超级军网华润微电子1200V Trench NPT IGBT工艺平台开发成功
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/29 14:29:15
华润微电子有限公司（后简称“华润微电子”）宣布其附属公司华润上华科技有限公司（后简称“华润上华”）已开发完成1200V Trench NPT IGBT（沟槽非穿通型绝缘栅双极晶体管）工艺平台，各项参数均达到设计要求，成功进入Trench IGBT代工市场。
华润上华开发的该工艺产品关键参数如最高耐压V(BR)CES、导通饱和电压VCE(on)、关断损耗Eoff ，以及在实际应用中的温升效果都与国际大厂相当，该工艺产品主要应用于电磁炉。根据国内权威的市场调查机构资料，2010年中国电磁炉用IGBT的市场规模达4.6亿元人民币，预期2011年中国电磁炉用IGBT市场规模为5.3亿元人民币，较2010年成长15.2%，到2012年与2013年分别达6.1亿元人民币与7.0亿元人民币，增长率分别为15.1%与14.8%。
华润上华作为国内首家以晶圆代工模式立足中国半导体市场的产业先锋，自2005年DMOS工艺量产以来，成功开发量产了6英寸高压平面栅400-650V 系列DMOS、6英寸中压平面栅50-200V系列DMOS、8英寸低压沟槽栅20-40V系列DMOS、8英寸中压沟槽栅50-80V系列DMOS等丰富的功率器件工艺平台。此次1200V Trench NPT IGBT工艺平台的开发成功，使得华润微电子和华润上华在功率器件代工的工艺平台更为全面，将进一步促进国内新型电力电子产业的发展，提高节能减排关键部件的国产化水平和比重。华润微电子有限公司（后简称“华润微电子”）宣布其附属公司华润上华科技有限公司（后简称“华润上华”）已开发完成1200V Trench NPT IGBT（沟槽非穿通型绝缘栅双极晶体管）工艺平台，各项参数均达到设计要求，成功进入Trench IGBT代工市场。
华润上华开发的该工艺产品关键参数如最高耐压V(BR)CES、导通饱和电压VCE(on)、关断损耗Eoff ，以及在实际应用中的温升效果都与国际大厂相当，该工艺产品主要应用于电磁炉。根据国内权威的市场调查机构资料，2010年中国电磁炉用IGBT的市场规模达4.6亿元人民币，预期2011年中国电磁炉用IGBT市场规模为5.3亿元人民币，较2010年成长15.2%，到2012年与2013年分别达6.1亿元人民币与7.0亿元人民币，增长率分别为15.1%与14.8%。
华润上华作为国内首家以晶圆代工模式立足中国半导体市场的产业先锋，自2005年DMOS工艺量产以来，成功开发量产了6英寸高压平面栅400-650V 系列DMOS、6英寸中压平面栅50-200V系列DMOS、8英寸低压沟槽栅20-40V系列DMOS、8英寸中压沟槽栅50-80V系列DMOS等丰富的功率器件工艺平台。此次1200V Trench NPT IGBT工艺平台的开发成功，使得华润微电子和华润上华在功率器件代工的工艺平台更为全面，将进一步促进国内新型电力电子产业的发展，提高节能减排关键部件的国产化水平和比重。
华润上华开发的该工艺产品关键参数如最高耐压V(BR)CES、导通饱和电压VCE(on)、关断损耗Eoff ，以及在实际应用中的温升效果都与国际大厂相当，该工艺产品主要应用于电磁炉。根据国内权威的市场调查机构资料，2010年中国电磁炉用IGBT的市场规模达4.6亿元人民币，预期2011年中国电磁炉用IGBT市场规模为5.3亿元人民币，较2010年成长15.2%，到2012年与2013年分别达6.1亿元人民币与7.0亿元人民币，增长率分别为15.1%与14.8%。
