 三栅器件结构
引自中科院微电子所网站http://www.ime.ac.cn/
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22纳米CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进的高K/金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs，器件性能良好，达到国内领先、世界一流水平。
22纳米CMOS技术是全球正在研究开发的最新一代集成电路制造工艺，各国都投入了巨大资金，力争抢占技术制高点。Intel开发的基于三栅器件结构的处理器已于近期实现量产；IBM联盟也于近期发布了采用22纳米工艺生产的SRAM芯片；Global Foundries，欧洲的IMEC，日韩的三星、Toshiba和我国台湾的台积电也发布了各自的22纳米制程技术；我国于2009年在国家科技重大专项的支持下开始22纳米关键技术先导研发。作为该项目的牵头单位，中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心与项目联合承担单位，北京大学、清华大学、复旦大学和中科院微系统所的项目组一道，开展了系统的联合攻关。经过3年多的辛勤努力，该项目于近期取得突破性进展。
在22纳米CMOS技术节点，为了降低成本、减少功耗和提高器件性能，高K/金属栅技术被广泛引入，同时也对器件制造工艺及集成技术带来了很大的挑战，主要包括了以下几个方面：
一是界面工程，需要研究高K材料与硅沟道的界面态特性、应力引入控制机制、影响载流子迁移率的原理机制等；
二是栅工程，对高性能的NMOS和PMOS器件而言，筛选出具有合适功函数的金属栅材料及堆叠结构避免费米钉扎效应，降低刻蚀工艺及集成技术的难度至关重要；
三是需要实现超浅结的源漏工程，确保器件具有良好的短沟道效应抑制特性和欧姆接触。
针对上述核心问题，项目组开展了系统的研究工作，在N型和P型MOS电容上均获得了EOT≤8.5，漏电流降低3个数量级，金属栅有效功函数距硅带隙边距离≤0.2eV的良好电学结果。成功研制出器件性能良好的22纳米栅长MOSFET器件(图1)。其中，NMOS和PMOS的阈值电压分别达到工业要求的0.3V 和-0.28V左右，在Vdd= 1V时饱和导通电流Ion (在没有使用应变硅增强技术的条件下)分别达到465A/m和368A/m，短沟道效应得到很好的改善，亚阈值摆幅(SS)和漏致势垒降低(DIBL)控制在85mV/dec和65mV以内（图2），均满足工业应用标准。
在这一过程中，中科院微电子研究所与北京大学、清华大学、复旦大学以及中科院微系统所的联合项目组完成了1369项专利申请，其中包括424项国际专利申请，为我国在集成电路领域掌握自主知识产权，取得国际话语权奠定了基础，其中后高K/金属栅工艺模块及相关专利、金属栅堆叠结构及其专利等均已开始在国内集成电路制造企业进行进一步的生产工艺开发。
多年来，我国的集成电路先进制造工艺大多是在引进的核心知识产权上进行产品工艺开发，在全球产业链最先进工艺的开发上缺少布局和话语权。此次22纳米关键技术先导研发是国内第一次在全球最先进工艺技术代组织这么大规模的产学研联合攻关，同期，国内制造企业在28纳米工艺上也在进行开发，目标就是在22纳米核心技术的知识产权中取得一席之地，在我国集成电路制造产业进入22纳米技术代时，开始拥有自己的话语权。该成果的取得对我国集成电路产业在22纳米获得具有自主知识产权的核心技术有重要意义，也为我国继续自主研发16纳米及以下技术代的关键工艺提供了必要的技术支撑。结合国内制造企业在28纳米技术研发上取得的突破，我国已开始在全球尖端集成电路技术创新链中拥有自己的地位。
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说明一下，这里包括几个关键词：国家02专项、国家千人计划、国家集成电路先导工艺研发中心、高k-金属栅级技术。大家有兴趣的可以自己查查
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工业和信息化部电子信息司安筱鹏副司长一行到微电子所调研
转自中科院微电子所网站http://www.ime.ac.cn/
11月29日，国家工业和信息化部电子信息司安筱鹏副司长一行到微电子所调研。微电子所副所长陈大鹏，所长助理、中科院EDA中心主任陈岚，科技处处长王文武，“千人计划”学者、十室主任赵超，“千人计划”学者闫江，八室副主任陈鲁，九室副主任于中尧，研究员陆原等参加了座谈会。
安筱鹏副司长一行此次调研目的一方面是了解微电子所近年来的发展情况及承担国家重大科技专项的进展情况，另一方面是实地参观微电子所工艺线及EDA中心。
陈大鹏副所长代表微电子所对安筱鹏副司长一行的到访表示热烈欢迎，并作了题为《改革、开放、发展》的报告，全面介绍了微电子所的基本情况及承担国家重大科技专项的情况。十室主任赵超介绍了先导工艺研发中心的基本情况及承担的国家科技重大专项02专项“22nm先导工艺研究及平台建设”的最新科研进展和成效向安司长做了汇报。他指出，先导工艺研发中心自成立以来采用知识产权引导下的科研战略，依托及中心拥有的完整的8英寸研发线，在02专项的推动下，先导工艺平台目前已成为国产设备和材料的工艺开发和机台验证的重要基地。九室副主任于中尧介绍了微电子所系统封装研究室目前从事的针对后摩尔时代集成电路向三维集成技术发展情况，以及对电子系统小型化、多功能、高性能、高可靠、低成本、低能耗的需求和研究室所开展的三维集成技术、系统级封装、高密度封装等关键技术的研发情况，并重点介绍了封装设计仿真工具、基板实验线、微组装实验线、测试实验室、可靠性实验室等目前国内最好最全最先进的研发平台情况。八室副主任陈鲁介绍了微电子设备研究室在32nm以下设备及关键技术研究方面所取得的科研成果，并重点介绍了依托承担的国家科技重大专项02专项所开发的8台新原理设备及其应用情况。
会上，安筱鹏副司长一行就感兴趣和重点关注的问题同微电子所科研人员进行了交流和探讨。安筱鹏副司长讲话时指出，微电子所近年来发展势头非常迅猛，尤其是在“十一五”国家科技重大专项的支持下，在人才引进、公共平台建设等方面都得到了较大地改善和提升，并在此基础上通过自身努力取得了成绩，在国内微电子领域的影响力日渐提升，对此表示赞赏和祝贺。同时，他也指出微电子领域的竞争非常激烈，希望微电子所在今后的发展中能继续紧密围绕国家战略需求，不断调整和优化学科布局，积极创新和探索发展的新模式，在人才培养和科研攻关等方面取得更好、更大的成绩。
会后，来访一行参观了系统封装实验室的基板实验线、微组装实验线、测试和可靠性实验室线以及先导工艺研发中心的8英寸CMOS工艺线和微电子设备研究室的32nm以下新原理设备平台和中科院EDA中心。
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转自凤凰网http://finance.ifeng.com/
资深海归扎堆国家科技重大专项
他们为国家科技重大专项回到祖国；他们来自IBM、AMD、IMEC、Infineon、韩国三星、日本东京大学等海外知名研发机构；他们因02专项走到一起；他们为改变中国芯片依赖进口的现状而拼搏，并创造属于中国的辉煌。
