超级军网中国的半导体工业的发展历程
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/29 22:50:54
微电子，半导体我们算是起了个大早，赶了个晚集吧，我们起步还真是早啊，比日韩台都早。但为什么会出现今天这种局面？值的各位CDer好好想想。
1947年美国贝尔实验室发明了半导体点接触晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。1958年美国Texas Instruments和Fairchild公司各自研制发明了半导体集成电路(IC)之后，IC的发展，从SSI(小规模集成)起步，经过MSI(中规模集成)，发展到LSI(大规模集成)，近十几年来又提高到VLSI(超大规模集成)及ULSI(特大规模集成)时代。
回顾一下我国的IC发展历程，在此向一代又一代投身于半导体的先驱们志以崇高的敬意。
建国早期分立器件发展阶段（1956年—1965年）
1956年，中国提出“向科学进军”，提出要研究发展半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。
1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。
1958年，中国拉制出第一根硅单晶。
1960年中国科学院在北京建立了半导体研究所，同年在河北省石家庄建立了工业性专业化研究所——第十三研究所，即现在的河北半导体研究所。
1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。
1962年，我国研究成功硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。
1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。
1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。
中国IC初试发展阶段（1965年—1980年）
1965年12月，河北半导体研究所召开了半导体产品鉴定会，在国内首先鉴定了一批半导体器件和DTL型集成电路。同年，中国科学院半导体研究所和北京市半导体器件研究所也分别研制出半导体集成电路样品。
1966年底，上海元件五厂召开产品鉴定会，鉴定了TTL型（晶体管——晶体管逻辑）电路。标志着中国已经自主研制成功小规模集成电路。
1968年，国营东光电子厂（878厂）在北京建立。与此同时，上海无线电十九厂（简称上无十九厂）在上海建立，两厂均于1970年建成投产。
1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物一半导体）集成电路。拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，四川电子工业一四二四所、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后，又研制成CMOS电路。
1972年，中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川一四二四研究所研制成功。
1976年11月，中国科学院计算所研制成功1000万次大型电子计算机，所使用的电路为中国科学院109厂（现中科院微电子研究所）研制的ECL（发射极耦合逻辑电路）。
1980年，中国第一条3英寸线在国营东光电子厂（878厂）的净化车间内投入运行。
我国IC集中发展阶段（1981年—1995年）
●“六五”期间（1981年—1985年）
1982年，江苏无锡的江南无线电器材厂（742厂）IC生产线建成验收投产，这是一条从日本东芝公司全面引进彩色和黑白电视机集成电路生产线，不仅拥有封装部，而且有3英寸全新工艺设备的芯片制造线。这是中国第一次从国外引进集成电路技术。
1982年10月，国务院为了加强全国计算机和大规模集成电路的领导，成立了电子计算机和大规模集成电路领导小组，制定了中国IC发展规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。
1985年，第一块64K DRAM在无锡国营742厂试制成功。
●“七五”期间（1986年—1990年）：
1986年中国开始执行第七个五年计划，提出建设南北两个IC基地，南方基地在江苏、上海、浙江长江三角洲地带，北方基地在北京。
1987年，我国第一条双极集成电路生产线在无锡微电子联合公司首次突破设计能力，年产达3003万块双极IC。
1988年，871厂绍兴分厂，改名为华越微电子有限公司。
1988年9月，上无十四厂在技术引进项目，在建设新厂房的基础上建成了我国第一条4英寸线，成立了中外合资公司——上海贝岭微电子制造有限公司。
1989年，在上海元件五厂、上无七厂和上无十九厂联合搞技术引进项目的基础上，组建成中外合资公司——上海飞利浦半导体公司（现在的上海先进半导体制造有限公司）。
1989年8月8日，742厂和永川半导体研究所无锡分所合并成立了中国华晶电子集团公司。
●“八五”期间（1991年—1995年）:
1990年10月，国家计委和机电部在北京联合召开了有关领导和专家参加的座谈会，并向党中央进行了汇报，决定实施九O八工程。
1991年，首都钢铁公司和日本NEC公司成立中外合资公司——首钢NEC电子有限公司。
1992年上海飞利浦公司建成了我国第一条5英寸线。
1993年第一块256K DRAM在中国华晶电子集团公司试制成功。
1994年首钢日电公司建成了我国第一条6英寸线。
1995年10月，电子部和国家外专局在北京联合召开国内外专家座谈会，献计献策，加速我国集成电路产业发展。11月，电子部向国务院做了专题汇报，确定实施九0九工程。
我国IC快速发展阶段（1996年—2005年）
●“九五期间”（1996年-2000年）
1996年，英特尔公司投资在上海建设封测厂。
