[ZT] 我第一条百吨级高档光刻胶生产线投产 年产达250吨

是上市公司啵

是不是和生产芯片有关的。

小菜不懂这个

欢迎我们敬爱的桃月美眉老大给科普一下，大家呱唧呱唧。

被召唤了，我不说话，拿点私货吧

现在确实不太愿意打字了

继续

总结个

桃MM真无私[:a15:]

LZ贴的这个新闻一点有用的消息都没有提供，真的，记者怎么总是这么让人讨厌,说了一大堆八股，关键的什么也没说
分辨率是多少？国内最好的是0.25-0.18um.
是UV厚胶还是DUV胶？透光性能如何？化学效率如何？成像及曝光速度如何？剥离性能如何？环境稳定性怎么样？

我唯一能从这个新闻中知道的只有它是正胶，其它的什么都不知道了

干脆给大家介绍下什么是光刻胶
这是光刻科学与技术第二版（MicroLithographyScienceTec）的中文译文部分翻译可能有一些错误和不严谨，不过可以无视

光刻胶是一种有机化合物，它受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化。一
般光刻胶以液态涂覆在硅片表面上，曝光后烘烤成固态。
  1、光刻胶的作用：a、将掩膜板上的图形转移到硅片表面的氧化层中；b、在后续工序中，
保护下面的材料（刻蚀或离子注入） 。
  2、光刻胶的物理特性参数：     
  a、分辨率（resolution） 。区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。
     b、对比度（Contrast） 。指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好，形成
图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。
     c、敏感度（Sensitivity） 。光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值
（或最小曝光量） 。单位：毫焦/平方厘米或 mJ/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光（DUV） 、极深紫外光（EUV）等尤为重要。
     d、粘滞性/黏度（Viscosity） 。衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶
剂的减少而增加； 高的粘滞性会产生厚的光刻胶； 越小的粘滞性， 就有越均匀的光刻胶厚度。
光刻胶的比重（SG，Specific Gravity）是衡量光刻胶的密度的指标。它与光刻胶中的固体含
量有关。较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体，粘滞性更高、流动性更差。粘度的单
位：泊（poise） ，光刻胶一般用厘泊（cps，厘泊为 1%泊）来度量。百分泊即厘泊为绝对粘
滞率； 运动粘滞率定义为： 运动粘滞率=绝对粘滞率/比重。 单位： 百分斯托克斯 （cs） ＝cps/SG。  
e、粘附性（Adherence） 。表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致
硅片表面的图形变形。光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺（刻蚀、离子注入等） 。
f、抗蚀性（Anti-etching） 。光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底
表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。
g  、表面张力（Surface Tension） 。液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。
光刻胶应该具有比较小的表面张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。
h、存储和传送（Storage and Transmission） 。能量（光和热）可以激活光刻胶。应该存
储在密闭、低温、不透光的盒中。同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。一旦超
过存储时间或较高的温度范围，负胶会发生交联，正胶会发生感光延迟。
  3、光刻胶的分类
a、根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类：负性光刻胶和正性光刻胶。
    负性光刻胶（Negative Photo Resist） 。最早使用，一直到 20 世纪70 年代。曝光区
域发生交联，难溶于显影液。特性：良好的粘附能力、良好的阻挡作用、感光速度快；显影
时发生变形和膨胀。所以只能用于 2μm的分辨率。
    正性光刻胶（Positive Photo Resist） 。20 世纪 70 年代，有负性转用正性。正性光刻
胶的曝光区域更加容易溶解于显影液。特性：分辨率高、台阶覆盖好、对比度好；粘附性差、
抗刻蚀能力差、高成本。
b、根据光刻胶能形成图形的最小光刻尺寸来分：传统光刻胶和化学放大光刻胶。
    传统光刻胶。适用于 I 线（365nm） 、H 线（405nm）和 G 线（436nm） ，关键尺寸在
0.35μm及其以上。
    化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist） 。适用于深紫外线（DUV）波
长的光刻胶。KrF（248nm）和 ArF（193nm） 。
  4、光刻胶的具体性质
a、传统光刻胶：正胶和负胶。光刻胶的组成：树脂（resin/polymer） ，光刻胶中不同
材料的粘合剂，给与光刻胶的机械与化学性质（如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等） ；感光
剂，感光剂对光能发生光化学反应；溶剂（Solvent） ，保持光刻胶的液体状态，使之具有良
好的流动性；添加剂（Additive） ，用以改变光刻胶的某些特性，如改善光刻胶发生反射而
添加染色剂等。
   负性光刻胶。树脂是聚异戊二烯，一种天然的橡胶；溶剂是二甲苯；感光剂是一种经
过曝光后释放出氮气的光敏剂，产生的自由基在橡胶分子间形成交联。从而变得不溶于显影
液。负性光刻胶在曝光区由溶剂引起泡涨；曝光时光刻胶容易与氮气反应而抑制交联。   正性光刻胶。树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛，提供光刻胶的粘附性、化学
抗蚀性，当没有溶解抑制剂存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液中；感光剂是光敏化合物
（PAC，Photo Active Compound） ，最常见的是重氮萘醌（DNQ） ，在曝光前，DNQ 是一种强
烈的溶解抑制剂，降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后，DNQ 在光刻胶中化学分解，成为溶
解度增强剂，大幅提高显影液中的溶解度因子至 100 或者更高。这种曝光反应会在 DNQ中产
生羧酸，它在显影液中溶解度很高。正性光刻胶具有很好的对比度，所以生成的图形具有良
好的分辨率。
b、化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist） 。树脂是具有化学基团保护
（t-BOC） 的聚乙烯 （PHS） 。 有保护团的树脂不溶于水； 感光剂是光酸产生剂 （PAG， Photo  Acid Generator） ，光刻胶曝光后，在曝光区的 PAG发生光化学反应会产生一种酸。该酸在曝光后
热烘（PEB，Post Exposure Baking）时，作为化学催化剂将树脂上的保护基团移走，从而
使曝光区域的光刻胶由原来不溶于水转变为高度溶于以水为主要成分的显影液。 化学放大光
刻胶曝光速度非常快，大约是 DNQ 线性酚醛树脂光刻胶的 10 倍；对短波长光源具有很好的
光学敏感性；提供陡直侧墙，具有高的对比度；具有 0.25μm及其以下尺寸的高分辨率。