华润上华作为国内首家以晶圆代工模式立足中国半导体市场的产业先锋，自2005年DMOS工艺量产以来，成功开发量产了6英寸高压平面栅400-650V 系列DMOS、6英寸中压平面栅50-200V系列DMOS、8英寸低压沟槽栅20-40V系列DMOS、8英寸中压沟槽栅50-80V系列DMOS等丰富的功率器件工艺平台。此次1200V Trench NPT IGBT工艺平台的开发成功，使得华润微电子和华润上华在功率器件代工的工艺平台更为全面，将进一步促进国内新型电力电子产业的发展，提高节能减排关键部件的国产化水平和比重。华润微电子有限公司（后简称“华润微电子”）宣布其附属公司华润上华科技有限公司（后简称“华润上华”）已开发完成1200V Trench NPT IGBT（沟槽非穿通型绝缘栅双极晶体管）工艺平台，各项参数均达到设计要求，成功进入Trench IGBT代工市场。
华润上华开发的该工艺产品关键参数如最高耐压V(BR)CES、导通饱和电压VCE(on)、关断损耗Eoff ，以及在实际应用中的温升效果都与国际大厂相当，该工艺产品主要应用于电磁炉。根据国内权威的市场调查机构资料，2010年中国电磁炉用IGBT的市场规模达4.6亿元人民币，预期2011年中国电磁炉用IGBT市场规模为5.3亿元人民币，较2010年成长15.2%，到2012年与2013年分别达6.1亿元人民币与7.0亿元人民币，增长率分别为15.1%与14.8%。
华润上华作为国内首家以晶圆代工模式立足中国半导体市场的产业先锋，自2005年DMOS工艺量产以来，成功开发量产了6英寸高压平面栅400-650V 系列DMOS、6英寸中压平面栅50-200V系列DMOS、8英寸低压沟槽栅20-40V系列DMOS、8英寸中压沟槽栅50-80V系列DMOS等丰富的功率器件工艺平台。此次1200V Trench NPT IGBT工艺平台的开发成功，使得华润微电子和华润上华在功率器件代工的工艺平台更为全面，将进一步促进国内新型电力电子产业的发展，提高节能减排关键部件的国产化水平和比重。
华润微电子IGBT工艺平台通过中科院微电子所产品设计验证
2010-4-6 15:43:45 来源:华润微电子
由中国科学院微电子研究所（以下简称“中科院微电子所”）设计研发的绝缘栅控双极晶体管（“Insulated Gate Bipolar Transistor ，简称IGBT”）系列产品于日前在华润微电子有限公司（以下简称“华润微电子”）的工艺平台上流片成功，各项参数均达到设计要求，标志着华润微电子拥有了国内第一条完整通过客户产品设计验证的IGBT工艺线，双方正密切合作以进一步推动国产自主IGBT产品的大批量生产进程，以协助推进实现国内IGBT产业化的目标。
这次流片成功的产品采用Planar NPT器件结构，规格为15-43A /1200V。这个产品面向家用电器应用领域，目前正由国内著名的家电企业客户试用评估。
华润微电子有限公司长期以来提倡产学研合作的模式，与国内著名科研院所及大学在新型电力电子器件方面的技术合作由来已久。在此IGBT项目合作前，双方曾联合电子科技大学申请并成功获得了国家新型电力电子项目的支持。在IGBT项目得到阶段性成果之时，双方将继续发挥各自的优势，进一步在包括IGBT等方面的节能降耗领域展开密切的合作。
根据国内权威的市场调查机构资料，2009年中国IGBT的市场规模达38.2亿人民币，预期2010年中国IGBT市场规模为41.4亿元人民币，较2009年成长8.4%。到2011年与2012年分别达45.3与50.6亿元人民币，增长率分别为9.4%与11.7% 。更有半导体机构预测IGBT在2010年在中国的成长将达到25%以上。面对强大的市场需求，中国目前还没有一条完整的IGBT生产线可以提供终端客户使用，因此必须依赖进口。