他为祖国而来
在回国之前，朱慧珑已经在美国工作了19年。
2007年，朱慧珑成为IBM全公司当年4名“引领发明家”（Leading Inventor）之一；2008年，他是IBM半导体研究和开发中心年度排名第一的发明大师。他获得已授权的美国专利188件，多项专利作为核心和关键技术被国际知名企业用于芯片制造。
虽然朱慧珑已适应了国外的生活工作环境，但时刻关注着中国的快速发展，从心底里希望回国做点事情。因此他和几个有共同志向的伙伴，进行有选择性的考察。此时，中国科学院微电子研究所（以下简称“微电子所”）所长叶甜春（以下简称“叶所”）正在为我国下一代集成电路先导工艺研究的重大项目寻找领军科学家和核心团队。
“我认为，国家的快速发展能给个人成长提供巨大空间，同时也希望为国家做一些力所能及的贡献，实现国家与个人的共同成长。”朱慧珑告诉记者。
通过老同学的介绍，朱慧珑与叶所有了第一次会面，短短的一个小时，他们一拍即合。
朱慧珑在美国有着一个美满的家庭、一个美丽贤惠的妻子、两个聪明可爱的孩子。两个孩子一个4岁、另一个7岁。妻子虽然知道丈夫不在身边会有许多家庭生活和孩子教育的困难，但最终还是选择支持他回国。2009年4月，他辞掉了在IBM的工作，放弃了在美国丰厚的专利收益，回国担任中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心首席科学家和国家重大专项集成电路先导工艺研发项目首席专家。
3年来，在繁忙的工作之余，远在大洋彼岸的妻儿是他最大的牵挂。“不光是我，其他几位‘海归’也面临同样的问题。例如，回来时，有一位同事的太太已经怀孕，另两位同事的小孩才出生不久，也都顾不上了。我的孩子比其他几位的还大一些。”朱慧珑说，“大家真的是想做一些事情”。
全家回国的英雄情结
在回国之前，赵超已经在欧洲工作了10年。
2004年，温家宝总理访问欧洲微电子研发中心（IMEC），赵超作为IMEC的资深科学家，在总理访问期间陪同在身边。
温家宝总理参观IMEC 时说，“中国是世界上手机用户最多的国家，但是核心的芯片没有多少是自己生产的，希望以后中国也可以生产出先进的芯片”。这带给了赵超久久不能平息的震撼。从此，报效祖国的愿望在他心中萌生，他戏称，“我们都有着英雄情结，希望可以通过自己的努力帮国家变得更加强大”。
2010年赵超受邀到上海参加一个研讨会，刚到会场的他，听主办方说，“叶所已等你多时了”。当时他就在想“叶所？等我？他怎么来上海了”？
叶所的来意很简单，就是希望他回国加入02专项。叶所当时说，“咱们国家要做最尖端的技术，目标很简单，希望两年、3年、4年以后，大家在说美国、日本、欧洲制造时一定要说到中国，我们需要你这样的人才，希望你能回国，加入我们的团队”。
就是这短短的几句话，不足20分钟的时间，改变了赵超的后半生，赵超决定跟随叶所一起到北京看一看。北京一行让他看到了当时微电子所筹建国家电子研发中心这样一个雄心计划，也看到了02专项在组织实施国家战略方面的一种非常有张力的状态。他毅然决定带着全家回国。
他们在创造历史
记者了解到，为了更好地提升团队研发能力，微电子所以团队形式从海外知名研发机构美国IBM、AMD、欧洲IMEC、Infineon、韩国三星、日本东京大学等引进了9名海外杰出研发人才；其中有4名中组部“千人计划”学者、4名中科院“百人计划”学者，研发经验涵盖了180纳米及以下的多个“技术代”，人均8年以上国外工业研发和管理经验。
项目组在项目启动之初，即瞄准国际上先进的超大规模集成电路制造工艺技术，有计划地构建保护国家集成电路产业的专利壁垒。现已完成专利申请1100多项，国际专利申请300多项，这些专利将汇入02专项专利池中，对我国集成电路制造产业形成知识产权保护，捍卫我国产业界与知识产权有关的经济利益。在未来围绕产业技术知识产权战争中，这些专利将为我国的集成电路企业参与国际竞争赢得先机，也会为国家在技术引进上节省大量资金。
现在，微电子所已建成了国内第一个面向集成电路先导工艺技术研究的公共开放平台。良好的硬件设施，必将加快项目的进程。
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另外小爆一下，先导中心工艺线的等离子蚀刻设备是北方微电子的中科院22纳米CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展
关键字：CMOS关键技术 MOSFET 三栅器件结构
引自中科院微电子所网站http://www.ime.ac.cn/
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22纳米CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进的高K/金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs，器件性能良好，达到国内领先、世界一流水平。
22纳米CMOS技术是全球正在研究开发的最新一代集成电路制造工艺，各国都投入了巨大资金，力争抢占技术制高点。Intel开发的基于三栅器件结构的处理器已于近期实现量产；IBM联盟也于近期发布了采用22纳米工艺生产的SRAM芯片；Global Foundries，欧洲的IMEC，日韩的三星、Toshiba和我国台湾的台积电也发布了各自的22纳米制程技术；我国于2009年在国家科技重大专项的支持下开始22纳米关键技术先导研发。作为该项目的牵头单位，中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心与项目联合承担单位，北京大学、清华大学、复旦大学和中科院微系统所的项目组一道，开展了系统的联合攻关。经过3年多的辛勤努力，该项目于近期取得突破性进展。
在22纳米CMOS技术节点，为了降低成本、减少功耗和提高器件性能，高K/金属栅技术被广泛引入，同时也对器件制造工艺及集成技术带来了很大的挑战，主要包括了以下几个方面：
一是界面工程，需要研究高K材料与硅沟道的界面态特性、应力引入控制机制、影响载流子迁移率的原理机制等；
二是栅工程，对高性能的NMOS和PMOS器件而言，筛选出具有合适功函数的金属栅材料及堆叠结构避免费米钉扎效应，降低刻蚀工艺及集成技术的难度至关重要；
三是需要实现超浅结的源漏工程，确保器件具有良好的短沟道效应抑制特性和欧姆接触。
针对上述核心问题，项目组开展了系统的研究工作，在N型和P型MOS电容上均获得了EOT≤8.5，漏电流降低3个数量级，金属栅有效功函数距硅带隙边距离≤0.2eV的良好电学结果。成功研制出器件性能良好的22纳米栅长MOSFET器件(图1)。其中，NMOS和PMOS的阈值电压分别达到工业要求的0.3V 和-0.28V左右，在Vdd= 1V时饱和导通电流Ion (在没有使用应变硅增强技术的条件下)分别达到465A/m和368A/m，短沟道效应得到很好的改善，亚阈值摆幅(SS)和漏致势垒降低(DIBL)控制在85mV/dec和65mV以内（图2），均满足工业应用标准。
