超级军网IBM未来5年投资30亿美元，研发后7nm工艺技术
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/05/04 05:54:59
IBM公司将在未来5年内投资30亿美元，用于研发7nm工艺以后的半导体技术，现有半导体技术——硅技术的研发和硅以外候补技术的研发将同时进行。
IBM表示，在开发中会重视云计算及大数据等最近不断增长的应用领域所必须的内存带宽的扩大、高速通信、终端的低功耗化等。
该公司指出，现在22nm工艺技术已实现实用化，14nm工艺及10nm工艺技术不久也将达到实用化，但“要实现2019年左右所需要的7nm工艺技术，则需要巨额投资和大量的技术革新”。为实现这一点，该公司将同时推进利用硅技术的7nm以后工艺，以及后硅时代的技术开发。
不过，研发的重点是后硅技术。因为IBM认为，“即使实现微细化也不能降低功耗、提高速度、降低成本的情况在2～3代以后就会出现”。对于今后的硅技术研发，其定位是向后硅技术过渡的桥梁。
作为后硅时代的技术候补，IBM列举了（1）碳纳米管（CNT）、（2）石墨烯、（3)III-V族化合物半导体技术、（4）硅光子等。另外，作为新的计算原理，IBM还提到了量子计算机及模拟脑神经细胞的神经突触计算机等。
在（1）CNT方面，IBM已成功提炼出纯度高达99.99％的CNT，还成功制造出了通道长度为10nm的CNT晶体管。最近，还利用栅极长度为50nm的CNT晶体管制造出了2输入CMOS NAND。
在（2）石墨烯方面，IBM于2013年下半年制造出了在4.3GHz频率下工作的无线通信信号接收用前端IC。
IBM还在研发将（3）III-V族化合物半导体与CMOS技术相结合的技术，作为7nm工艺以后技术的有力候补。这种材料还有望实现耗电量只有原来1/100的晶体管构造“TFET（tunnel FET）”。该公司已试制出了源极采用InAs、通道采用硅的TFET。
关于（4）硅光子，IBM表示，“兼容CMOS的硅光子技术已经研发了12年以上，已成功利用该技术制造出了含有波分复用器的收发器IC”。
链接地址china.nikkeibp.com.cn/news/semi/71355-201407111723.htmlIBM公司将在未来5年内投资30亿美元，用于研发7nm工艺以后的半导体技术，现有半导体技术——硅技术的研发和硅以外候补技术的研发将同时进行。
IBM表示，在开发中会重视云计算及大数据等最近不断增长的应用领域所必须的内存带宽的扩大、高速通信、终端的低功耗化等。
该公司指出，现在22nm工艺技术已实现实用化，14nm工艺及10nm工艺技术不久也将达到实用化，但“要实现2019年左右所需要的7nm工艺技术，则需要巨额投资和大量的技术革新”。为实现这一点，该公司将同时推进利用硅技术的7nm以后工艺，以及后硅时代的技术开发。
不过，研发的重点是后硅技术。因为IBM认为，“即使实现微细化也不能降低功耗、提高速度、降低成本的情况在2～3代以后就会出现”。对于今后的硅技术研发，其定位是向后硅技术过渡的桥梁。
作为后硅时代的技术候补，IBM列举了（1）碳纳米管（CNT）、（2）石墨烯、（3)III-V族化合物半导体技术、（4）硅光子等。另外，作为新的计算原理，IBM还提到了量子计算机及模拟脑神经细胞的神经突触计算机等。
在（1）CNT方面，IBM已成功提炼出纯度高达99.99％的CNT，还成功制造出了通道长度为10nm的CNT晶体管。最近，还利用栅极长度为50nm的CNT晶体管制造出了2输入CMOS NAND。
在（2）石墨烯方面，IBM于2013年下半年制造出了在4.3GHz频率下工作的无线通信信号接收用前端IC。
IBM还在研发将（3）III-V族化合物半导体与CMOS技术相结合的技术，作为7nm工艺以后技术的有力候补。这种材料还有望实现耗电量只有原来1/100的晶体管构造“TFET（tunnel FET）”。该公司已试制出了源极采用InAs、通道采用硅的TFET。
关于（4）硅光子，IBM表示，“兼容CMOS的硅光子技术已经研发了12年以上，已成功利用该技术制造出了含有波分复用器的收发器IC”。
链接地址china.nikkeibp.com.cn/news/semi/71355-201407111723.html
IBM表示，在开发中会重视云计算及大数据等最近不断增长的应用领域所必须的内存带宽的扩大、高速通信、终端的低功耗化等。
该公司指出，现在22nm工艺技术已实现实用化，14nm工艺及10nm工艺技术不久也将达到实用化，但“要实现2019年左右所需要的7nm工艺技术，则需要巨额投资和大量的技术革新”。为实现这一点，该公司将同时推进利用硅技术的7nm以后工艺，以及后硅时代的技术开发。