1997年7月17日，由上海华虹集团与日本NEC公司合资组建的上海华虹NEC电子有限公司组建，总投资为12亿美元，注册资金7亿美元，华虹NEC主要承担“九O九”主体工程超大规模集成电路芯片生产线项目建设。
1998年1月，华晶与上华合作生产MOS圆片合约签定，有效期四年，华晶芯片生产线开始承接上华公司来料加工业务。开始执行100%代工的Foundry模式，从此真正开始了中国大陆的Foundry时代。
1998年1月18日，“九O八”主体工程华晶项目通过对外合同验收，这条从朗讯科技公司引进的0.9微米的生产线已经具备了月投6000片6英寸晶圆的生产能力。
1998年2月28日，我国第一条8英寸硅单晶抛光片生产线建成投产，该项目是在北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心进行的。
1998年6月，上海华虹NEC“九O九”二期工程启动。
1998年6月12日，深圳超大规模集成电路项目一期工程——后工序生产线及设计中心在深圳赛意法微电子有限公司正式投产，其集成电路封装测试的年生产能力由原设计的3.18亿块提高到目前的7.3亿块，并将扩展的10亿块的水平。
1999年2月23日，上海华虹NEC电子有限公司建成试投片，工艺技术档次从计划中的0.5微米提升到了0.35微米，主导产品为64M同步动态存储器(S－DRAM)。该生产线的建成投产标志着我国从此有了自己的深亚微米超大规模集成电路芯片生产线。
2000年4月中芯国际集成电路制造（上海）有限公司成立。
2000年6月24日国务院18号文件《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》公布后，自此众多大型集成电路制造企业纷纷在中国落户。
2000年11月上海宏力半导体制造有限公司在上海浦东开工奠基。
●“十五期间”（2001年-2005年）
2003年6月台积电（上海）有限公司落户上海，并于2005年4月正式投产。
2003年7月和舰科技（苏州）有限公司正式投产。
2003年8月英特尔公司宣布成立英特尔（成都）有限公司，并于2005年12月正式投产。
2004年9月底，中芯国际的中国大陆第一条12英寸线在北京投入生产。它的建成是我国IC制造新的里程碑，与国外技术差距缩短至5年。
●“十一五期间”（2006年-2007年）
2006年10月无锡海力士意法半导体在无锡正式投产。
2007年3月英特尔公司宣布在中国大连建厂。
2007年武汉新芯成立，并开工建设全国第三条12英寸生产线。
2007年12月，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司的12英寸生产线（Fab8）建成投产。
以上均为SEMI搜集和整理
再次向909工程的决策者和老一辈国家领导人的高瞻远瞩表示最崇高的敬意！尽管毁誉参半，但仍然对张汝京先生对中国半导体工业做出的巨大贡献表示感谢！后人自会有一个公正的品价。微电子，半导体我们算是起了个大早，赶了个晚集吧，我们起步还真是早啊，比日韩台都早。但为什么会出现今天这种局面？值的各位CDer好好想想。
1947年美国贝尔实验室发明了半导体点接触晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。1958年美国Texas Instruments和Fairchild公司各自研制发明了半导体集成电路(IC)之后，IC的发展，从SSI(小规模集成)起步，经过MSI(中规模集成)，发展到LSI(大规模集成)，近十几年来又提高到VLSI(超大规模集成)及ULSI(特大规模集成)时代。
回顾一下我国的IC发展历程，在此向一代又一代投身于半导体的先驱们志以崇高的敬意。
建国早期分立器件发展阶段（1956年—1965年）
1956年，中国提出“向科学进军”，提出要研究发展半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。
1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。
1958年，中国拉制出第一根硅单晶。
1960年中国科学院在北京建立了半导体研究所，同年在河北省石家庄建立了工业性专业化研究所——第十三研究所，即现在的河北半导体研究所。
1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。
1962年，我国研究成功硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。
1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。
1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。
中国IC初试发展阶段（1965年—1980年）
1965年12月，河北半导体研究所召开了半导体产品鉴定会，在国内首先鉴定了一批半导体器件和DTL型集成电路。同年，中国科学院半导体研究所和北京市半导体器件研究所也分别研制出半导体集成电路样品。
1966年底，上海元件五厂召开产品鉴定会，鉴定了TTL型（晶体管——晶体管逻辑）电路。标志着中国已经自主研制成功小规模集成电路。
1968年，国营东光电子厂（878厂）在北京建立。与此同时，上海无线电十九厂（简称上无十九厂）在上海建立，两厂均于1970年建成投产。
1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物一半导体）集成电路。拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，四川电子工业一四二四所、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后，又研制成CMOS电路。
1972年，中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川一四二四研究所研制成功。