在这一过程中，中科院微电子研究所与北京大学、清华大学、复旦大学以及中科院微系统所的联合项目组完成了1369项专利申请，其中包括424项国际专利申请，为我国在集成电路领域掌握自主知识产权，取得国际话语权奠定了基础，其中后高K/金属栅工艺模块及相关专利、金属栅堆叠结构及其专利等均已开始在国内集成电路制造企业进行进一步的生产工艺开发。
多年来，我国的集成电路先进制造工艺大多是在引进的核心知识产权上进行产品工艺开发，在全球产业链最先进工艺的开发上缺少布局和话语权。此次22纳米关键技术先导研发是国内第一次在全球最先进工艺技术代组织这么大规模的产学研联合攻关，同期，国内制造企业在28纳米工艺上也在进行开发，目标就是在22纳米核心技术的知识产权中取得一席之地，在我国集成电路制造产业进入22纳米技术代时，开始拥有自己的话语权。该成果的取得对我国集成电路产业在22纳米获得具有自主知识产权的核心技术有重要意义，也为我国继续自主研发16纳米及以下技术代的关键工艺提供了必要的技术支撑。结合国内制造企业在28纳米技术研发上取得的突破，我国已开始在全球尖端集成电路技术创新链中拥有自己的地位。
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说明一下，这里包括几个关键词：国家02专项、国家千人计划、国家集成电路先导工艺研发中心、高k-金属栅级技术。大家有兴趣的可以自己查查
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工业和信息化部电子信息司安筱鹏副司长一行到微电子所调研
转自中科院微电子所网站http://www.ime.ac.cn/
11月29日，国家工业和信息化部电子信息司安筱鹏副司长一行到微电子所调研。微电子所副所长陈大鹏，所长助理、中科院EDA中心主任陈岚，科技处处长王文武，“千人计划”学者、十室主任赵超，“千人计划”学者闫江，八室副主任陈鲁，九室副主任于中尧，研究员陆原等参加了座谈会。
安筱鹏副司长一行此次调研目的一方面是了解微电子所近年来的发展情况及承担国家重大科技专项的进展情况，另一方面是实地参观微电子所工艺线及EDA中心。
陈大鹏副所长代表微电子所对安筱鹏副司长一行的到访表示热烈欢迎，并作了题为《改革、开放、发展》的报告，全面介绍了微电子所的基本情况及承担国家重大科技专项的情况。十室主任赵超介绍了先导工艺研发中心的基本情况及承担的国家科技重大专项02专项“22nm先导工艺研究及平台建设”的最新科研进展和成效向安司长做了汇报。他指出，先导工艺研发中心自成立以来采用知识产权引导下的科研战略，依托及中心拥有的完整的8英寸研发线，在02专项的推动下，先导工艺平台目前已成为国产设备和材料的工艺开发和机台验证的重要基地。九室副主任于中尧介绍了微电子所系统封装研究室目前从事的针对后摩尔时代集成电路向三维集成技术发展情况，以及对电子系统小型化、多功能、高性能、高可靠、低成本、低能耗的需求和研究室所开展的三维集成技术、系统级封装、高密度封装等关键技术的研发情况，并重点介绍了封装设计仿真工具、基板实验线、微组装实验线、测试实验室、可靠性实验室等目前国内最好最全最先进的研发平台情况。八室副主任陈鲁介绍了微电子设备研究室在32nm以下设备及关键技术研究方面所取得的科研成果，并重点介绍了依托承担的国家科技重大专项02专项所开发的8台新原理设备及其应用情况。
会上，安筱鹏副司长一行就感兴趣和重点关注的问题同微电子所科研人员进行了交流和探讨。安筱鹏副司长讲话时指出，微电子所近年来发展势头非常迅猛，尤其是在“十一五”国家科技重大专项的支持下，在人才引进、公共平台建设等方面都得到了较大地改善和提升，并在此基础上通过自身努力取得了成绩，在国内微电子领域的影响力日渐提升，对此表示赞赏和祝贺。同时，他也指出微电子领域的竞争非常激烈，希望微电子所在今后的发展中能继续紧密围绕国家战略需求，不断调整和优化学科布局，积极创新和探索发展的新模式，在人才培养和科研攻关等方面取得更好、更大的成绩。
会后，来访一行参观了系统封装实验室的基板实验线、微组装实验线、测试和可靠性实验室线以及先导工艺研发中心的8英寸CMOS工艺线和微电子设备研究室的32nm以下新原理设备平台和中科院EDA中心。
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资深海归扎堆国家科技重大专项
他们为国家科技重大专项回到祖国；他们来自IBM、AMD、IMEC、Infineon、韩国三星、日本东京大学等海外知名研发机构；他们因02专项走到一起；他们为改变中国芯片依赖进口的现状而拼搏，并创造属于中国的辉煌。
他为祖国而来
在回国之前，朱慧珑已经在美国工作了19年。
2007年，朱慧珑成为IBM全公司当年4名“引领发明家”（Leading Inventor）之一；2008年，他是IBM半导体研究和开发中心年度排名第一的发明大师。他获得已授权的美国专利188件，多项专利作为核心和关键技术被国际知名企业用于芯片制造。
虽然朱慧珑已适应了国外的生活工作环境，但时刻关注着中国的快速发展，从心底里希望回国做点事情。因此他和几个有共同志向的伙伴，进行有选择性的考察。此时，中国科学院微电子研究所（以下简称“微电子所”）所长叶甜春（以下简称“叶所”）正在为我国下一代集成电路先导工艺研究的重大项目寻找领军科学家和核心团队。
“我认为，国家的快速发展能给个人成长提供巨大空间，同时也希望为国家做一些力所能及的贡献，实现国家与个人的共同成长。”朱慧珑告诉记者。
通过老同学的介绍，朱慧珑与叶所有了第一次会面，短短的一个小时，他们一拍即合。
朱慧珑在美国有着一个美满的家庭、一个美丽贤惠的妻子、两个聪明可爱的孩子。两个孩子一个4岁、另一个7岁。妻子虽然知道丈夫不在身边会有许多家庭生活和孩子教育的困难，但最终还是选择支持他回国。2009年4月，他辞掉了在IBM的工作，放弃了在美国丰厚的专利收益，回国担任中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心首席科学家和国家重大专项集成电路先导工艺研发项目首席专家。
3年来，在繁忙的工作之余，远在大洋彼岸的妻儿是他最大的牵挂。“不光是我，其他几位‘海归’也面临同样的问题。例如，回来时，有一位同事的太太已经怀孕，另两位同事的小孩才出生不久，也都顾不上了。我的孩子比其他几位的还大一些。”朱慧珑说，“大家真的是想做一些事情”。
全家回国的英雄情结
在回国之前，赵超已经在欧洲工作了10年。
2004年，温家宝总理访问欧洲微电子研发中心（IMEC），赵超作为IMEC的资深科学家，在总理访问期间陪同在身边。
温家宝总理参观IMEC 时说，“中国是世界上手机用户最多的国家，但是核心的芯片没有多少是自己生产的，希望以后中国也可以生产出先进的芯片”。这带给了赵超久久不能平息的震撼。从此，报效祖国的愿望在他心中萌生，他戏称，“我们都有着英雄情结，希望可以通过自己的努力帮国家变得更加强大”。
2010年赵超受邀到上海参加一个研讨会，刚到会场的他，听主办方说，“叶所已等你多时了”。当时他就在想“叶所？等我？他怎么来上海了”？
叶所的来意很简单，就是希望他回国加入02专项。叶所当时说，“咱们国家要做最尖端的技术，目标很简单，希望两年、3年、4年以后，大家在说美国、日本、欧洲制造时一定要说到中国，我们需要你这样的人才，希望你能回国，加入我们的团队”。
