超级军网面向14nm节点制程：尼康公开新一代193nm液浸光刻机NSR-S ...
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/28 01:44:10
日本光刻机设备厂商尼康在最近召开的LithoVision2011会展上透露了其光刻机产品的未来发展路线图，他们首先在会上公开了其新款S621D型193nm液浸式光刻机的部分参数，另外还透露了可供EUV光刻机使用的光源产品以及有关的量测技术的消息.
资料图片:尼康NSR-S620D
尼康和ASML在高端光刻机领域是一对死对头，不过两家公司的EUV战略有着显著的不同之处。ASML目前着力于在22nm节点制程推广EUV光刻技术的普及性，而尼康则认为EUV技术要到16nm或11nm节点才有可能发展成熟。尼康负责新技术开发的总经理Yuichi Shibasaki称：“尼康预计EUV系统的成熟期会有所后延。”
因此，尼康的重点主要放在传统光刻方面。他们目前上市的产品有之前公布的S620D 193nm液浸式光刻机，这种光刻机可供32nm及以上规格节点制程使用，S620D机型的数据孔径值(NA)为1.25，产出量则为每小时200片晶圆。
尼康S620D机型的客户据报道包括Intel，Globalfoundries和三星几家。据报道Intel正在使用这款光刻机开发其22nm节点制程逻辑芯片产品.目前尼康是Intel32nm制程芯片关键层制造用光刻设备的独家供应商。
不过据称Intel在22nm节点制程会同时使用两家光刻机厂商的产品制造其关键层。除了尼康的S620D之外，Intel据报道也正在使用其对手ASML生产的193nm液浸式光刻机。
NSR-S620D的模块化系统结构(Modular2)
在本次LithoVision会展仪式上，尼康则展示了其新款S621D 193nm液浸式光刻机，客户可以单独订购S621D机台，而目前的S620D光刻机则是以模块系统的方式与其它设备一起销售，不过S620D的客户也可以选择将光刻机升级到S621D机型。
S620D机型在套刻精度方面的性能较为突出，其单批晶圆间的套刻误差可控制在2nm以下，而不同批晶圆间的套刻误差则可控制在每3批2.2nm(按3σ准则计算)以下的水平，完全可以满足32nm产品的要求，接近22nm产品的要求。
与S620D类似，S621D的NA值参数也达到了1.25.不过S621D在套刻精度方面更上一层楼，其性能是根据14nm制程的要求制定的.根据尼康高管Shibasaki在一份演示中介绍了这款新机型的改进和优化之处，如新机型采用的动态镜片控制技术，自适应以及图像畸变控制技术，自适应型掩膜版载具控制技术等(intra shot grid, dynamic lens control, adaptive reticle chuck and aberration control)。
另外，尼康还推出了名为iPure的新一代光源-掩膜优化技术（source-mask-optimization (SMO)）（其本质是一种通过照明光源与掩膜图形的相互优化，使得传统光刻技术可用来实现更小尺寸半导体元件制造的技术。），尼康宣称自己的SMO技术可以在光刻过程中实时调整光刻机的光源。
与ASML一样，尼康也在开发自己的EUV光刻系统，ASML公司此前已经售出了两台EUV alpha光刻试制机，其中一台卖给了Albany Nanotech公司，另外一台则卖给了比利时IMEC。另外，ASML最近还将首款试产型独立式EUV光刻机卖给了三星公司。
而尼康则目前还没有独立式EUV光刻机上市，不过这家公司制造了两台研发用EUV光刻设备，其中一台放在尼康日本总部使用，而另外一台则供给日本的一个研究组织Selete使用。
不过尼康也一直在开发自己的商用EUV光刻工具，这款EUV光刻机被命名为EUV1.尼康认为EUV光刻机能投入实用的时期应该是在2015年左右11nm半代制程启动之时.在这次Lithovision大会上，尼康联合佳能公司称两家公司在共同开发可供EUV使用的，名为MISTI（Multi-Incoherent-Source Talbot Interferometer）的光化学波导量测技术（ actinic wavefront metrology technology），目前这项技术仍处于研发阶段。
CNBeta编译
原文：eetimes
出处：cnBeta （权限不够，没办法发地址了）
我想提个建议，it版是不是可以开一个芯片制程更新的专门贴呢？像空版的那个客机近况专贴。日本光刻机设备厂商尼康在最近召开的LithoVision2011会展上透露了其光刻机产品的未来发展路线图，他们首先在会上公开了其新款S621D型193nm液浸式光刻机的部分参数，另外还透露了可供EUV光刻机使用的光源产品以及有关的量测技术的消息.