1976年11月，中国科学院计算所研制成功1000万次大型电子计算机，所使用的电路为中国科学院109厂（现中科院微电子研究所）研制的ECL（发射极耦合逻辑电路）。
1980年，中国第一条3英寸线在国营东光电子厂（878厂）的净化车间内投入运行。
我国IC集中发展阶段（1981年—1995年）
●“六五”期间（1981年—1985年）
1982年，江苏无锡的江南无线电器材厂（742厂）IC生产线建成验收投产，这是一条从日本东芝公司全面引进彩色和黑白电视机集成电路生产线，不仅拥有封装部，而且有3英寸全新工艺设备的芯片制造线。这是中国第一次从国外引进集成电路技术。
1982年10月，国务院为了加强全国计算机和大规模集成电路的领导，成立了电子计算机和大规模集成电路领导小组，制定了中国IC发展规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。
1985年，第一块64K DRAM在无锡国营742厂试制成功。
●“七五”期间（1986年—1990年）：
1986年中国开始执行第七个五年计划，提出建设南北两个IC基地，南方基地在江苏、上海、浙江长江三角洲地带，北方基地在北京。
1987年，我国第一条双极集成电路生产线在无锡微电子联合公司首次突破设计能力，年产达3003万块双极IC。
1988年，871厂绍兴分厂，改名为华越微电子有限公司。
1988年9月，上无十四厂在技术引进项目，在建设新厂房的基础上建成了我国第一条4英寸线，成立了中外合资公司——上海贝岭微电子制造有限公司。
1989年，在上海元件五厂、上无七厂和上无十九厂联合搞技术引进项目的基础上，组建成中外合资公司——上海飞利浦半导体公司（现在的上海先进半导体制造有限公司）。
1989年8月8日，742厂和永川半导体研究所无锡分所合并成立了中国华晶电子集团公司。
●“八五”期间（1991年—1995年）:
1990年10月，国家计委和机电部在北京联合召开了有关领导和专家参加的座谈会，并向党中央进行了汇报，决定实施九O八工程。
1991年，首都钢铁公司和日本NEC公司成立中外合资公司——首钢NEC电子有限公司。
1992年上海飞利浦公司建成了我国第一条5英寸线。
1993年第一块256K DRAM在中国华晶电子集团公司试制成功。
1994年首钢日电公司建成了我国第一条6英寸线。
1995年10月，电子部和国家外专局在北京联合召开国内外专家座谈会，献计献策，加速我国集成电路产业发展。11月，电子部向国务院做了专题汇报，确定实施九0九工程。
我国IC快速发展阶段（1996年—2005年）
●“九五期间”（1996年-2000年）
1996年，英特尔公司投资在上海建设封测厂。
1997年7月17日，由上海华虹集团与日本NEC公司合资组建的上海华虹NEC电子有限公司组建，总投资为12亿美元，注册资金7亿美元，华虹NEC主要承担“九O九”主体工程超大规模集成电路芯片生产线项目建设。
1998年1月，华晶与上华合作生产MOS圆片合约签定，有效期四年，华晶芯片生产线开始承接上华公司来料加工业务。开始执行100%代工的Foundry模式，从此真正开始了中国大陆的Foundry时代。
1998年1月18日，“九O八”主体工程华晶项目通过对外合同验收，这条从朗讯科技公司引进的0.9微米的生产线已经具备了月投6000片6英寸晶圆的生产能力。
1998年2月28日，我国第一条8英寸硅单晶抛光片生产线建成投产，该项目是在北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心进行的。
1998年6月，上海华虹NEC“九O九”二期工程启动。
1998年6月12日，深圳超大规模集成电路项目一期工程——后工序生产线及设计中心在深圳赛意法微电子有限公司正式投产，其集成电路封装测试的年生产能力由原设计的3.18亿块提高到目前的7.3亿块，并将扩展的10亿块的水平。
1999年2月23日，上海华虹NEC电子有限公司建成试投片，工艺技术档次从计划中的0.5微米提升到了0.35微米，主导产品为64M同步动态存储器(S－DRAM)。该生产线的建成投产标志着我国从此有了自己的深亚微米超大规模集成电路芯片生产线。
2000年4月中芯国际集成电路制造（上海）有限公司成立。
2000年6月24日国务院18号文件《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》公布后，自此众多大型集成电路制造企业纷纷在中国落户。
2000年11月上海宏力半导体制造有限公司在上海浦东开工奠基。
●“十五期间”（2001年-2005年）
2003年6月台积电（上海）有限公司落户上海，并于2005年4月正式投产。
2003年7月和舰科技（苏州）有限公司正式投产。
2003年8月英特尔公司宣布成立英特尔（成都）有限公司，并于2005年12月正式投产。
2004年9月底，中芯国际的中国大陆第一条12英寸线在北京投入生产。它的建成是我国IC制造新的里程碑，与国外技术差距缩短至5年。
●“十一五期间”（2006年-2007年）
2006年10月无锡海力士意法半导体在无锡正式投产。
2007年3月英特尔公司宣布在中国大连建厂。
2007年武汉新芯成立，并开工建设全国第三条12英寸生产线。
2007年12月，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司的12英寸生产线（Fab8）建成投产。
以上均为SEMI搜集和整理
再次向909工程的决策者和老一辈国家领导人的高瞻远瞩表示最崇高的敬意！尽管毁誉参半，但仍然对张汝京先生对中国半导体工业做出的巨大贡献表示感谢！后人自会有一个公正的品价。
1947年美国贝尔实验室发明了半导体点接触晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。1958年美国Texas Instruments和Fairchild公司各自研制发明了半导体集成电路(IC)之后，IC的发展，从SSI(小规模集成)起步，经过MSI(中规模集成)，发展到LSI(大规模集成)，近十几年来又提高到VLSI(超大规模集成)及ULSI(特大规模集成)时代。