就是这短短的几句话，不足20分钟的时间，改变了赵超的后半生，赵超决定跟随叶所一起到北京看一看。北京一行让他看到了当时微电子所筹建国家电子研发中心这样一个雄心计划，也看到了02专项在组织实施国家战略方面的一种非常有张力的状态。他毅然决定带着全家回国。
他们在创造历史
记者了解到，为了更好地提升团队研发能力，微电子所以团队形式从海外知名研发机构美国IBM、AMD、欧洲IMEC、Infineon、韩国三星、日本东京大学等引进了9名海外杰出研发人才；其中有4名中组部“千人计划”学者、4名中科院“百人计划”学者，研发经验涵盖了180纳米及以下的多个“技术代”，人均8年以上国外工业研发和管理经验。
项目组在项目启动之初，即瞄准国际上先进的超大规模集成电路制造工艺技术，有计划地构建保护国家集成电路产业的专利壁垒。现已完成专利申请1100多项，国际专利申请300多项，这些专利将汇入02专项专利池中，对我国集成电路制造产业形成知识产权保护，捍卫我国产业界与知识产权有关的经济利益。在未来围绕产业技术知识产权战争中，这些专利将为我国的集成电路企业参与国际竞争赢得先机，也会为国家在技术引进上节省大量资金。
现在，微电子所已建成了国内第一个面向集成电路先导工艺技术研究的公共开放平台。良好的硬件设施，必将加快项目的进程。
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另外小爆一下，先导中心工艺线的等离子蚀刻设备是北方微电子的
关键字：CMOS关键技术 MOSFET 三栅器件结构
引自中科院微电子所网站http://www.ime.ac.cn/
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22纳米CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进的高K/金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs，器件性能良好，达到国内领先、世界一流水平。
22纳米CMOS技术是全球正在研究开发的最新一代集成电路制造工艺，各国都投入了巨大资金，力争抢占技术制高点。Intel开发的基于三栅器件结构的处理器已于近期实现量产；IBM联盟也于近期发布了采用22纳米工艺生产的SRAM芯片；Global Foundries，欧洲的IMEC，日韩的三星、Toshiba和我国台湾的台积电也发布了各自的22纳米制程技术；我国于2009年在国家科技重大专项的支持下开始22纳米关键技术先导研发。作为该项目的牵头单位，中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心与项目联合承担单位，北京大学、清华大学、复旦大学和中科院微系统所的项目组一道，开展了系统的联合攻关。经过3年多的辛勤努力，该项目于近期取得突破性进展。
在22纳米CMOS技术节点，为了降低成本、减少功耗和提高器件性能，高K/金属栅技术被广泛引入，同时也对器件制造工艺及集成技术带来了很大的挑战，主要包括了以下几个方面：
一是界面工程，需要研究高K材料与硅沟道的界面态特性、应力引入控制机制、影响载流子迁移率的原理机制等；
二是栅工程，对高性能的NMOS和PMOS器件而言，筛选出具有合适功函数的金属栅材料及堆叠结构避免费米钉扎效应，降低刻蚀工艺及集成技术的难度至关重要；
三是需要实现超浅结的源漏工程，确保器件具有良好的短沟道效应抑制特性和欧姆接触。
针对上述核心问题，项目组开展了系统的研究工作，在N型和P型MOS电容上均获得了EOT≤8.5，漏电流降低3个数量级，金属栅有效功函数距硅带隙边距离≤0.2eV的良好电学结果。成功研制出器件性能良好的22纳米栅长MOSFET器件(图1)。其中，NMOS和PMOS的阈值电压分别达到工业要求的0.3V 和-0.28V左右，在Vdd= 1V时饱和导通电流Ion (在没有使用应变硅增强技术的条件下)分别达到465A/m和368A/m，短沟道效应得到很好的改善，亚阈值摆幅(SS)和漏致势垒降低(DIBL)控制在85mV/dec和65mV以内（图2），均满足工业应用标准。
在这一过程中，中科院微电子研究所与北京大学、清华大学、复旦大学以及中科院微系统所的联合项目组完成了1369项专利申请，其中包括424项国际专利申请，为我国在集成电路领域掌握自主知识产权，取得国际话语权奠定了基础，其中后高K/金属栅工艺模块及相关专利、金属栅堆叠结构及其专利等均已开始在国内集成电路制造企业进行进一步的生产工艺开发。
多年来，我国的集成电路先进制造工艺大多是在引进的核心知识产权上进行产品工艺开发，在全球产业链最先进工艺的开发上缺少布局和话语权。此次22纳米关键技术先导研发是国内第一次在全球最先进工艺技术代组织这么大规模的产学研联合攻关，同期，国内制造企业在28纳米工艺上也在进行开发，目标就是在22纳米核心技术的知识产权中取得一席之地，在我国集成电路制造产业进入22纳米技术代时，开始拥有自己的话语权。该成果的取得对我国集成电路产业在22纳米获得具有自主知识产权的核心技术有重要意义，也为我国继续自主研发16纳米及以下技术代的关键工艺提供了必要的技术支撑。结合国内制造企业在28纳米技术研发上取得的突破，我国已开始在全球尖端集成电路技术创新链中拥有自己的地位。
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说明一下，这里包括几个关键词：国家02专项、国家千人计划、国家集成电路先导工艺研发中心、高k-金属栅级技术。大家有兴趣的可以自己查查
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工业和信息化部电子信息司安筱鹏副司长一行到微电子所调研
转自中科院微电子所网站http://www.ime.ac.cn/
11月29日，国家工业和信息化部电子信息司安筱鹏副司长一行到微电子所调研。微电子所副所长陈大鹏，所长助理、中科院EDA中心主任陈岚，科技处处长王文武，“千人计划”学者、十室主任赵超，“千人计划”学者闫江，八室副主任陈鲁，九室副主任于中尧，研究员陆原等参加了座谈会。
安筱鹏副司长一行此次调研目的一方面是了解微电子所近年来的发展情况及承担国家重大科技专项的进展情况，另一方面是实地参观微电子所工艺线及EDA中心。
陈大鹏副所长代表微电子所对安筱鹏副司长一行的到访表示热烈欢迎，并作了题为《改革、开放、发展》的报告，全面介绍了微电子所的基本情况及承担国家重大科技专项的情况。十室主任赵超介绍了先导工艺研发中心的基本情况及承担的国家科技重大专项02专项“22nm先导工艺研究及平台建设”的最新科研进展和成效向安司长做了汇报。他指出，先导工艺研发中心自成立以来采用知识产权引导下的科研战略，依托及中心拥有的完整的8英寸研发线，在02专项的推动下，先导工艺平台目前已成为国产设备和材料的工艺开发和机台验证的重要基地。九室副主任于中尧介绍了微电子所系统封装研究室目前从事的针对后摩尔时代集成电路向三维集成技术发展情况，以及对电子系统小型化、多功能、高性能、高可靠、低成本、低能耗的需求和研究室所开展的三维集成技术、系统级封装、高密度封装等关键技术的研发情况，并重点介绍了封装设计仿真工具、基板实验线、微组装实验线、测试实验室、可靠性实验室等目前国内最好最全最先进的研发平台情况。八室副主任陈鲁介绍了微电子设备研究室在32nm以下设备及关键技术研究方面所取得的科研成果，并重点介绍了依托承担的国家科技重大专项02专项所开发的8台新原理设备及其应用情况。