IGBT由双极型晶体管（简称“BJT”）和绝缘栅型场效应晶体管（简称“MOSFET”）相结合的电压驱动式功率半导体器件。既有功率MOSFET 输入阻抗高，控制功率小，易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有双极晶体管的导通电压低，通态电流大，损耗小的显著优点。在提倡节能减排、低碳经济的时代，具备节能效率高，便于规模化生产，较易实现节能智慧化等优点的IGBT已成为功率半导体市场发展的主流技术。IGBT主要用在家电产品、工业控制、网络通、照明、消费电子、计算机及汽车电子等，而智能电网、高速铁路、新能源汽车为IGBT开辟了更加广泛的应用市场。 􀂄
关于华润微电子
华润微电子及其附属公司是中国领先的模拟半导体公司，其业务包括开放式晶圆代工、集成电路设计、集成电路封装测试和分立器件四大半导体业务板块。华润微电子为香港主板上市公司（0597.HK），2008年度营业额为31.18亿港币，为国内前五大半导体制造商之一。
关于中科院微电子所
中科院微电子所是一所专门从事微电子领域研究与开发的国立研究机构，在多个方向处于国内领先地位，取得了丰硕的成果，为中国微电子技术和产业发展作出了重要贡献。该所在VDMOS、IGBT等功率器件领域的研制有二十多年的技术积累和基础，目前正致力于面向智能电网和电动汽车高端应用领域的IGBT系列产品开发。
2010-4-6 15:43:45 来源:华润微电子
由中国科学院微电子研究所（以下简称“中科院微电子所”）设计研发的绝缘栅控双极晶体管（“Insulated Gate Bipolar Transistor ，简称IGBT”）系列产品于日前在华润微电子有限公司（以下简称“华润微电子”）的工艺平台上流片成功，各项参数均达到设计要求，标志着华润微电子拥有了国内第一条完整通过客户产品设计验证的IGBT工艺线，双方正密切合作以进一步推动国产自主IGBT产品的大批量生产进程，以协助推进实现国内IGBT产业化的目标。
这次流片成功的产品采用Planar NPT器件结构，规格为15-43A /1200V。这个产品面向家用电器应用领域，目前正由国内著名的家电企业客户试用评估。
华润微电子有限公司长期以来提倡产学研合作的模式，与国内著名科研院所及大学在新型电力电子器件方面的技术合作由来已久。在此IGBT项目合作前，双方曾联合电子科技大学申请并成功获得了国家新型电力电子项目的支持。在IGBT项目得到阶段性成果之时，双方将继续发挥各自的优势，进一步在包括IGBT等方面的节能降耗领域展开密切的合作。
根据国内权威的市场调查机构资料，2009年中国IGBT的市场规模达38.2亿人民币，预期2010年中国IGBT市场规模为41.4亿元人民币，较2009年成长8.4%。到2011年与2012年分别达45.3与50.6亿元人民币，增长率分别为9.4%与11.7% 。更有半导体机构预测IGBT在2010年在中国的成长将达到25%以上。面对强大的市场需求，中国目前还没有一条完整的IGBT生产线可以提供终端客户使用，因此必须依赖进口。
IGBT由双极型晶体管（简称“BJT”）和绝缘栅型场效应晶体管（简称“MOSFET”）相结合的电压驱动式功率半导体器件。既有功率MOSFET 输入阻抗高，控制功率小，易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有双极晶体管的导通电压低，通态电流大，损耗小的显著优点。在提倡节能减排、低碳经济的时代，具备节能效率高，便于规模化生产，较易实现节能智慧化等优点的IGBT已成为功率半导体市场发展的主流技术。IGBT主要用在家电产品、工业控制、网络通、照明、消费电子、计算机及汽车电子等，而智能电网、高速铁路、新能源汽车为IGBT开辟了更加广泛的应用市场。 􀂄
关于华润微电子
华润微电子及其附属公司是中国领先的模拟半导体公司，其业务包括开放式晶圆代工、集成电路设计、集成电路封装测试和分立器件四大半导体业务板块。华润微电子为香港主板上市公司（0597.HK），2008年度营业额为31.18亿港币，为国内前五大半导体制造商之一。
关于中科院微电子所