回顾一下我国的IC发展历程，在此向一代又一代投身于半导体的先驱们志以崇高的敬意。
建国早期分立器件发展阶段（1956年—1965年）
1956年，中国提出“向科学进军”，提出要研究发展半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。
1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。
1958年，中国拉制出第一根硅单晶。
1960年中国科学院在北京建立了半导体研究所，同年在河北省石家庄建立了工业性专业化研究所——第十三研究所，即现在的河北半导体研究所。
1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。
1962年，我国研究成功硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。
1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。
1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。
中国IC初试发展阶段（1965年—1980年）
1965年12月，河北半导体研究所召开了半导体产品鉴定会，在国内首先鉴定了一批半导体器件和DTL型集成电路。同年，中国科学院半导体研究所和北京市半导体器件研究所也分别研制出半导体集成电路样品。
1966年底，上海元件五厂召开产品鉴定会，鉴定了TTL型（晶体管——晶体管逻辑）电路。标志着中国已经自主研制成功小规模集成电路。
1968年，国营东光电子厂（878厂）在北京建立。与此同时，上海无线电十九厂（简称上无十九厂）在上海建立，两厂均于1970年建成投产。
1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物一半导体）集成电路。拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，四川电子工业一四二四所、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后，又研制成CMOS电路。
1972年，中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川一四二四研究所研制成功。
1976年11月，中国科学院计算所研制成功1000万次大型电子计算机，所使用的电路为中国科学院109厂（现中科院微电子研究所）研制的ECL（发射极耦合逻辑电路）。
1980年，中国第一条3英寸线在国营东光电子厂（878厂）的净化车间内投入运行。
我国IC集中发展阶段（1981年—1995年）
●“六五”期间（1981年—1985年）
1982年，江苏无锡的江南无线电器材厂（742厂）IC生产线建成验收投产，这是一条从日本东芝公司全面引进彩色和黑白电视机集成电路生产线，不仅拥有封装部，而且有3英寸全新工艺设备的芯片制造线。这是中国第一次从国外引进集成电路技术。
1982年10月，国务院为了加强全国计算机和大规模集成电路的领导，成立了电子计算机和大规模集成电路领导小组，制定了中国IC发展规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。
1985年，第一块64K DRAM在无锡国营742厂试制成功。
●“七五”期间（1986年—1990年）：
1986年中国开始执行第七个五年计划，提出建设南北两个IC基地，南方基地在江苏、上海、浙江长江三角洲地带，北方基地在北京。
1987年，我国第一条双极集成电路生产线在无锡微电子联合公司首次突破设计能力，年产达3003万块双极IC。
1988年，871厂绍兴分厂，改名为华越微电子有限公司。
1988年9月，上无十四厂在技术引进项目，在建设新厂房的基础上建成了我国第一条4英寸线，成立了中外合资公司——上海贝岭微电子制造有限公司。
1989年，在上海元件五厂、上无七厂和上无十九厂联合搞技术引进项目的基础上，组建成中外合资公司——上海飞利浦半导体公司（现在的上海先进半导体制造有限公司）。
1989年8月8日，742厂和永川半导体研究所无锡分所合并成立了中国华晶电子集团公司。
●“八五”期间（1991年—1995年）:
1990年10月，国家计委和机电部在北京联合召开了有关领导和专家参加的座谈会，并向党中央进行了汇报，决定实施九O八工程。
1991年，首都钢铁公司和日本NEC公司成立中外合资公司——首钢NEC电子有限公司。
1992年上海飞利浦公司建成了我国第一条5英寸线。
1993年第一块256K DRAM在中国华晶电子集团公司试制成功。
1994年首钢日电公司建成了我国第一条6英寸线。
1995年10月，电子部和国家外专局在北京联合召开国内外专家座谈会，献计献策，加速我国集成电路产业发展。11月，电子部向国务院做了专题汇报，确定实施九0九工程。
我国IC快速发展阶段（1996年—2005年）
●“九五期间”（1996年-2000年）
1996年，英特尔公司投资在上海建设封测厂。
1997年7月17日，由上海华虹集团与日本NEC公司合资组建的上海华虹NEC电子有限公司组建，总投资为12亿美元，注册资金7亿美元，华虹NEC主要承担“九O九”主体工程超大规模集成电路芯片生产线项目建设。
1998年1月，华晶与上华合作生产MOS圆片合约签定，有效期四年，华晶芯片生产线开始承接上华公司来料加工业务。开始执行100%代工的Foundry模式，从此真正开始了中国大陆的Foundry时代。
1998年1月18日，“九O八”主体工程华晶项目通过对外合同验收，这条从朗讯科技公司引进的0.9微米的生产线已经具备了月投6000片6英寸晶圆的生产能力。
1998年2月28日，我国第一条8英寸硅单晶抛光片生产线建成投产，该项目是在北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心进行的。
