台积电16奈米商机 蓄势待发

来源:百度文库 编辑:超级军网 时间:2024/04/30 01:29:16
台积电16奈米商机 蓄势待发

    2013-10-07 01:30    工商时报    记者涂志豪/台北报导

  台积电开放创新平台生态论坛(TSMC OIP Ecosystem Forum)上周在美国圣荷西(San Jose)登场,台积电技术长孙元成会中指出,台积电20奈米已进入生产阶段,超过25个晶片完成设计定案(tape-out)。

 同时,预计2015年进入量产的16奈米已有逾30个晶片设计案到手,明年20奈米产能拉升(ramp up)速度及获得的设计案将优于28奈米。

 此次台积电董事长张忠谋并未参加论坛,是以录影对与会合作伙伴及客户发表演说。张忠谋表示,看到更多的机会,但要争取机会之窗已愈来愈小,未来须面对的产业压力包括更多的投资、更大的複杂度等,需要用专业去解决这些问题。张忠谋期许台积电及合作伙伴彼此之间要更具竞争力,才能在这场战役中去赢得胜利。

 此次论坛已有客户表明将导入台积电20奈米及16奈米,包括甲骨文(Oracle)开发的超级伺服器处理器SPARC M7、赛灵思(Xilinx)新一代可程式逻辑闸阵列(FPGA)、阿尔特拉(Altera)最新传输晶片、以及高通的手机晶片等。当然业界也指出,苹果A7及A8系列64位元ARM架构应用处理器,同样採用台积电20奈米或16奈米投片生产。

 台积电20奈米是首次採用双重曝光(double patterning)微影技术的新製程,设计流程与28奈米大不相同,不同于28奈米世代针对不同的晶片提供4种不同製程,20奈米仅提供1种系统单晶片製程(20SoC),16奈米也只提供1种鳍式场效电晶体(FinFET)製程。

 根据台积电提供资料,20奈米闸极密度是28奈米的1.9倍,在相同功耗下运算速度可增加15%,在相同速度下功耗可降低30%,且展示的112M高密度静态随机存取记忆体(HD SRAM)自然良率(nature yield)已大于75%。

 台积电16奈米研发已经完成,11月将开始进行风险生产,明年底前完成产能建置后,2015年初进入量产阶段。台积电16奈米是首次将电晶体改为3D架构,闸极密度是28奈米的2倍,相较于20奈米製程,在相同功耗下可再提升20%速度,在相同速度及类似的闸极密度下可再减少35%功耗,试投的128M大电流静态随机存取记忆体(HC SRAM)自然良率同样大于75%。


http://money.chinatimes.com/news ... 000039&cid=1211
台湾中国时报台积电16奈米商机 蓄势待发

    2013-10-07 01:30    工商时报    记者涂志豪/台北报导

  台积电开放创新平台生态论坛(TSMC OIP Ecosystem Forum)上周在美国圣荷西(San Jose)登场,台积电技术长孙元成会中指出,台积电20奈米已进入生产阶段,超过25个晶片完成设计定案(tape-out)。

 同时,预计2015年进入量产的16奈米已有逾30个晶片设计案到手,明年20奈米产能拉升(ramp up)速度及获得的设计案将优于28奈米。

 此次台积电董事长张忠谋并未参加论坛,是以录影对与会合作伙伴及客户发表演说。张忠谋表示,看到更多的机会,但要争取机会之窗已愈来愈小,未来须面对的产业压力包括更多的投资、更大的複杂度等,需要用专业去解决这些问题。张忠谋期许台积电及合作伙伴彼此之间要更具竞争力,才能在这场战役中去赢得胜利。

 此次论坛已有客户表明将导入台积电20奈米及16奈米,包括甲骨文(Oracle)开发的超级伺服器处理器SPARC M7、赛灵思(Xilinx)新一代可程式逻辑闸阵列(FPGA)、阿尔特拉(Altera)最新传输晶片、以及高通的手机晶片等。当然业界也指出,苹果A7及A8系列64位元ARM架构应用处理器,同样採用台积电20奈米或16奈米投片生产。

 台积电20奈米是首次採用双重曝光(double patterning)微影技术的新製程,设计流程与28奈米大不相同,不同于28奈米世代针对不同的晶片提供4种不同製程,20奈米仅提供1种系统单晶片製程(20SoC),16奈米也只提供1种鳍式场效电晶体(FinFET)製程。

 根据台积电提供资料,20奈米闸极密度是28奈米的1.9倍,在相同功耗下运算速度可增加15%,在相同速度下功耗可降低30%,且展示的112M高密度静态随机存取记忆体(HD SRAM)自然良率(nature yield)已大于75%。

 台积电16奈米研发已经完成,11月将开始进行风险生产,明年底前完成产能建置后,2015年初进入量产阶段。台积电16奈米是首次将电晶体改为3D架构,闸极密度是28奈米的2倍,相较于20奈米製程,在相同功耗下可再提升20%速度,在相同速度及类似的闸极密度下可再减少35%功耗,试投的128M大电流静态随机存取记忆体(HC SRAM)自然良率同样大于75%。


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台湾中国时报
离制程到头又进了一步...