资料图片:尼康NSR-S620D
尼康和ASML在高端光刻机领域是一对死对头，不过两家公司的EUV战略有着显著的不同之处。ASML目前着力于在22nm节点制程推广EUV光刻技术的普及性，而尼康则认为EUV技术要到16nm或11nm节点才有可能发展成熟。尼康负责新技术开发的总经理Yuichi Shibasaki称：“尼康预计EUV系统的成熟期会有所后延。”
因此，尼康的重点主要放在传统光刻方面。他们目前上市的产品有之前公布的S620D 193nm液浸式光刻机，这种光刻机可供32nm及以上规格节点制程使用，S620D机型的数据孔径值(NA)为1.25，产出量则为每小时200片晶圆。
尼康S620D机型的客户据报道包括Intel，Globalfoundries和三星几家。据报道Intel正在使用这款光刻机开发其22nm节点制程逻辑芯片产品.目前尼康是Intel32nm制程芯片关键层制造用光刻设备的独家供应商。
不过据称Intel在22nm节点制程会同时使用两家光刻机厂商的产品制造其关键层。除了尼康的S620D之外，Intel据报道也正在使用其对手ASML生产的193nm液浸式光刻机。
NSR-S620D的模块化系统结构(Modular2)
在本次LithoVision会展仪式上，尼康则展示了其新款S621D 193nm液浸式光刻机，客户可以单独订购S621D机台，而目前的S620D光刻机则是以模块系统的方式与其它设备一起销售，不过S620D的客户也可以选择将光刻机升级到S621D机型。
S620D机型在套刻精度方面的性能较为突出，其单批晶圆间的套刻误差可控制在2nm以下，而不同批晶圆间的套刻误差则可控制在每3批2.2nm(按3σ准则计算)以下的水平，完全可以满足32nm产品的要求，接近22nm产品的要求。
与S620D类似，S621D的NA值参数也达到了1.25.不过S621D在套刻精度方面更上一层楼，其性能是根据14nm制程的要求制定的.根据尼康高管Shibasaki在一份演示中介绍了这款新机型的改进和优化之处，如新机型采用的动态镜片控制技术，自适应以及图像畸变控制技术，自适应型掩膜版载具控制技术等(intra shot grid, dynamic lens control, adaptive reticle chuck and aberration control)。
另外，尼康还推出了名为iPure的新一代光源-掩膜优化技术（source-mask-optimization (SMO)）（其本质是一种通过照明光源与掩膜图形的相互优化，使得传统光刻技术可用来实现更小尺寸半导体元件制造的技术。），尼康宣称自己的SMO技术可以在光刻过程中实时调整光刻机的光源。
与ASML一样，尼康也在开发自己的EUV光刻系统，ASML公司此前已经售出了两台EUV alpha光刻试制机，其中一台卖给了Albany Nanotech公司，另外一台则卖给了比利时IMEC。另外，ASML最近还将首款试产型独立式EUV光刻机卖给了三星公司。
而尼康则目前还没有独立式EUV光刻机上市，不过这家公司制造了两台研发用EUV光刻设备，其中一台放在尼康日本总部使用，而另外一台则供给日本的一个研究组织Selete使用。
不过尼康也一直在开发自己的商用EUV光刻工具，这款EUV光刻机被命名为EUV1.尼康认为EUV光刻机能投入实用的时期应该是在2015年左右11nm半代制程启动之时.在这次Lithovision大会上，尼康联合佳能公司称两家公司在共同开发可供EUV使用的，名为MISTI（Multi-Incoherent-Source Talbot Interferometer）的光化学波导量测技术（ actinic wavefront metrology technology），目前这项技术仍处于研发阶段。
CNBeta编译
原文：eetimes
出处：cnBeta （权限不够，没办法发地址了）
我想提个建议，it版是不是可以开一个芯片制程更新的专门贴呢？像空版的那个客机近况专贴。
资料图片:尼康NSR-S620D