1998年6月，上海华虹NEC“九O九”二期工程启动。
1998年6月12日，深圳超大规模集成电路项目一期工程——后工序生产线及设计中心在深圳赛意法微电子有限公司正式投产，其集成电路封装测试的年生产能力由原设计的3.18亿块提高到目前的7.3亿块，并将扩展的10亿块的水平。
1999年2月23日，上海华虹NEC电子有限公司建成试投片，工艺技术档次从计划中的0.5微米提升到了0.35微米，主导产品为64M同步动态存储器(S－DRAM)。该生产线的建成投产标志着我国从此有了自己的深亚微米超大规模集成电路芯片生产线。
2000年4月中芯国际集成电路制造（上海）有限公司成立。
2000年6月24日国务院18号文件《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》公布后，自此众多大型集成电路制造企业纷纷在中国落户。
2000年11月上海宏力半导体制造有限公司在上海浦东开工奠基。
●“十五期间”（2001年-2005年）
2003年6月台积电（上海）有限公司落户上海，并于2005年4月正式投产。
2003年7月和舰科技（苏州）有限公司正式投产。
2003年8月英特尔公司宣布成立英特尔（成都）有限公司，并于2005年12月正式投产。
2004年9月底，中芯国际的中国大陆第一条12英寸线在北京投入生产。它的建成是我国IC制造新的里程碑，与国外技术差距缩短至5年。
●“十一五期间”（2006年-2007年）
2006年10月无锡海力士意法半导体在无锡正式投产。
2007年3月英特尔公司宣布在中国大连建厂。
2007年武汉新芯成立，并开工建设全国第三条12英寸生产线。
2007年12月，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司的12英寸生产线（Fab8）建成投产。
以上均为SEMI搜集和整理
再次向909工程的决策者和老一辈国家领导人的高瞻远瞩表示最崇高的敬意！尽管毁誉参半，但仍然对张汝京先生对中国半导体工业做出的巨大贡献表示感谢！后人自会有一个公正的品价。微电子，半导体我们算是起了个大早，赶了个晚集吧，我们起步还真是早啊，比日韩台都早。但为什么会出现今天这种局面？值的各位CDer好好想想。
1947年美国贝尔实验室发明了半导体点接触晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。1958年美国Texas Instruments和Fairchild公司各自研制发明了半导体集成电路(IC)之后，IC的发展，从SSI(小规模集成)起步，经过MSI(中规模集成)，发展到LSI(大规模集成)，近十几年来又提高到VLSI(超大规模集成)及ULSI(特大规模集成)时代。
回顾一下我国的IC发展历程，在此向一代又一代投身于半导体的先驱们志以崇高的敬意。
建国早期分立器件发展阶段（1956年—1965年）
1956年，中国提出“向科学进军”，提出要研究发展半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。
1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。
1958年，中国拉制出第一根硅单晶。
1960年中国科学院在北京建立了半导体研究所，同年在河北省石家庄建立了工业性专业化研究所——第十三研究所，即现在的河北半导体研究所。
1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。
1962年，我国研究成功硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。
1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。
1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。
中国IC初试发展阶段（1965年—1980年）
1965年12月，河北半导体研究所召开了半导体产品鉴定会，在国内首先鉴定了一批半导体器件和DTL型集成电路。同年，中国科学院半导体研究所和北京市半导体器件研究所也分别研制出半导体集成电路样品。
1966年底，上海元件五厂召开产品鉴定会，鉴定了TTL型（晶体管——晶体管逻辑）电路。标志着中国已经自主研制成功小规模集成电路。
1968年，国营东光电子厂（878厂）在北京建立。与此同时，上海无线电十九厂（简称上无十九厂）在上海建立，两厂均于1970年建成投产。
1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物一半导体）集成电路。拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，四川电子工业一四二四所、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后，又研制成CMOS电路。
1972年，中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川一四二四研究所研制成功。
1976年11月，中国科学院计算所研制成功1000万次大型电子计算机，所使用的电路为中国科学院109厂（现中科院微电子研究所）研制的ECL（发射极耦合逻辑电路）。
1980年，中国第一条3英寸线在国营东光电子厂（878厂）的净化车间内投入运行。
我国IC集中发展阶段（1981年—1995年）
●“六五”期间（1981年—1985年）
1982年，江苏无锡的江南无线电器材厂（742厂）IC生产线建成验收投产，这是一条从日本东芝公司全面引进彩色和黑白电视机集成电路生产线，不仅拥有封装部，而且有3英寸全新工艺设备的芯片制造线。这是中国第一次从国外引进集成电路技术。
1982年10月，国务院为了加强全国计算机和大规模集成电路的领导，成立了电子计算机和大规模集成电路领导小组，制定了中国IC发展规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。