会上，安筱鹏副司长一行就感兴趣和重点关注的问题同微电子所科研人员进行了交流和探讨。安筱鹏副司长讲话时指出，微电子所近年来发展势头非常迅猛，尤其是在“十一五”国家科技重大专项的支持下，在人才引进、公共平台建设等方面都得到了较大地改善和提升，并在此基础上通过自身努力取得了成绩，在国内微电子领域的影响力日渐提升，对此表示赞赏和祝贺。同时，他也指出微电子领域的竞争非常激烈，希望微电子所在今后的发展中能继续紧密围绕国家战略需求，不断调整和优化学科布局，积极创新和探索发展的新模式，在人才培养和科研攻关等方面取得更好、更大的成绩。
会后，来访一行参观了系统封装实验室的基板实验线、微组装实验线、测试和可靠性实验室线以及先导工艺研发中心的8英寸CMOS工艺线和微电子设备研究室的32nm以下新原理设备平台和中科院EDA中心。
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转自凤凰网http://finance.ifeng.com/
资深海归扎堆国家科技重大专项
他们为国家科技重大专项回到祖国；他们来自IBM、AMD、IMEC、Infineon、韩国三星、日本东京大学等海外知名研发机构；他们因02专项走到一起；他们为改变中国芯片依赖进口的现状而拼搏，并创造属于中国的辉煌。
他为祖国而来
在回国之前，朱慧珑已经在美国工作了19年。
2007年，朱慧珑成为IBM全公司当年4名“引领发明家”（Leading Inventor）之一；2008年，他是IBM半导体研究和开发中心年度排名第一的发明大师。他获得已授权的美国专利188件，多项专利作为核心和关键技术被国际知名企业用于芯片制造。
虽然朱慧珑已适应了国外的生活工作环境，但时刻关注着中国的快速发展，从心底里希望回国做点事情。因此他和几个有共同志向的伙伴，进行有选择性的考察。此时，中国科学院微电子研究所（以下简称“微电子所”）所长叶甜春（以下简称“叶所”）正在为我国下一代集成电路先导工艺研究的重大项目寻找领军科学家和核心团队。
“我认为，国家的快速发展能给个人成长提供巨大空间，同时也希望为国家做一些力所能及的贡献，实现国家与个人的共同成长。”朱慧珑告诉记者。
通过老同学的介绍，朱慧珑与叶所有了第一次会面，短短的一个小时，他们一拍即合。
朱慧珑在美国有着一个美满的家庭、一个美丽贤惠的妻子、两个聪明可爱的孩子。两个孩子一个4岁、另一个7岁。妻子虽然知道丈夫不在身边会有许多家庭生活和孩子教育的困难，但最终还是选择支持他回国。2009年4月，他辞掉了在IBM的工作，放弃了在美国丰厚的专利收益，回国担任中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心首席科学家和国家重大专项集成电路先导工艺研发项目首席专家。
3年来，在繁忙的工作之余，远在大洋彼岸的妻儿是他最大的牵挂。“不光是我，其他几位‘海归’也面临同样的问题。例如，回来时，有一位同事的太太已经怀孕，另两位同事的小孩才出生不久，也都顾不上了。我的孩子比其他几位的还大一些。”朱慧珑说，“大家真的是想做一些事情”。
全家回国的英雄情结
在回国之前，赵超已经在欧洲工作了10年。
2004年，温家宝总理访问欧洲微电子研发中心（IMEC），赵超作为IMEC的资深科学家，在总理访问期间陪同在身边。
温家宝总理参观IMEC 时说，“中国是世界上手机用户最多的国家，但是核心的芯片没有多少是自己生产的，希望以后中国也可以生产出先进的芯片”。这带给了赵超久久不能平息的震撼。从此，报效祖国的愿望在他心中萌生，他戏称，“我们都有着英雄情结，希望可以通过自己的努力帮国家变得更加强大”。
2010年赵超受邀到上海参加一个研讨会，刚到会场的他，听主办方说，“叶所已等你多时了”。当时他就在想“叶所？等我？他怎么来上海了”？
叶所的来意很简单，就是希望他回国加入02专项。叶所当时说，“咱们国家要做最尖端的技术，目标很简单，希望两年、3年、4年以后，大家在说美国、日本、欧洲制造时一定要说到中国，我们需要你这样的人才，希望你能回国，加入我们的团队”。
就是这短短的几句话，不足20分钟的时间，改变了赵超的后半生，赵超决定跟随叶所一起到北京看一看。北京一行让他看到了当时微电子所筹建国家电子研发中心这样一个雄心计划，也看到了02专项在组织实施国家战略方面的一种非常有张力的状态。他毅然决定带着全家回国。
他们在创造历史
记者了解到，为了更好地提升团队研发能力，微电子所以团队形式从海外知名研发机构美国IBM、AMD、欧洲IMEC、Infineon、韩国三星、日本东京大学等引进了9名海外杰出研发人才；其中有4名中组部“千人计划”学者、4名中科院“百人计划”学者，研发经验涵盖了180纳米及以下的多个“技术代”，人均8年以上国外工业研发和管理经验。
项目组在项目启动之初，即瞄准国际上先进的超大规模集成电路制造工艺技术，有计划地构建保护国家集成电路产业的专利壁垒。现已完成专利申请1100多项，国际专利申请300多项，这些专利将汇入02专项专利池中，对我国集成电路制造产业形成知识产权保护，捍卫我国产业界与知识产权有关的经济利益。在未来围绕产业技术知识产权战争中，这些专利将为我国的集成电路企业参与国际竞争赢得先机，也会为国家在技术引进上节省大量资金。
现在，微电子所已建成了国内第一个面向集成电路先导工艺技术研究的公共开放平台。良好的硬件设施，必将加快项目的进程。
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另外小爆一下，先导中心工艺线的等离子蚀刻设备是北方微电子的中科院22纳米CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展
关键字：CMOS关键技术 MOSFET 三栅器件结构
引自中科院微电子所网站http://www.ime.ac.cn/
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22纳米CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进的高K/金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs，器件性能良好，达到国内领先、世界一流水平。
22纳米CMOS技术是全球正在研究开发的最新一代集成电路制造工艺，各国都投入了巨大资金，力争抢占技术制高点。Intel开发的基于三栅器件结构的处理器已于近期实现量产；IBM联盟也于近期发布了采用22纳米工艺生产的SRAM芯片；Global Foundries，欧洲的IMEC，日韩的三星、Toshiba和我国台湾的台积电也发布了各自的22纳米制程技术；我国于2009年在国家科技重大专项的支持下开始22纳米关键技术先导研发。作为该项目的牵头单位，中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心与项目联合承担单位，北京大学、清华大学、复旦大学和中科院微系统所的项目组一道，开展了系统的联合攻关。经过3年多的辛勤努力，该项目于近期取得突破性进展。