尼康和ASML在高端光刻机领域是一对死对头，不过两家公司的EUV战略有着显著的不同之处。ASML目前着力于在22nm节点制程推广EUV光刻技术的普及性，而尼康则认为EUV技术要到16nm或11nm节点才有可能发展成熟。尼康负责新技术开发的总经理Yuichi Shibasaki称：“尼康预计EUV系统的成熟期会有所后延。”
因此，尼康的重点主要放在传统光刻方面。他们目前上市的产品有之前公布的S620D 193nm液浸式光刻机，这种光刻机可供32nm及以上规格节点制程使用，S620D机型的数据孔径值(NA)为1.25，产出量则为每小时200片晶圆。
尼康S620D机型的客户据报道包括Intel，Globalfoundries和三星几家。据报道Intel正在使用这款光刻机开发其22nm节点制程逻辑芯片产品.目前尼康是Intel32nm制程芯片关键层制造用光刻设备的独家供应商。
不过据称Intel在22nm节点制程会同时使用两家光刻机厂商的产品制造其关键层。除了尼康的S620D之外，Intel据报道也正在使用其对手ASML生产的193nm液浸式光刻机。
NSR-S620D的模块化系统结构(Modular2)
在本次LithoVision会展仪式上，尼康则展示了其新款S621D 193nm液浸式光刻机，客户可以单独订购S621D机台，而目前的S620D光刻机则是以模块系统的方式与其它设备一起销售，不过S620D的客户也可以选择将光刻机升级到S621D机型。
S620D机型在套刻精度方面的性能较为突出，其单批晶圆间的套刻误差可控制在2nm以下，而不同批晶圆间的套刻误差则可控制在每3批2.2nm(按3σ准则计算)以下的水平，完全可以满足32nm产品的要求，接近22nm产品的要求。
与S620D类似，S621D的NA值参数也达到了1.25.不过S621D在套刻精度方面更上一层楼，其性能是根据14nm制程的要求制定的.根据尼康高管Shibasaki在一份演示中介绍了这款新机型的改进和优化之处，如新机型采用的动态镜片控制技术，自适应以及图像畸变控制技术，自适应型掩膜版载具控制技术等(intra shot grid, dynamic lens control, adaptive reticle chuck and aberration control)。
另外，尼康还推出了名为iPure的新一代光源-掩膜优化技术（source-mask-optimization (SMO)）（其本质是一种通过照明光源与掩膜图形的相互优化，使得传统光刻技术可用来实现更小尺寸半导体元件制造的技术。），尼康宣称自己的SMO技术可以在光刻过程中实时调整光刻机的光源。
与ASML一样，尼康也在开发自己的EUV光刻系统，ASML公司此前已经售出了两台EUV alpha光刻试制机，其中一台卖给了Albany Nanotech公司，另外一台则卖给了比利时IMEC。另外，ASML最近还将首款试产型独立式EUV光刻机卖给了三星公司。
而尼康则目前还没有独立式EUV光刻机上市，不过这家公司制造了两台研发用EUV光刻设备，其中一台放在尼康日本总部使用，而另外一台则供给日本的一个研究组织Selete使用。
不过尼康也一直在开发自己的商用EUV光刻工具，这款EUV光刻机被命名为EUV1.尼康认为EUV光刻机能投入实用的时期应该是在2015年左右11nm半代制程启动之时.在这次Lithovision大会上，尼康联合佳能公司称两家公司在共同开发可供EUV使用的，名为MISTI（Multi-Incoherent-Source Talbot Interferometer）的光化学波导量测技术（ actinic wavefront metrology technology），目前这项技术仍处于研发阶段。
CNBeta编译
原文：eetimes
出处：cnBeta （权限不够，没办法发地址了）
我想提个建议，it版是不是可以开一个芯片制程更新的专门贴呢？像空版的那个客机近况专贴。日本光刻机设备厂商尼康在最近召开的LithoVision2011会展上透露了其光刻机产品的未来发展路线图，他们首先在会上公开了其新款S621D型193nm液浸式光刻机的部分参数，另外还透露了可供EUV光刻机使用的光源产品以及有关的量测技术的消息.