1985年，第一块64K DRAM在无锡国营742厂试制成功。
●“七五”期间（1986年—1990年）：
1986年中国开始执行第七个五年计划，提出建设南北两个IC基地，南方基地在江苏、上海、浙江长江三角洲地带，北方基地在北京。
1987年，我国第一条双极集成电路生产线在无锡微电子联合公司首次突破设计能力，年产达3003万块双极IC。
1988年，871厂绍兴分厂，改名为华越微电子有限公司。
1988年9月，上无十四厂在技术引进项目，在建设新厂房的基础上建成了我国第一条4英寸线，成立了中外合资公司——上海贝岭微电子制造有限公司。
1989年，在上海元件五厂、上无七厂和上无十九厂联合搞技术引进项目的基础上，组建成中外合资公司——上海飞利浦半导体公司（现在的上海先进半导体制造有限公司）。
1989年8月8日，742厂和永川半导体研究所无锡分所合并成立了中国华晶电子集团公司。
●“八五”期间（1991年—1995年）:
1990年10月，国家计委和机电部在北京联合召开了有关领导和专家参加的座谈会，并向党中央进行了汇报，决定实施九O八工程。
1991年，首都钢铁公司和日本NEC公司成立中外合资公司——首钢NEC电子有限公司。
1992年上海飞利浦公司建成了我国第一条5英寸线。
1993年第一块256K DRAM在中国华晶电子集团公司试制成功。
1994年首钢日电公司建成了我国第一条6英寸线。
1995年10月，电子部和国家外专局在北京联合召开国内外专家座谈会，献计献策，加速我国集成电路产业发展。11月，电子部向国务院做了专题汇报，确定实施九0九工程。
我国IC快速发展阶段（1996年—2005年）
●“九五期间”（1996年-2000年）
1996年，英特尔公司投资在上海建设封测厂。
1997年7月17日，由上海华虹集团与日本NEC公司合资组建的上海华虹NEC电子有限公司组建，总投资为12亿美元，注册资金7亿美元，华虹NEC主要承担“九O九”主体工程超大规模集成电路芯片生产线项目建设。
1998年1月，华晶与上华合作生产MOS圆片合约签定，有效期四年，华晶芯片生产线开始承接上华公司来料加工业务。开始执行100%代工的Foundry模式，从此真正开始了中国大陆的Foundry时代。
1998年1月18日，“九O八”主体工程华晶项目通过对外合同验收，这条从朗讯科技公司引进的0.9微米的生产线已经具备了月投6000片6英寸晶圆的生产能力。
1998年2月28日，我国第一条8英寸硅单晶抛光片生产线建成投产，该项目是在北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心进行的。
1998年6月，上海华虹NEC“九O九”二期工程启动。
1998年6月12日，深圳超大规模集成电路项目一期工程——后工序生产线及设计中心在深圳赛意法微电子有限公司正式投产，其集成电路封装测试的年生产能力由原设计的3.18亿块提高到目前的7.3亿块，并将扩展的10亿块的水平。
1999年2月23日，上海华虹NEC电子有限公司建成试投片，工艺技术档次从计划中的0.5微米提升到了0.35微米，主导产品为64M同步动态存储器(S－DRAM)。该生产线的建成投产标志着我国从此有了自己的深亚微米超大规模集成电路芯片生产线。
2000年4月中芯国际集成电路制造（上海）有限公司成立。
2000年6月24日国务院18号文件《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》公布后，自此众多大型集成电路制造企业纷纷在中国落户。
2000年11月上海宏力半导体制造有限公司在上海浦东开工奠基。
●“十五期间”（2001年-2005年）
2003年6月台积电（上海）有限公司落户上海，并于2005年4月正式投产。
2003年7月和舰科技（苏州）有限公司正式投产。
2003年8月英特尔公司宣布成立英特尔（成都）有限公司，并于2005年12月正式投产。
2004年9月底，中芯国际的中国大陆第一条12英寸线在北京投入生产。它的建成是我国IC制造新的里程碑，与国外技术差距缩短至5年。
●“十一五期间”（2006年-2007年）
2006年10月无锡海力士意法半导体在无锡正式投产。
2007年3月英特尔公司宣布在中国大连建厂。
2007年武汉新芯成立，并开工建设全国第三条12英寸生产线。
2007年12月，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司的12英寸生产线（Fab8）建成投产。
以上均为SEMI搜集和整理
再次向909工程的决策者和老一辈国家领导人的高瞻远瞩表示最崇高的敬意！尽管毁誉参半，但仍然对张汝京先生对中国半导体工业做出的巨大贡献表示感谢！后人自会有一个公正的品价。
我不懂半导体技术发展历史，只是在这里提个疑问，是文革造成的？
再补充几个
2007年6月 成都成芯8寸项目投产
2008年？ 重庆茂德8寸项目投产
2008年？ 中芯国际深圳南方总部，8寸项目和12寸项目开工
2008年？ 和舰与Elpida合资的12寸项目开工
2003年后建的6寸线，全部为引进的二手设备，数量众多，在这里就不一一列出
希望以后CD的小白们就不要老是嚷着中国没有芯片这么无知的话了
2007年6月 成都成芯8寸项目投产
2008年？ 重庆茂德8寸项目投产
2008年？ 中芯国际深圳南方总部，8寸项目和12寸项目开工
2008年？ 和舰与Elpida合资的12寸项目开工
2003年后建的6寸线，全部为引进的二手设备，数量众多，在这里就不一一列出
希望以后CD的小白们就不要老是嚷着中国没有芯片这么无知的话了
原帖由 中国sunyan 于 2008-4-10 01:02 发表
我不懂半导体技术发展历史，只是在这里提个疑问，是文革造成的？
应该不是，文革的时候还是取得了一点成就的，似乎是体制问题
那时到了82年之后就剩两字“引进”，能有好的么？另外起步我们不如日本的，当然比韩国早了好几十年。
完全不懂 非要我说 那就是体制问题