中科院微电子所是一所专门从事微电子领域研究与开发的国立研究机构，在多个方向处于国内领先地位，取得了丰硕的成果，为中国微电子技术和产业发展作出了重要贡献。该所在VDMOS、IGBT等功率器件领域的研制有二十多年的技术积累和基础，目前正致力于面向智能电网和电动汽车高端应用领域的IGBT系列产品开发。
迈向“芯”的制高点
华微电子召开IGBT产品内部发布会
2010年9月30日，华微电子召开IGBT产品内部发布会。会议重点介绍了公司IGBT产品研发进程以及取得的阶段性成果，标志着公司产品结构调整工作已经迈出坚实步伐，标志着公司在功率半导体器件高端领域的研发工作再次取得突破性进展。
本次发布会由公司副总工程师兼MOS产品总监李强主持。他首先介绍了IGBT产品在半导体技术中的价值，IGBT在市场中的应用空间及其对公司未来发展的带动作用。IGBT市场容量巨大，市场潜力巨大，应用空间广阔。它顺应了节能减排潮流，从消费电子到工业控制，从汽车电子到新能源领域等都能见到IGBT的身影，近年来在终端市场的强势发展带动下，IGBT产品已经成为功率器件家族中的新兴力量。公司自确立IGBT产品研发项目以来，技术人员勇于创新、不懈努力，积累了丰富的自主研发技术经验，至目前已取得突破性进展，15A/1200V IGBT产品在三家客户通过小批量认证，批量供货后将在一定程度上缓解当前市场供应紧张的局面。
发布会上，产品工程师系统介绍了有关IGBT产品的技术特点以及应用情况等详细内容，来自公司各部门的管理人员、市场营销业务人员以及产线技术人员等分别就IGBT产品的原材料选择、市场应用情况以及未来研发方向等提出相关问题，产品工程师对此进行了细致解答与说明，由此进一步加深了与会人员对IGBT产品的理解与认知。
发布会即将结束时，公司赵东军总经理做总结性发言。他首先肯定了IGBT研发团队为项目取得成功而付出的艰苦努力，并对当前所取得的研发成果表示祝贺。赵总经理结合当前市场竞争环境与公司发展战略要求，号召全体员工以IGBT产品的发布作为全新工作起点，振奋精神，树立起勇于争先的豪气与勇气，攻坚破难、开拓创新，围绕公司“全面改善经营质量”这一指导思想，突出工作重点，顺时而动，全力以赴开创公司经营发展新局面，迈向“芯”的制高点。
IGBT产品的研发成功是华微电子产品发展史上的重要里程碑，表明公司已经搭建起IGBT产品基础工艺平台，并使产品进一步实现系列化研发成为可能，为我司顺利进入轨道交通、工业控制以及新兴能源等领域提供了产品基础。
公司副总经理韩毅、张泽伟、王晓林以及董事会秘书赫荣刚出席本次发布会。
华微电子召开IGBT产品内部发布会
2010年9月30日，华微电子召开IGBT产品内部发布会。会议重点介绍了公司IGBT产品研发进程以及取得的阶段性成果，标志着公司产品结构调整工作已经迈出坚实步伐，标志着公司在功率半导体器件高端领域的研发工作再次取得突破性进展。
本次发布会由公司副总工程师兼MOS产品总监李强主持。他首先介绍了IGBT产品在半导体技术中的价值，IGBT在市场中的应用空间及其对公司未来发展的带动作用。IGBT市场容量巨大，市场潜力巨大，应用空间广阔。它顺应了节能减排潮流，从消费电子到工业控制，从汽车电子到新能源领域等都能见到IGBT的身影，近年来在终端市场的强势发展带动下，IGBT产品已经成为功率器件家族中的新兴力量。公司自确立IGBT产品研发项目以来，技术人员勇于创新、不懈努力，积累了丰富的自主研发技术经验，至目前已取得突破性进展，15A/1200V IGBT产品在三家客户通过小批量认证，批量供货后将在一定程度上缓解当前市场供应紧张的局面。
发布会上，产品工程师系统介绍了有关IGBT产品的技术特点以及应用情况等详细内容，来自公司各部门的管理人员、市场营销业务人员以及产线技术人员等分别就IGBT产品的原材料选择、市场应用情况以及未来研发方向等提出相关问题，产品工程师对此进行了细致解答与说明，由此进一步加深了与会人员对IGBT产品的理解与认知。