资料图片:尼康NSR-S620D
尼康和ASML在高端光刻机领域是一对死对头，不过两家公司的EUV战略有着显著的不同之处。ASML目前着力于在22nm节点制程推广EUV光刻技术的普及性，而尼康则认为EUV技术要到16nm或11nm节点才有可能发展成熟。尼康负责新技术开发的总经理Yuichi Shibasaki称：“尼康预计EUV系统的成熟期会有所后延。”
因此，尼康的重点主要放在传统光刻方面。他们目前上市的产品有之前公布的S620D 193nm液浸式光刻机，这种光刻机可供32nm及以上规格节点制程使用，S620D机型的数据孔径值(NA)为1.25，产出量则为每小时200片晶圆。
尼康S620D机型的客户据报道包括Intel，Globalfoundries和三星几家。据报道Intel正在使用这款光刻机开发其22nm节点制程逻辑芯片产品.目前尼康是Intel32nm制程芯片关键层制造用光刻设备的独家供应商。
不过据称Intel在22nm节点制程会同时使用两家光刻机厂商的产品制造其关键层。除了尼康的S620D之外，Intel据报道也正在使用其对手ASML生产的193nm液浸式光刻机。
NSR-S620D的模块化系统结构(Modular2)
在本次LithoVision会展仪式上，尼康则展示了其新款S621D 193nm液浸式光刻机，客户可以单独订购S621D机台，而目前的S620D光刻机则是以模块系统的方式与其它设备一起销售，不过S620D的客户也可以选择将光刻机升级到S621D机型。
S620D机型在套刻精度方面的性能较为突出，其单批晶圆间的套刻误差可控制在2nm以下，而不同批晶圆间的套刻误差则可控制在每3批2.2nm(按3σ准则计算)以下的水平，完全可以满足32nm产品的要求，接近22nm产品的要求。
与S620D类似，S621D的NA值参数也达到了1.25.不过S621D在套刻精度方面更上一层楼，其性能是根据14nm制程的要求制定的.根据尼康高管Shibasaki在一份演示中介绍了这款新机型的改进和优化之处，如新机型采用的动态镜片控制技术，自适应以及图像畸变控制技术，自适应型掩膜版载具控制技术等(intra shot grid, dynamic lens control, adaptive reticle chuck and aberration control)。
另外，尼康还推出了名为iPure的新一代光源-掩膜优化技术（source-mask-optimization (SMO)）（其本质是一种通过照明光源与掩膜图形的相互优化，使得传统光刻技术可用来实现更小尺寸半导体元件制造的技术。），尼康宣称自己的SMO技术可以在光刻过程中实时调整光刻机的光源。
与ASML一样，尼康也在开发自己的EUV光刻系统，ASML公司此前已经售出了两台EUV alpha光刻试制机，其中一台卖给了Albany Nanotech公司，另外一台则卖给了比利时IMEC。另外，ASML最近还将首款试产型独立式EUV光刻机卖给了三星公司。
而尼康则目前还没有独立式EUV光刻机上市，不过这家公司制造了两台研发用EUV光刻设备，其中一台放在尼康日本总部使用，而另外一台则供给日本的一个研究组织Selete使用。
不过尼康也一直在开发自己的商用EUV光刻工具，这款EUV光刻机被命名为EUV1.尼康认为EUV光刻机能投入实用的时期应该是在2015年左右11nm半代制程启动之时.在这次Lithovision大会上，尼康联合佳能公司称两家公司在共同开发可供EUV使用的，名为MISTI（Multi-Incoherent-Source Talbot Interferometer）的光化学波导量测技术（ actinic wavefront metrology technology），目前这项技术仍处于研发阶段。
CNBeta编译
原文：eetimes
出处：cnBeta （权限不够，没办法发地址了）
我想提个建议，it版是不是可以开一个芯片制程更新的专门贴呢？像空版的那个客机近况专贴。
回复 1# mdmzzk
不错啊:D
不错啊:D
我觉得尼康只要还是single wafer stage就很难打过ASML