另外我对早年那些成果具体研究到什么阶段还是有些怀疑的
另外我对早年那些成果具体研究到什么阶段还是有些怀疑的
90年代以前一直是面向军工的，90年代后是面向市场的，可能问题就在这里，仅靠军工的定货肯定是不行的
只是试验成功 又没量产:L 这个里面的水分。。。
原帖由 桃华月惮 于 2008-4-10 01:18 发表
90年代以前一直是面向军工的，90年代后是面向市场的，可能问题就在这里，仅靠军工的定货肯定是不行的
那时的口号是所谓的跟踪世界先进技术，也就是想方设法弄到芯片资料，然后反向工程，评审报奖---最后锁起来（反正做出来，也没人买），军工设备规定一定比例的国产IC(反正我参与的项目不敢用，买了放起来--可靠性不是一般的差）。是不是体制问题咱不知道，反正后来类似满牛的华晶等就彻底卖掉了。
深更半夜挖大坑啊。。
1980年，中国第一条3英寸线在国营东光电子厂（878厂）的净化车间内投入运行。
1982年，江苏无锡的江南无线电器材厂（742厂）IC生产线建成验收投产，这是一条从日本东芝公司全面引进彩色和黑白电视机集成电路生产线，不仅拥有封装部，而且有3英寸全新工艺设备的芯片制造线。这是中国第一次从国外引进集成电路技术
区别在这里
:L
1982年，江苏无锡的江南无线电器材厂（742厂）IC生产线建成验收投产，这是一条从日本东芝公司全面引进彩色和黑白电视机集成电路生产线，不仅拥有封装部，而且有3英寸全新工艺设备的芯片制造线。这是中国第一次从国外引进集成电路技术
区别在这里
:L
根本有几条：
1.没有原创工作，基本是跟踪别人。别人的研究成果是以人家的工业水平为基础的，所有的技术思路都是依靠人家的工业平台和能力。我们只跟踪别人的成果，而没有相应的工业能力。因为不是自己创新，不是根据自己的工业实力情况来发展相应的技术，其后果就是只能在实验室跟踪，而无法大规模量产。这里的工业水平不仅仅是技术水平，也包括工业的管理水平。
2.军工需求是基本不在乎成本的，而且量少。几十个芯片里面挑出七八个能用的就行，对成品率没有那么揪心的要求。尤其是制做高速计算机的时候，反正就造一台，挑出足够好的几十个芯片还是能做到的。
3.除了基础之外，体制自然是逃不掉的问题。两弹为什么能成功？因为两弹的研制过程是没有按照中国的体制来搞得，是很另类的一个“小体制”，是一个研制体制中的“特区”。中国的其它研究项目是无法copy两弹体制的，实际上再也没有类似的“两弹”体制了。
1.没有原创工作，基本是跟踪别人。别人的研究成果是以人家的工业水平为基础的，所有的技术思路都是依靠人家的工业平台和能力。我们只跟踪别人的成果，而没有相应的工业能力。因为不是自己创新，不是根据自己的工业实力情况来发展相应的技术，其后果就是只能在实验室跟踪，而无法大规模量产。这里的工业水平不仅仅是技术水平，也包括工业的管理水平。
2.军工需求是基本不在乎成本的，而且量少。几十个芯片里面挑出七八个能用的就行，对成品率没有那么揪心的要求。尤其是制做高速计算机的时候，反正就造一台，挑出足够好的几十个芯片还是能做到的。
3.除了基础之外，体制自然是逃不掉的问题。两弹为什么能成功？因为两弹的研制过程是没有按照中国的体制来搞得，是很另类的一个“小体制”，是一个研制体制中的“特区”。中国的其它研究项目是无法copy两弹体制的，实际上再也没有类似的“两弹”体制了。
就俺接触到的有些情况，俺也来摆摆。不过俺接触面相当狭窄，以下内容也许过于片面，还望大家多包涵~~~~
没有数据表明改革开放后TG仍然在深度研究~~~
而此前的状况，正如yaoyuan7310兄所述，某部订货10只某型号，厂家生产1000只，筛选出100只。某部再次筛选，挑出2、3只，一只上天，剩下的备用。。而已~~~
很多TG的研究所，近年更加实际了。很多的所谓重点装备，实际需求仅有那么几套，研究所集中精力，在没有研究透彻的情况下通过大量试验，“凑出”订单要求的数量来，而根本不去考虑可重复性，可大规模生产的情况。说白了，交出去的根本不能称为真正意义上的产品，而是精心调试出来的验证样机，换几个人，或者换个所，按同样的图纸就可能调不出来。。。基本的工艺流程、工装都不一定有~~~
没有数据表明改革开放后TG仍然在深度研究~~~
而此前的状况，正如yaoyuan7310兄所述，某部订货10只某型号，厂家生产1000只，筛选出100只。某部再次筛选，挑出2、3只，一只上天，剩下的备用。。而已~~~
很多TG的研究所，近年更加实际了。很多的所谓重点装备，实际需求仅有那么几套，研究所集中精力，在没有研究透彻的情况下通过大量试验，“凑出”订单要求的数量来，而根本不去考虑可重复性，可大规模生产的情况。说白了，交出去的根本不能称为真正意义上的产品，而是精心调试出来的验证样机，换几个人，或者换个所，按同样的图纸就可能调不出来。。。基本的工艺流程、工装都不一定有~~~
确实是体制问题，仅靠国家投资怎么行？，仅靠军工订货怎么行？何况我国军费还怎么少。人家建一个厂就几十亿美金， 能研发多少设备工艺？能雇佣多少高级技术人员？没法比
人才不少，不过大多集中在外资和民营企业，国营的和研究所往往皇亲国戚比较多，真正干事的少，所以吸引不到比较优秀的人才。
很多TG的研究所，近年更加实际了。很多的所谓重点装备，实际需求仅有那么几套，研究所集中精力，在没有研究透彻的情况下通过大量试验，“凑出”订单要求的数量来，而根本不去考虑可重复性，可大规模生产的情况。说白了，交出去的根本不能称为真正意义上的产品，而是精心调试出来的验证样机，换几个人，或者换个所，按同样的图纸就可能调不出来。。。基本的工艺流程、工装都不一定有~~~
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而这样做的那些所谓的科学家们不以为耻，反以为荣！
锦旗表彰满天飞。
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而这样做的那些所谓的科学家们不以为耻，反以为荣！
锦旗表彰满天飞。
时时半夜里想起那句话：“有心杀贼，无力回天！”
好歹现在有个中微的HPCVD
對於網友來說 討論現在擁有的比緬懷還重要 桃大可以說說哪裡有量產芯片么?