在22纳米CMOS技术节点，为了降低成本、减少功耗和提高器件性能，高K/金属栅技术被广泛引入，同时也对器件制造工艺及集成技术带来了很大的挑战，主要包括了以下几个方面：
一是界面工程，需要研究高K材料与硅沟道的界面态特性、应力引入控制机制、影响载流子迁移率的原理机制等；
二是栅工程，对高性能的NMOS和PMOS器件而言，筛选出具有合适功函数的金属栅材料及堆叠结构避免费米钉扎效应，降低刻蚀工艺及集成技术的难度至关重要；
三是需要实现超浅结的源漏工程，确保器件具有良好的短沟道效应抑制特性和欧姆接触。
针对上述核心问题，项目组开展了系统的研究工作，在N型和P型MOS电容上均获得了EOT≤8.5，漏电流降低3个数量级，金属栅有效功函数距硅带隙边距离≤0.2eV的良好电学结果。成功研制出器件性能良好的22纳米栅长MOSFET器件(图1)。其中，NMOS和PMOS的阈值电压分别达到工业要求的0.3V 和-0.28V左右，在Vdd= 1V时饱和导通电流Ion (在没有使用应变硅增强技术的条件下)分别达到465A/m和368A/m，短沟道效应得到很好的改善，亚阈值摆幅(SS)和漏致势垒降低(DIBL)控制在85mV/dec和65mV以内（图2），均满足工业应用标准。
在这一过程中，中科院微电子研究所与北京大学、清华大学、复旦大学以及中科院微系统所的联合项目组完成了1369项专利申请，其中包括424项国际专利申请，为我国在集成电路领域掌握自主知识产权，取得国际话语权奠定了基础，其中后高K/金属栅工艺模块及相关专利、金属栅堆叠结构及其专利等均已开始在国内集成电路制造企业进行进一步的生产工艺开发。
多年来，我国的集成电路先进制造工艺大多是在引进的核心知识产权上进行产品工艺开发，在全球产业链最先进工艺的开发上缺少布局和话语权。此次22纳米关键技术先导研发是国内第一次在全球最先进工艺技术代组织这么大规模的产学研联合攻关，同期，国内制造企业在28纳米工艺上也在进行开发，目标就是在22纳米核心技术的知识产权中取得一席之地，在我国集成电路制造产业进入22纳米技术代时，开始拥有自己的话语权。该成果的取得对我国集成电路产业在22纳米获得具有自主知识产权的核心技术有重要意义，也为我国继续自主研发16纳米及以下技术代的关键工艺提供了必要的技术支撑。结合国内制造企业在28纳米技术研发上取得的突破，我国已开始在全球尖端集成电路技术创新链中拥有自己的地位。
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说明一下，这里包括几个关键词：国家02专项、国家千人计划、国家集成电路先导工艺研发中心、高k-金属栅级技术。大家有兴趣的可以自己查查
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工业和信息化部电子信息司安筱鹏副司长一行到微电子所调研
转自中科院微电子所网站http://www.ime.ac.cn/
11月29日，国家工业和信息化部电子信息司安筱鹏副司长一行到微电子所调研。微电子所副所长陈大鹏，所长助理、中科院EDA中心主任陈岚，科技处处长王文武，“千人计划”学者、十室主任赵超，“千人计划”学者闫江，八室副主任陈鲁，九室副主任于中尧，研究员陆原等参加了座谈会。
安筱鹏副司长一行此次调研目的一方面是了解微电子所近年来的发展情况及承担国家重大科技专项的进展情况，另一方面是实地参观微电子所工艺线及EDA中心。
陈大鹏副所长代表微电子所对安筱鹏副司长一行的到访表示热烈欢迎，并作了题为《改革、开放、发展》的报告，全面介绍了微电子所的基本情况及承担国家重大科技专项的情况。十室主任赵超介绍了先导工艺研发中心的基本情况及承担的国家科技重大专项02专项“22nm先导工艺研究及平台建设”的最新科研进展和成效向安司长做了汇报。他指出，先导工艺研发中心自成立以来采用知识产权引导下的科研战略，依托及中心拥有的完整的8英寸研发线，在02专项的推动下，先导工艺平台目前已成为国产设备和材料的工艺开发和机台验证的重要基地。九室副主任于中尧介绍了微电子所系统封装研究室目前从事的针对后摩尔时代集成电路向三维集成技术发展情况，以及对电子系统小型化、多功能、高性能、高可靠、低成本、低能耗的需求和研究室所开展的三维集成技术、系统级封装、高密度封装等关键技术的研发情况，并重点介绍了封装设计仿真工具、基板实验线、微组装实验线、测试实验室、可靠性实验室等目前国内最好最全最先进的研发平台情况。八室副主任陈鲁介绍了微电子设备研究室在32nm以下设备及关键技术研究方面所取得的科研成果，并重点介绍了依托承担的国家科技重大专项02专项所开发的8台新原理设备及其应用情况。
会上，安筱鹏副司长一行就感兴趣和重点关注的问题同微电子所科研人员进行了交流和探讨。安筱鹏副司长讲话时指出，微电子所近年来发展势头非常迅猛，尤其是在“十一五”国家科技重大专项的支持下，在人才引进、公共平台建设等方面都得到了较大地改善和提升，并在此基础上通过自身努力取得了成绩，在国内微电子领域的影响力日渐提升，对此表示赞赏和祝贺。同时，他也指出微电子领域的竞争非常激烈，希望微电子所在今后的发展中能继续紧密围绕国家战略需求，不断调整和优化学科布局，积极创新和探索发展的新模式，在人才培养和科研攻关等方面取得更好、更大的成绩。
会后，来访一行参观了系统封装实验室的基板实验线、微组装实验线、测试和可靠性实验室线以及先导工艺研发中心的8英寸CMOS工艺线和微电子设备研究室的32nm以下新原理设备平台和中科院EDA中心。
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转自凤凰网http://finance.ifeng.com/
资深海归扎堆国家科技重大专项
他们为国家科技重大专项回到祖国；他们来自IBM、AMD、IMEC、Infineon、韩国三星、日本东京大学等海外知名研发机构；他们因02专项走到一起；他们为改变中国芯片依赖进口的现状而拼搏，并创造属于中国的辉煌。
他为祖国而来
在回国之前，朱慧珑已经在美国工作了19年。
2007年，朱慧珑成为IBM全公司当年4名“引领发明家”（Leading Inventor）之一；2008年，他是IBM半导体研究和开发中心年度排名第一的发明大师。他获得已授权的美国专利188件，多项专利作为核心和关键技术被国际知名企业用于芯片制造。
虽然朱慧珑已适应了国外的生活工作环境，但时刻关注着中国的快速发展，从心底里希望回国做点事情。因此他和几个有共同志向的伙伴，进行有选择性的考察。此时，中国科学院微电子研究所（以下简称“微电子所”）所长叶甜春（以下简称“叶所”）正在为我国下一代集成电路先导工艺研究的重大项目寻找领军科学家和核心团队。
“我认为，国家的快速发展能给个人成长提供巨大空间，同时也希望为国家做一些力所能及的贡献，实现国家与个人的共同成长。”朱慧珑告诉记者。
通过老同学的介绍，朱慧珑与叶所有了第一次会面，短短的一个小时，他们一拍即合。
朱慧珑在美国有着一个美满的家庭、一个美丽贤惠的妻子、两个聪明可爱的孩子。两个孩子一个4岁、另一个7岁。妻子虽然知道丈夫不在身边会有许多家庭生活和孩子教育的困难，但最终还是选择支持他回国。2009年4月，他辞掉了在IBM的工作，放弃了在美国丰厚的专利收益，回国担任中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心首席科学家和国家重大专项集成电路先导工艺研发项目首席专家。