干脆给大家介绍下什么是光刻胶
这是光刻科学与技术第二版（MicroLithographyScienceTec）的中文译文部分翻译可能有一些错误和不严谨，不过可以无视

光刻胶是一种有机化合物，它受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化。一
般光刻胶以液态涂覆在硅片表面上，曝光后烘烤成固态。
  1、光刻胶的作用：a、将掩膜板上的图形转移到硅片表面的氧化层中；b、在后续工序中，
保护下面的材料（刻蚀或离子注入） 。
  2、光刻胶的物理特性参数：     
  a、分辨率（resolution） 。区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。
     b、对比度（Contrast） 。指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好，形成
图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。
     c、敏感度（Sensitivity） 。光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值
（或最小曝光量） 。单位：毫焦/平方厘米或 mJ/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光（DUV） 、极深紫外光（EUV）等尤为重要。
     d、粘滞性/黏度（Viscosity） 。衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶
剂的减少而增加； 高的粘滞性会产生厚的光刻胶； 越小的粘滞性， 就有越均匀的光刻胶厚度。
光刻胶的比重（SG，Specific Gravity）是衡量光刻胶的密度的指标。它与光刻胶中的固体含
量有关。较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体，粘滞性更高、流动性更差。粘度的单
位：泊（poise） ，光刻胶一般用厘泊（cps，厘泊为 1%泊）来度量。百分泊即厘泊为绝对粘
滞率； 运动粘滞率定义为： 运动粘滞率=绝对粘滞率/比重。 单位： 百分斯托克斯 （cs） ＝cps/SG。  
e、粘附性（Adherence） 。表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致
硅片表面的图形变形。光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺（刻蚀、离子注入等） 。
f、抗蚀性（Anti-etching） 。光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底
表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。
g  、表面张力（Surface Tension） 。液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。
光刻胶应该具有比较小的表面张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。
h、存储和传送（Storage and Transmission） 。能量（光和热）可以激活光刻胶。应该存
储在密闭、低温、不透光的盒中。同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。一旦超
过存储时间或较高的温度范围，负胶会发生交联，正胶会发生感光延迟。
  3、光刻胶的分类
a、根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类：负性光刻胶和正性光刻胶。
    负性光刻胶（Negative Photo Resist） 。最早使用，一直到 20 世纪70 年代。曝光区
域发生交联，难溶于显影液。特性：良好的粘附能力、良好的阻挡作用、感光速度快；显影
时发生变形和膨胀。所以只能用于 2μm的分辨率。
    正性光刻胶（Positive Photo Resist） 。20 世纪 70 年代，有负性转用正性。正性光刻
胶的曝光区域更加容易溶解于显影液。特性：分辨率高、台阶覆盖好、对比度好；粘附性差、
抗刻蚀能力差、高成本。
b、根据光刻胶能形成图形的最小光刻尺寸来分：传统光刻胶和化学放大光刻胶。