身份证，IC卡上很多都是华虹的，量产的多了，很多都是代工的，谁看过台积电自己设计的芯片？大陆这里一样的，中芯一月19万片的产能，华虹一月5万片，和舰3万片，大都是国外的单子，瑞芯知道不？就是在中芯的上海厂生产的。
前几年IC设计业很火的，拿出的设计也不少，很多东西能否大规模量产是要经过市场的检验的。瑞芯就是个很好的例子。还有一些DSP以及一些SOC，USB控制器，都不错的
原帖由 桃华月惮 于 2008-4-11 00:08 发表
好歹现在有个中微的HPCVD
对半导体不是很懂,浸润线光刻机对外依赖比较大吧?桃兄认为未来国内企业哪家有可能取得比较大的进展
从小东西做起，才是中国半导体企业发展的王道。那些整天喊着一口吃天的伪学术带头人们应该统统枪毙才对。
麻烦很多，希望很大，毛病成堆，前途光明，道路曲折;funk
其实中国的每件事情，基本情况都可以这样表述:D
其实中国的每件事情，基本情况都可以这样表述:D
原帖由 squallgzy 于 2008-4-11 03:02 发表
对半导体不是很懂,浸润线光刻机对外依赖比较大吧?桃兄认为未来国内企业哪家有可能取得比较大的进展
不是比较大，是完完全全的倚赖，实用的光刻机基本还是一片空白
ArF浸润式光刻机全国目前就一台1400，中芯今年准备买顶级的1900i,
传统的KrF准分子激光的光刻机我们仍然是一片白，落后了不只两三代了。
传统的KrF准分子激光的光刻机我们仍然是一片白，落后了不只两三代了。
一句话，国内的半导体工业从建立至今一直没有形成完整的产业链！
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喔 了解了~~多謝老大解答... 兩岸一起加油吧~~~
桃大可以說說台灣跟大陸的半導體產業的分別么?
還有中微的設備是賣給軍方的嘛?要不然沒訂單...
還有中微的設備是賣給軍方的嘛?要不然沒訂單...
原帖由 foxsoo 于 2008-4-11 12:26 发表
桃华兄这次Semi也去了嘛? 看到HPCVD的机台了?:D
其实还有个ETCH,也是AMEC的,发展得也不错的
NMC也有200mm的ETCH
Hiway System买了Mattson的 Aspen II PECVD...
其实啊,半导体设备的发展更需要反霸权啊
I ...
哈哈，AM这一招太老土了，不过中微的很多人以前就是在AM上班的，这也是事实，要说和AM一点关系也没有，这很难说的过去吧
原帖由 4626145 于 2008-4-11 16:30 发表
桃大可以說說台灣跟大陸的半導體產業的分別么?
還有中微的設備是賣給軍方的嘛?要不然沒訂單...
我说台湾朋友啊，这东西还根军事有关啊？我在前面就说了那么多了，这不都是商业性的吗？你不知道不等于没有，中芯里面的台湾人总是摆出一副高人一等的样子，其实自己又没什么真才实学，还老看不起我们大陆人，幸好我和中芯一点关系也没有。中微的设备是买给中芯和新加坡特许的，和军队有个屁关系！军队不需要自己造芯片！
原帖由 4626145 于 2008-4-11 16:30 发表
桃大可以說說台灣跟大陸的半導體產業的分別么?
還有中微的設備是賣給軍方的嘛?要不然沒訂單...
我说台湾朋友啊，这东西还根军事有关啊？我在前面就说了那么多了，这不都是商业性的吗？你不知道不等于没有，中芯里面的台湾人总是摆出一副高人一等的样子，其实自己又没什么真才实学，还老看不起我们大陆人，幸好我和中芯一点关系也没有。中微的设备是买给中芯和新加坡特许的，和军队有个屁关系！军队不需要自己造芯片！
台灣跟大陸的半導體產業的分別？这一两句讲不清，但台湾的确极大的促进了大陆的半導體產業的发展，台湾自己有很专业的报告和评论www.topology.com.tw
原帖由 桃华月惮 于 2008-4-11 16:58 发表
我说台湾朋友啊，这东西还根军事有关啊？我在前面就说了那么多了，这不都是商业性的吗？你不知道不等于没有，中芯里面的台湾人总是摆出一副高人一等的样子，其实自己又没什么真才实学，还老看不起我们大陆人，幸好 ...
嗯嗯... 了解了~ 我認為有些台灣民眾只是島民心態拉~實際上自己根本沒有什麼可誇耀的
未來某些家電&汽車我可是想要大陸廠商來台灣的 希望台灣關稅能減免 讓我能買到奇瑞或比亞迪的車...
原帖由 桃华月惮 于 2008-4-11 16:49 发表
哈哈，AM这一招太老土了，不过中微的很多人以前就是在AM上班的，这也是事实，要说和AM一点关系也没有，这很难说的过去吧
为了避免IP冲突,Etch用了W-Seal....难啊
半导体产业的IP有些时候实在莫明其妙...
两个Seal之间共面竟然也是某公司专利...:L :L
订单没有...暂时靠风投吧...
AMEC加油!
AMEC加油!
原帖由 桃华月惮 于 2008-4-11 16:58 发表
我说台湾朋友啊，这东西还根军事有关啊？我在前面就说了那么多了，这不都是商业性的吗？你不知道不等于没有，中芯里面的台湾人总是摆出一副高人一等的样子，其实自己又没什么真才实学，还老看不起我们大陆人，幸好 ...
台湾来的人有些是有点误会，我曾经见过宏力半导体的台湾人说吃感冒药也不吃大陆产的...
感觉还是隔阂太大
[:a4:] 俺记得桃华是BKC来着，怎么写起HKC的文章来了？不过业内的人写起东西确实感觉不一样啊！
洛阳还有个740厂，又叫单晶硅厂，就在我家对面，不过早就废了，可现在她那块地却成了宝。