发布会即将结束时，公司赵东军总经理做总结性发言。他首先肯定了IGBT研发团队为项目取得成功而付出的艰苦努力，并对当前所取得的研发成果表示祝贺。赵总经理结合当前市场竞争环境与公司发展战略要求，号召全体员工以IGBT产品的发布作为全新工作起点，振奋精神，树立起勇于争先的豪气与勇气，攻坚破难、开拓创新，围绕公司“全面改善经营质量”这一指导思想，突出工作重点，顺时而动，全力以赴开创公司经营发展新局面，迈向“芯”的制高点。
IGBT产品的研发成功是华微电子产品发展史上的重要里程碑，表明公司已经搭建起IGBT产品基础工艺平台，并使产品进一步实现系列化研发成为可能，为我司顺利进入轨道交通、工业控制以及新兴能源等领域提供了产品基础。
公司副总经理韩毅、张泽伟、王晓林以及董事会秘书赫荣刚出席本次发布会。
话说华微电子真够假的。。
早在上世纪九十年代初就曾有过真诚合作。当时，中国华晶微电子集团公司（2002年初，加盟华润微电子）对华微电子的成长与发展给予了无私的支持与鼎力相助！正是在华晶毫无保留的援助之下，才有华微电子主业清晰、方向明确的发展战略的形成！正是在华晶公司的无私援助下，华微电子绝处逢生，奠定了坚实的发展基础，一路成长至今。华微电子将以持续快速健康的发展，回报华晶公司的帮助与扶持。
王国平先生与夏增文董事长对双方友情与友谊进行了热烈的回顾，并对功率半导体行业的现状以及未来发展进行了全面透彻、坦诚直接的交流与分析，王国平先生再次向华微电子传授了宝贵的经营发展理念与经验，帮助华微电子确定发展方向。夏增文董事长频频表示感谢。在国际金融危机之后，华微电子面临市场挑战的时候，得到华晶公司的有力指导，对于公司下一步发展是一种难得的推动力量。
双方一致认为，我国功率半导体市场潜力巨大，蕴藏无限商机，当前应在增强自身发展实力的同时，以更加开放包容的心态加强合作，坚持“走出去”的发展战略，广泛借鉴成功经验，立足长远，立足民族半导体产业振兴，加强技术创新，及时调整客户结构与产业布局，不断增强市场影响力，合力开拓、共谋发展。
访问期间，王国平先生与马卫清先生在公司夏增文董事长、赵东军总经理陪同下，考察并指导了华微电子四英寸、六英寸晶圆生产线的生产运行
王国平先生与夏增文董事长对双方友情与友谊进行了热烈的回顾，并对功率半导体行业的现状以及未来发展进行了全面透彻、坦诚直接的交流与分析，王国平先生再次向华微电子传授了宝贵的经营发展理念与经验，帮助华微电子确定发展方向。夏增文董事长频频表示感谢。在国际金融危机之后，华微电子面临市场挑战的时候，得到华晶公司的有力指导，对于公司下一步发展是一种难得的推动力量。
双方一致认为，我国功率半导体市场潜力巨大，蕴藏无限商机，当前应在增强自身发展实力的同时，以更加开放包容的心态加强合作，坚持“走出去”的发展战略，广泛借鉴成功经验，立足长远，立足民族半导体产业振兴，加强技术创新，及时调整客户结构与产业布局，不断增强市场影响力，合力开拓、共谋发展。
访问期间，王国平先生与马卫清先生在公司夏增文董事长、赵东军总经理陪同下，考察并指导了华微电子四英寸、六英寸晶圆生产线的生产运行
40万的技术转让费直到2000年代才付给华晶。。。笑死了！
IGBT技术还是很有用的，在智能电路时代很有发展前景。没有这个家伙，英特尔睿频技术也无法有效实现。我国现在是智能变频空调的全球领军者，靠的也是相对完整的IGBT产业链。
回复 7# nikecross
占据中国IGBT市场份额前十大的公司没有中国本土公司滴。。
占据中国IGBT市场份额前十大的公司没有中国本土公司滴。。
我国现在是智能变频空调的全球领军者，靠的也是相对完整的IGBT产业链。
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国产空调？？ 那就是悲剧
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国产空调？？ 那就是悲剧
啥时候能搞出大型变频器和机车用igbt啊？