不过，研发的重点是后硅技术。因为IBM认为，“即使实现微细化也不能降低功耗、提高速度、降低成本的情况在2～3代以后就会出现”。对于今后的硅技术研发，其定位是向后硅技术过渡的桥梁。
作为后硅时代的技术候补，IBM列举了（1）碳纳米管（CNT）、（2）石墨烯、（3)III-V族化合物半导体技术、（4）硅光子等。另外，作为新的计算原理，IBM还提到了量子计算机及模拟脑神经细胞的神经突触计算机等。
在（1）CNT方面，IBM已成功提炼出纯度高达99.99％的CNT，还成功制造出了通道长度为10nm的CNT晶体管。最近，还利用栅极长度为50nm的CNT晶体管制造出了2输入CMOS NAND。
在（2）石墨烯方面，IBM于2013年下半年制造出了在4.3GHz频率下工作的无线通信信号接收用前端IC。
IBM还在研发将（3）III-V族化合物半导体与CMOS技术相结合的技术，作为7nm工艺以后技术的有力候补。这种材料还有望实现耗电量只有原来1/100的晶体管构造“TFET（tunnel FET）”。该公司已试制出了源极采用InAs、通道采用硅的TFET。
关于（4）硅光子，IBM表示，“兼容CMOS的硅光子技术已经研发了12年以上，已成功利用该技术制造出了含有波分复用器的收发器IC”。
链接地址china.nikkeibp.com.cn/news/semi/71355-201407111723.htmlIBM公司将在未来5年内投资30亿美元，用于研发7nm工艺以后的半导体技术，现有半导体技术——硅技术的研发和硅以外候补技术的研发将同时进行。
IBM表示，在开发中会重视云计算及大数据等最近不断增长的应用领域所必须的内存带宽的扩大、高速通信、终端的低功耗化等。
该公司指出，现在22nm工艺技术已实现实用化，14nm工艺及10nm工艺技术不久也将达到实用化，但“要实现2019年左右所需要的7nm工艺技术，则需要巨额投资和大量的技术革新”。为实现这一点，该公司将同时推进利用硅技术的7nm以后工艺，以及后硅时代的技术开发。
不过，研发的重点是后硅技术。因为IBM认为，“即使实现微细化也不能降低功耗、提高速度、降低成本的情况在2～3代以后就会出现”。对于今后的硅技术研发，其定位是向后硅技术过渡的桥梁。
作为后硅时代的技术候补，IBM列举了（1）碳纳米管（CNT）、（2）石墨烯、（3)III-V族化合物半导体技术、（4）硅光子等。另外，作为新的计算原理，IBM还提到了量子计算机及模拟脑神经细胞的神经突触计算机等。
在（1）CNT方面，IBM已成功提炼出纯度高达99.99％的CNT，还成功制造出了通道长度为10nm的CNT晶体管。最近，还利用栅极长度为50nm的CNT晶体管制造出了2输入CMOS NAND。
在（2）石墨烯方面，IBM于2013年下半年制造出了在4.3GHz频率下工作的无线通信信号接收用前端IC。
IBM还在研发将（3）III-V族化合物半导体与CMOS技术相结合的技术，作为7nm工艺以后技术的有力候补。这种材料还有望实现耗电量只有原来1/100的晶体管构造“TFET（tunnel FET）”。该公司已试制出了源极采用InAs、通道采用硅的TFET。
关于（4）硅光子，IBM表示，“兼容CMOS的硅光子技术已经研发了12年以上，已成功利用该技术制造出了含有波分复用器的收发器IC”。
链接地址china.nikkeibp.com.cn/news/semi/71355-201407111723.html
不是说11n米是极限吗？
要30亿美元的研发投入……一般厂商真砸不起啊
不是说11n米是极限吗？
换材料了，不是硅
换材料了，不是硅
马利奥 发表于 2015-1-28 11:19
要30亿美元的研发投入……一般厂商真砸不起啊
这个只是材料上面的预研发。真正研发7nm工艺乘10也不够。
要30亿美元的研发投入……一般厂商真砸不起啊
这个只是材料上面的预研发。真正研发7nm工艺乘10也不够。
konming 发表于 2015-1-28 11:48
这个只是材料上面的预研发。真正研发7nm工艺乘10也不够。
300亿刀……
这个只是材料上面的预研发。真正研发7nm工艺乘10也不够。
300亿刀……马利奥 发表于 2015-1-28 11:19
要30亿美元的研发投入……一般厂商真砸不起啊
分5年 一年也就6亿美刀 差不多40亿软妹币 不算多 当然现在这只是基础研究
要30亿美元的研发投入……一般厂商真砸不起啊
分5年 一年也就6亿美刀 差不多40亿软妹币 不算多 当然现在这只是基础研究