    传统光刻胶。适用于 I 线（365nm） 、H 线（405nm）和 G 线（436nm） ，关键尺寸在
0.35μm及其以上。
    化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist） 。适用于深紫外线（DUV）波
长的光刻胶。KrF（248nm）和 ArF（193nm） 。
  4、光刻胶的具体性质
a、传统光刻胶：正胶和负胶。光刻胶的组成：树脂（resin/polymer） ，光刻胶中不同
材料的粘合剂，给与光刻胶的机械与化学性质（如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等） ；感光
剂，感光剂对光能发生光化学反应；溶剂（Solvent） ，保持光刻胶的液体状态，使之具有良
好的流动性；添加剂（Additive） ，用以改变光刻胶的某些特性，如改善光刻胶发生反射而
添加染色剂等。
   负性光刻胶。树脂是聚异戊二烯，一种天然的橡胶；溶剂是二甲苯；感光剂是一种经
过曝光后释放出氮气的光敏剂，产生的自由基在橡胶分子间形成交联。从而变得不溶于显影
液。负性光刻胶在曝光区由溶剂引起泡涨；曝光时光刻胶容易与氮气反应而抑制交联。   正性光刻胶。树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛，提供光刻胶的粘附性、化学
抗蚀性，当没有溶解抑制剂存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液中；感光剂是光敏化合物
（PAC，Photo Active Compound） ，最常见的是重氮萘醌（DNQ） ，在曝光前，DNQ 是一种强
烈的溶解抑制剂，降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后，DNQ 在光刻胶中化学分解，成为溶
解度增强剂，大幅提高显影液中的溶解度因子至 100 或者更高。这种曝光反应会在 DNQ中产
生羧酸，它在显影液中溶解度很高。正性光刻胶具有很好的对比度，所以生成的图形具有良
好的分辨率。
b、化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist） 。树脂是具有化学基团保护
（t-BOC） 的聚乙烯 （PHS） 。 有保护团的树脂不溶于水； 感光剂是光酸产生剂 （PAG， Photo  Acid Generator） ，光刻胶曝光后，在曝光区的 PAG发生光化学反应会产生一种酸。该酸在曝光后
热烘（PEB，Post Exposure Baking）时，作为化学催化剂将树脂上的保护基团移走，从而
使曝光区域的光刻胶由原来不溶于水转变为高度溶于以水为主要成分的显影液。 化学放大光
刻胶曝光速度非常快，大约是 DNQ 线性酚醛树脂光刻胶的 10 倍；对短波长光源具有很好的
光学敏感性；提供陡直侧墙，具有高的对比度；具有 0.25μm及其以下尺寸的高分辨率。

SW2 发表于 2009-5-15 23:48
对我来说这也不是什么不得了的资料，就开会留下的PPT而已，真正重要的资料是不能拿到网上的

193nm光刻胶的研发困难将会更大。作为商业运作的公司，华飞微电子目前也积极开发一些中低档的光刻胶，用于3-5寸IC、MEMS和封装等，借此拓展市场和增进产品的影响力。冉瑞成呼吁，要加快本土光刻胶生产的步伐，需要政府和业界的共同合作。政府在政策上需要加大扶持力度，组织建立多方参与的检测使用工艺开发平台，让他们的设备和材料在此得到很好的验证和推广机会，在一定程度上解决供应商有先进的产品却苦于无良好的验证机会的窘境。

桃树下的月色 发表于 2009-5-16 00:19
恩 不能拿不能拿:D

193nm光刻胶指的是光刻机使用氟化氩光源，波长是193nm，最后能够达到的工艺线宽是90NM-130NM左右，如果配合浸入式技术，可以到达45NM-65NM的工艺线宽

193nm光刻胶，不错啊

这个俺来顶一下

好呀，我们一点点的进步！

其实这个东西蛮重要的，其意义并不亚于龙芯，SW

很好！！很强大！！！

SW为什么被关小黑屋了？

sw已经被关半个多月了！估计是......了。被....的要求关了

;PA片大大的福音呀。。。

ugg classic cardy

就你這小樣懂個P 863計畫是啥去查清楚來 看到自以為是的毛子落後了 著急了就替主子當暑假黨打手了? 可笑之極... 毛子輸給TG很丟人嗎? 當TG是沒有科學研發喔...連台灣都不敢說每個方面比中國強
毛子就敢了? 毛子是有其優點 但別被當槍使 SB...