3年来，在繁忙的工作之余，远在大洋彼岸的妻儿是他最大的牵挂。“不光是我，其他几位‘海归’也面临同样的问题。例如，回来时，有一位同事的太太已经怀孕，另两位同事的小孩才出生不久，也都顾不上了。我的孩子比其他几位的还大一些。”朱慧珑说，“大家真的是想做一些事情”。
全家回国的英雄情结
在回国之前，赵超已经在欧洲工作了10年。
2004年，温家宝总理访问欧洲微电子研发中心（IMEC），赵超作为IMEC的资深科学家，在总理访问期间陪同在身边。
温家宝总理参观IMEC 时说，“中国是世界上手机用户最多的国家，但是核心的芯片没有多少是自己生产的，希望以后中国也可以生产出先进的芯片”。这带给了赵超久久不能平息的震撼。从此，报效祖国的愿望在他心中萌生，他戏称，“我们都有着英雄情结，希望可以通过自己的努力帮国家变得更加强大”。
2010年赵超受邀到上海参加一个研讨会，刚到会场的他，听主办方说，“叶所已等你多时了”。当时他就在想“叶所？等我？他怎么来上海了”？
叶所的来意很简单，就是希望他回国加入02专项。叶所当时说，“咱们国家要做最尖端的技术，目标很简单，希望两年、3年、4年以后，大家在说美国、日本、欧洲制造时一定要说到中国，我们需要你这样的人才，希望你能回国，加入我们的团队”。
就是这短短的几句话，不足20分钟的时间，改变了赵超的后半生，赵超决定跟随叶所一起到北京看一看。北京一行让他看到了当时微电子所筹建国家电子研发中心这样一个雄心计划，也看到了02专项在组织实施国家战略方面的一种非常有张力的状态。他毅然决定带着全家回国。
他们在创造历史
记者了解到，为了更好地提升团队研发能力，微电子所以团队形式从海外知名研发机构美国IBM、AMD、欧洲IMEC、Infineon、韩国三星、日本东京大学等引进了9名海外杰出研发人才；其中有4名中组部“千人计划”学者、4名中科院“百人计划”学者，研发经验涵盖了180纳米及以下的多个“技术代”，人均8年以上国外工业研发和管理经验。
项目组在项目启动之初，即瞄准国际上先进的超大规模集成电路制造工艺技术，有计划地构建保护国家集成电路产业的专利壁垒。现已完成专利申请1100多项，国际专利申请300多项，这些专利将汇入02专项专利池中，对我国集成电路制造产业形成知识产权保护，捍卫我国产业界与知识产权有关的经济利益。在未来围绕产业技术知识产权战争中，这些专利将为我国的集成电路企业参与国际竞争赢得先机，也会为国家在技术引进上节省大量资金。
现在，微电子所已建成了国内第一个面向集成电路先导工艺技术研究的公共开放平台。良好的硬件设施，必将加快项目的进程。
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另外小爆一下，先导中心工艺线的等离子蚀刻设备是北方微电子的
集成电路先导工艺研发中心研究室简介
转自中科院微电子所http://www.ime.ac.cn/jgsz/kybm/jcdlxdgy/yjsjj/
中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心（十室）是国家科技重大专项22纳米先导工艺项目的主要承担单位。中心自建立之日起，就紧密围绕国家集成电路产业技术发展的需求，开展以器件小型化为基础的CMOS先导工艺研发。该中心拥有一条完整的8英寸研发线，采用工业级设备，并在多个关键模块上拥有特色工艺能力。在光刻模块，采用电子束光刻（E-beam lithography）技术可实现22纳米及以下技术代的图形化。采用高K/金属栅的栅工程模块，采用外延锗硅的沟道应变工程(strain engineering)，采用超低能离子注入和激光退火的超浅结模块和采用新型研磨料的CMP模块可以为集成电路产业技术的开发扫清障碍，大大降低工业界技术开发的成本和时间。中心的研发线采用准工业化的管理模式，使得研发周期（cycle time）缩短到接近工业界的水平。中心除承担国家科技重大专项，863和973等项目之外，还致力于工业界急需的生产技术的开发和小批量高附加值产品的研制。
作为集成电路先导工艺研发的国家队，该中心承担了整合各方面的研发力量，组建国家级产学研结合的研发平台的战略任务。现在，中心已经形成了包括中芯国际，北大，清华，复旦等单位在内的集成电路工艺的研发联盟。同时，为满足国产半导体装备发展的需要，在研发线上大量采用国产设备和材料，并与国产设备商一起对机台进行验证和工艺开发工作，使中心的研发平台成为国产设备商共同的试验场和展示平台。中心自建立之日起，即采用知识产权引导下的科研战略，致力于构建保护国家集成电路产业的知识产权库。近3年来，已完成专利申请700多项，其中200多项国际专利。
研发中心在中组部千人计划和中科院百人计划的支持下，大力引进海外人才，现有千人计划特聘专家4人，中科院百人计划学者4人。中心的固定在编人员110余人，包括研究员12人，副研究员及高级工程师20人。另外还有在学硕士、博士研究生40余人。现任实验室主任为赵超研究员。
转自中科院微电子所http://www.ime.ac.cn/jgsz/kybm/jcdlxdgy/yjsjj/
中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心（十室）是国家科技重大专项22纳米先导工艺项目的主要承担单位。中心自建立之日起，就紧密围绕国家集成电路产业技术发展的需求，开展以器件小型化为基础的CMOS先导工艺研发。该中心拥有一条完整的8英寸研发线，采用工业级设备，并在多个关键模块上拥有特色工艺能力。在光刻模块，采用电子束光刻（E-beam lithography）技术可实现22纳米及以下技术代的图形化。采用高K/金属栅的栅工程模块，采用外延锗硅的沟道应变工程(strain engineering)，采用超低能离子注入和激光退火的超浅结模块和采用新型研磨料的CMP模块可以为集成电路产业技术的开发扫清障碍，大大降低工业界技术开发的成本和时间。中心的研发线采用准工业化的管理模式，使得研发周期（cycle time）缩短到接近工业界的水平。中心除承担国家科技重大专项，863和973等项目之外，还致力于工业界急需的生产技术的开发和小批量高附加值产品的研制。
作为集成电路先导工艺研发的国家队，该中心承担了整合各方面的研发力量，组建国家级产学研结合的研发平台的战略任务。现在，中心已经形成了包括中芯国际，北大，清华，复旦等单位在内的集成电路工艺的研发联盟。同时，为满足国产半导体装备发展的需要，在研发线上大量采用国产设备和材料，并与国产设备商一起对机台进行验证和工艺开发工作，使中心的研发平台成为国产设备商共同的试验场和展示平台。中心自建立之日起，即采用知识产权引导下的科研战略，致力于构建保护国家集成电路产业的知识产权库。近3年来，已完成专利申请700多项，其中200多项国际专利。
研发中心在中组部千人计划和中科院百人计划的支持下，大力引进海外人才，现有千人计划特聘专家4人，中科院百人计划学者4人。中心的固定在编人员110余人，包括研究员12人，副研究员及高级工程师20人。另外还有在学硕士、博士研究生40余人。现任实验室主任为赵超研究员。
好消息....期待更多的千人万人计划.......
