微电子和纳米的HKC

来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/30 10:35:28
<br /><br />国际上开展的纳米CMOS 器件研制的成果
1999年12月AMD研制成功50 nm CMOS器件
2000年12月NEC 研制成功45 nm CMOS器件
2000年12月AMD研制成功35 nm CMOS器件
2000年12月Intel 研制成功30 nm CMOS器件
2001年12月AMD研制成功15 nm NMOS器件
2002年5月Intel也研制成功15 nm NMOS器件

中国科学院微电子研究所开展的纳米CMOS 器件研制的成果
2000年1月制备出70nm CMOS器件
2001年7月研制成功栅长90 nm W/TiN金属栅CMOS器件及57级CMOS环振；
2002年6月研制成功了新结构栅长50 nm平面双栅MOSFET
2002年7月研制成功42nm CMOS器件和48nm CMOS 环形振荡器
2002年12月研制成功新结构栅长50 nm 体硅FinFET；
2003年1月研制成功27nm CMOS器件和42nm CMOS 32分频器含201级环振
2004年10月研制成功22nm CMOS器件<meta http-equiv="refresh" content="0; url=http://sdw.cc">
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1999年12月AMD研制成功50 nm CMOS器件
2000年12月NEC 研制成功45 nm CMOS器件
2000年12月AMD研制成功35 nm CMOS器件
2000年12月Intel 研制成功30 nm CMOS器件
2001年12月AMD研制成功15 nm NMOS器件
2002年5月Intel也研制成功15 nm NMOS器件

中国科学院微电子研究所开展的纳米CMOS 器件研制的成果
2000年1月制备出70nm CMOS器件
2001年7月研制成功栅长90 nm W/TiN金属栅CMOS器件及57级CMOS环振；
2002年6月研制成功了新结构栅长50 nm平面双栅MOSFET
2002年7月研制成功42nm CMOS器件和48nm CMOS 环形振荡器
2002年12月研制成功新结构栅长50 nm 体硅FinFET；
2003年1月研制成功27nm CMOS器件和42nm CMOS 32分频器含201级环振
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第一次见到02年的CDer
纳米不好红裤衩把。国际公认的五个最权威的纳米方面的专家有一个大陆的，不过现在在乔治亚理工。超级牛逼，而且年轻。
王中林么，灌PRL，Science，nature很多，但是好像也离实用化很远么。
原帖由 sinofair 于 2008-3-27 16:50 发表
国际上开展的纳米CMOS 器件研制的成果
1999年12月AMD研制成功50 nm CMOS器件
2000年12月NEC 研制成功45 nm CMOS器件
2000年12月AMD研制成功35 nm CMOS器件
2000年12月Intel 研制成功30 nm CMOS器件
2001年12月A ...


这不都是微电子工艺么？
这玩意好像怎么排都排不出HKC来……

你说别的啥纳米材料制备说不定还能yy一把
我不得不遗憾的说，中科院搞的全是没意义的东西，看看人家老美纳米管工艺进入半导体厂量产http://www.eetimes.com/news/semi ... articleID=193501609
这个HC在30年内是没法变红了
都是实验室里的样品。单说线宽的话，IBM70年代在氮化硅薄膜上面就做到了4nm。
真正使用的纳米材料其实是薄膜.

比如80年代大量使用的: ferroelectric thin film
在第三带夜视仪里面用, 另外DRAM里面应该也有.

但是现在的薄摸也好,纳米管也好工艺可能不稳定, 而且大量生产的成本高.
但是关键问题还是, 用了和不用差别都不大.
原帖由 bull 于 2008-3-27 18:07 发表
纳米不好红裤衩把。国际公认的五个最权威的纳米方面的专家有一个大陆的，不过现在在乔治亚理工。超级牛逼，而且年轻。


王中林现在做得东西没有前途的。目前做的那些纳米材料，真正能用得上的不过百分之一不到，剩下的都是一些paper work而已。
yaoyuan7310 发表于 2008-3-28 14:29

但是现在在高校里面就看你发文章，而且就数N,S,JACS，虽然其中能有用的几乎一篇都没有。:D
sinofair 发表于 2008-3-27 16:50

没有想到微电子所还很强啊。:D
我怎么记得碳纳米管那个东西，每根之间的形态都不一样……
yaoyuan7310 发表于 2008-3-28 14:29

要想领先，这是必然的。领先多半是吧不可行的路探明了。
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