啥自主知识产权？忽悠科技部呢！！科华就是北化学试剂研究所的光刻胶部分跟国外合资的呗！！:D
193正胶不就是降冰片稀那类东西吗？发发文章还可以！
毛国大柚子 发表于 2009-9-1 16:27

就你這小樣懂個P 863計畫是啥去查清楚來 看到自以為是的毛子落後了 著急了就替主子當暑假黨打手了? 可笑之極... 毛子輸給TG很丟人嗎? 當TG是沒有科學研發喔...連台灣都不敢說每個方面比中國強
毛子就敢了? 毛子是有其優點 但別被當槍使 SB...

毛国大柚子 发表于 2009-9-1 18:04
吹牛吧 ...誰不知道你虎爛的本領連專業的核聚變老大都批過你了 搞笑

去看看人家專業的powerpoint 看看桃悅mm的文章 小p孩

只用过AZ的正胶

不知道国内有没有在做TFT-LCD CF的负胶的，随着BOE啊，二手Sharp啊的上马，这个负胶也是个商机很大的市场

多谢科普！！

大胆假设毛子什么都没有， 但是得小心求证是不是真实的。

毛子再不济， 自己的4寸，6寸晶圆，IC制造的化学试剂都是自己的。 俺们还从哪里引进过这些技术，

还有最看不起的半导体设备（在2007之前的时候，毛子的光刻机对中国来说还是稀罕物，2007年在合肥弄了出来后，就不稀罕了。中间故事还不知道怎样的）

大胆假设毛子什么都没有， 但是得小心求证是不是真实的。

毛子再不济， 自己的4寸，6寸晶圆，IC制造的化学试剂都是自己的。 俺们还从哪里引进过这些技术，

还有最看不起的半导体设备（在2007之前的时候，毛子的光刻机对中国来说还是稀罕物，2007年在合肥弄了出来后，就不稀罕了。中间故事还不知道怎样的）

毛子再不济， 自己的4寸，6寸晶圆，IC制造的化学试剂都是自己的。 俺们还从哪里引进过这些技术
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当年3～5um全套家伙我们也都有，可又怎么样？！

我们就没自己的6寸线和4，5寸线技术？全套的都有，问题是这有意思么？{:3_82:}

我们就没自己的6寸线和4，5寸线技术？全套的都有，问题是这有意思么？{:3_82:}

还有最看不起的半导体设备（在2007之前的时候，毛子的光刻机对中国来说还是稀罕物，2007年在合肥弄了出来后，就不稀罕了。中间故事还不知道怎样的）

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嗯，合肥那个芯硕其实也不怎么样，有几个牛人，但是体制限制多多，经费人才都跟不上。。。而且也基本上停留在六寸八寸水平，离现在主流的技术还差十好几年

我们就没自己的6寸线和4，5寸线技术？全套的都有，问题是这有意思么
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是啊，桃说得对，现在造IC卡都用八寸了

冬冬冬 发表于 2009-9-2 16:22
合肥的那个真的是个笑话，因为那就是个无掩膜曝光机，不是用在生产线上的，本身就不要指望它的市场前景，国内的光刻设备主要是中电系统，几个光机所和上海的那个电子装备公司

无掩膜直写这几年一直在不声不响地发展，虽然还没到大规模量产的程度，但INTEL, IBM, TSMC都在跟几家主要的公司联合研究中~ 但硕芯。。。属于两边不靠四不象的。。。还是不提了吧。

中电系统的主页，呃，我在办公室一打开就报病毒。。。T_T

中电指的是中电集团这个系统中院所和厂家，没有中电系统这个单位实体，LS的童鞋理解错误了

就是中国电子科技集团，和中航是一样的单位。主要是下属的单位