实验室首次制成到工业化生产要多久？
虽不明，但觉厉~~
自家的东西有进步，很高兴~~
懂行的给讲解下~~
自家的东西有进步，很高兴~~
懂行的给讲解下~~
实际价值并不大，还是预研的范畴
虽然不知道是什么 但是觉得很厉害
把海龟写得那么热血做啥？国内条件好呗。人家老婆孩子特意在美国留着身份。。。。哎，这种人我见太多了
我有个同学在微电子所，当年可是我们班上的大学霸啊。
真心不懂，
貌似不懂，但还是要祝贺兔子又种了一棵白菜。。。
兔子闯进去的领域，瞬间白菜地。
把海龟写得那么热血做啥？国内条件好呗。人家老婆孩子特意在美国留着身份。。。。哎，这种人我见太多了
也别这么说。我见过的男人愿意回来，因为国内机会多，有事业。女人一般不愿意回来，压力大，环境差。可以理解。不用这么激动。
也别这么说。我见过的男人愿意回来，因为国内机会多，有事业。女人一般不愿意回来，压力大，环境差。可以理解。不用这么激动。
{:soso_e150:}这些机器怎么看看都有点。。。。
虽不明，但觉厉~~
Shuangmcc 发表于 2012-12-11 13:22 ![]()
把海龟写得那么热血做啥？国内条件好呗。人家老婆孩子特意在美国留着身份。。。。哎，这种人我见太多了
这就是事业男和主妇的区别了
话说我这里欧洲回来的也好几个呢，女的就没有……
把海龟写得那么热血做啥？国内条件好呗。人家老婆孩子特意在美国留着身份。。。。哎，这种人我见太多了
这就是事业男和主妇的区别了
话说我这里欧洲回来的也好几个呢，女的就没有……
任何突破都是好消息，希望这样的突破越来越多，越来越快。。。
还没见过在八寸上面做出22nm 工艺的。实验室研究可能可以，但是量产绝对不行。
不过国家在微电子技术上投入绝对明智，这些东西才是未来科技的核心。希望我们能早点赶上来。那些说白菜化的，对这个行业太不了解了。
不过国家在微电子技术上投入绝对明智，这些东西才是未来科技的核心。希望我们能早点赶上来。那些说白菜化的，对这个行业太不了解了。
这些人多半是碰到了西夷专为华人设的天花板，非我族类，其心必异，人家始终看的比我们明白。当然不排除有一部分确实具有英雄情怀的。可以想见，新中国建立初回国的专家大多也是这种情况。不管怎么样，国家的发展没有这些人是不行的，他们注定是我兔崛起的功臣。
这是生产芯片的吗？
饱食而乱喷 发表于 2012-12-11 13:13 ![]()
实验室首次制成到工业化生产要多久？
以IBM、Intel、GF、TSMC为参考，一般实验室出数据到产品上市基本上要一年时间，提升良率稳定量产又要一年时间。
实验室首次制成到工业化生产要多久？
以IBM、Intel、GF、TSMC为参考，一般实验室出数据到产品上市基本上要一年时间，提升良率稳定量产又要一年时间。
电子技术的跨越么都回来吧 这里才是你们的根
那单片清洗机跟ssec前后左右怎么看都一样的，涂影机跟DNS和TEL也怎么看都一样的，自己能产了么？
这实验室线也太小了。。。不知道多少级的，有subfab么。。。。facility供应商是哪些啊？
那单片清洗机跟ssec前后左右怎么看都一样的，涂影机跟DNS和TEL也怎么看都一样的，自己能产了么？
这实验室线也太小了。。。不知道多少级的，有subfab么。。。。facility供应商是哪些啊？
拿钱砸吧 只要舍得下本 包括人员待遇 总有赚回来的一天
中国民用这么大市场，唉~
这个可以在哪些方面对我军有帮助？
张三石 发表于 2012-12-11 13:37 ![]()
也别这么说。我见过的男人愿意回来，因为国内机会多，有事业。女人一般不愿意回来，压力大，环境差。可以 ...
就是!就是!他不回来你也不能让他怎么样，他既然回来，证明他还有爱国之心吗。
也别这么说。我见过的男人愿意回来，因为国内机会多，有事业。女人一般不愿意回来，压力大，环境差。可以 ...
就是!就是!他不回来你也不能让他怎么样，他既然回来，证明他还有爱国之心吗。
虽不明，但绝厉
这可大跨越.电子元件微形化.兔子的国家集合能力是全球排第一的，这一点超过了欧美等所有强国所以，这种体制上的优势保证了兔子能够短时间内实现必要的项目上的突破。
虽然不懂，
但肯定有价值哈
但肯定有价值哈目测兔子的科技树终于开始产果子了。
nthll 发表于 2012-12-11 14:34 ![]()
这个可以在哪些方面对我军有帮助？
算是集成电路领域的一个突破吧，现在在搞微电子研究的主要是国家支持的各高校和航天一院航天二院下面一些研究所，和军工关系比较大吧。
要说涉及到武器的话，武器上计算机计算能力的进一步提升、重量体积进一步减小、功耗进一步降低，貌似不仅是计算机还有导引头等一系列设备吧。其实更多关系到的是民品的生产带来大额经济利益吧。
这个可以在哪些方面对我军有帮助？
算是集成电路领域的一个突破吧，现在在搞微电子研究的主要是国家支持的各高校和航天一院航天二院下面一些研究所，和军工关系比较大吧。
要说涉及到武器的话，武器上计算机计算能力的进一步提升、重量体积进一步减小、功耗进一步降低，貌似不仅是计算机还有导引头等一系列设备吧。其实更多关系到的是民品的生产带来大额经济利益吧。
现在实验室生产水平能到22nm？觉得略红裤衩了点吧……要实现工业化生产应该还要些时间，和intel他们相比国内仍然有代差。
中芯国际倒是应该能进行65nm的工业生产了，实验室有中芯国际的流片班车。
中芯国际倒是应该能进行65nm的工业生产了，实验室有中芯国际的流片班车。
期待这个领域的突破
因为跟不上intel的更新速度有几家都要跳过22直接上20，实验室和工厂的生产方式差距是很大的
引进来遍地开花，可喜可贺！
无论如何，愿意回来就好，只要愿意为中国出力，别说本来就有华夏血统，就是纯的外国人也照聘不误。
虽然是啥我不知道，但感觉很高级的样子。。。