石墨烯混频器可加速未来电子器件发展

查尔莫斯大学研究人员首次演示了一种采用微波频率的新型分谐波石墨烯场效应晶体管（G-FET）混频器。这种混频器为未来电子器件的发展提供了新的机遇，因为它可以实现紧凑型电路技术，还有可能实现高频率、高集成硅技术。
　　混频器是所有电子系统的一个关键构成部分，这种设备可以把两个或两个以上的电子信号合并成一个或两个复合输出信号。未来可用于太赫兹频率领域，如安全防护雷达、射电天文学以及过程监控和环境监测，都需要大型混频器阵列，用于高分辨率成像和高速数据采集。这种混频器阵列或多像素接收机需要新型设备，灵敏度不仅要高，还要高效紧凑。
　　石墨烯在空穴之间相互切换的能力，或者通过场效应传输电子载体的能力能够使其具有独特的优势，适于射频集成电路（RF IC）应用。利用这种对称的电气特性，查尔莫斯大学研究人员仅使用一个晶体管就成功构筑了G-FET分谐波电阻混频器，因此，这种新型混频器不需要多余的传输电路，和传统混频器相比，新型混频器电路更加紧凑。构造这种新型混频器时仅需要较小的晶圆面积，可以用于先进传感器阵列，如毫米波甚至亚毫米波成像，这是由于G-FET技术的进步。
　　除了可以实现紧凑电路外，G-FET还提供了达到高频率的可能性，这归因于石墨烯的高速度，实际上，同基本混频器相比，一个分谐波混频器只需要一半的本机振荡器（LO）频率。这一特性具有吸引力，尤其是在高频率段，高频率段缺乏提供足够LO功率的信号源。
　　此外，G-FET可以集成硅技术，例如它兼容互补金属氧化物半导体（CMOS），可以用在CMOS电子器件中，用于单芯片上的后端处理。
http://www.dsti.net/Information/News/73335查尔莫斯大学研究人员首次演示了一种采用微波频率的新型分谐波石墨烯场效应晶体管（G-FET）混频器。这种混频器为未来电子器件的发展提供了新的机遇，因为它可以实现紧凑型电路技术，还有可能实现高频率、高集成硅技术。
　　混频器是所有电子系统的一个关键构成部分，这种设备可以把两个或两个以上的电子信号合并成一个或两个复合输出信号。未来可用于太赫兹频率领域，如安全防护雷达、射电天文学以及过程监控和环境监测，都需要大型混频器阵列，用于高分辨率成像和高速数据采集。这种混频器阵列或多像素接收机需要新型设备，灵敏度不仅要高，还要高效紧凑。
　　石墨烯在空穴之间相互切换的能力，或者通过场效应传输电子载体的能力能够使其具有独特的优势，适于射频集成电路（RF IC）应用。利用这种对称的电气特性，查尔莫斯大学研究人员仅使用一个晶体管就成功构筑了G-FET分谐波电阻混频器，因此，这种新型混频器不需要多余的传输电路，和传统混频器相比，新型混频器电路更加紧凑。构造这种新型混频器时仅需要较小的晶圆面积，可以用于先进传感器阵列，如毫米波甚至亚毫米波成像，这是由于G-FET技术的进步。
　　除了可以实现紧凑电路外，G-FET还提供了达到高频率的可能性，这归因于石墨烯的高速度，实际上，同基本混频器相比，一个分谐波混频器只需要一半的本机振荡器（LO）频率。这一特性具有吸引力，尤其是在高频率段，高频率段缺乏提供足够LO功率的信号源。
　　此外，G-FET可以集成硅技术，例如它兼容互补金属氧化物半导体（CMOS），可以用在CMOS电子器件中，用于单芯片上的后端处理。
http://www.dsti.net/Information/News/73335