Nippon Steel碳化硅晶圆生产技术取得突破 4寸晶圆量产在 ...

新日本制铁(Nippon Steel Corp.)的技术开发本部尖端技术研究所成功开发出内部缺陷极少的直径100mm碳化硅（SiC）单晶晶圆。与一般的硅晶圆相比，SiC单晶晶圆有很好的耐热性和耐电压性，预计用于逆变设备、家电用功率模块、汽车用半导体元件等可提高性能降低耗电。
　　据称，该公司新开发出的碳化硅（SiC）晶圆能够承受比普通硅晶圆高10倍的电压，热导率也要高出3倍。此前的SiC单晶晶圆的缺点是，制造过程会出现被称作微管（Micro Pipe）的缺陷部。微管为直径1～3μm左右的中空贯通部，为导电不良的原因之一。一般而言，SiC单晶晶圆采用升华再结晶法制造而成，使SiC粉末在温度高达2400℃的坩埚中升华，升华的气体在籽晶上再结晶。由于是超高温下的工艺，所以控制较难，如果想要制造大直径的结晶，就会碰到微管大量出现这一问题。因此，目前所使用的SiC单晶晶圆的直径停留在2～3英寸（Inch）。
　　新日铁使用计算机模拟，将坩埚的构造、结晶生成时的温度分布、升华气体的移动路线等调整到最佳。由于制造大直径结晶时  
很容易出现的微管大幅减少，实现了微管密度低至1个/cm2以下的“品质极高”（该公司）的SiC单晶晶圆。完全不存在微管缺陷的“无微管区”达到90％以上。
      Nippon Steel表示其在温度控制等方面取得的技术突破使得生产4寸SiC晶圆成为可能，这一尺寸的晶圆已可用于实际的半导体生产线。
      据悉，Nippon Steel将出货样品给半导体制造商，并为这种晶圆的大规模量产做准备。
　　该公司今后的目标是将该晶圆应用在工业设备用逆变器、空调等能源利用效率要求较高的领域。新日本制铁(Nippon Steel Corp.)的技术开发本部尖端技术研究所成功开发出内部缺陷极少的直径100mm碳化硅（SiC）单晶晶圆。与一般的硅晶圆相比，SiC单晶晶圆有很好的耐热性和耐电压性，预计用于逆变设备、家电用功率模块、汽车用半导体元件等可提高性能降低耗电。
　　据称，该公司新开发出的碳化硅（SiC）晶圆能够承受比普通硅晶圆高10倍的电压，热导率也要高出3倍。此前的SiC单晶晶圆的缺点是，制造过程会出现被称作微管（Micro Pipe）的缺陷部。微管为直径1～3μm左右的中空贯通部，为导电不良的原因之一。一般而言，SiC单晶晶圆采用升华再结晶法制造而成，使SiC粉末在温度高达2400℃的坩埚中升华，升华的气体在籽晶上再结晶。由于是超高温下的工艺，所以控制较难，如果想要制造大直径的结晶，就会碰到微管大量出现这一问题。因此，目前所使用的SiC单晶晶圆的直径停留在2～3英寸（Inch）。
　　新日铁使用计算机模拟，将坩埚的构造、结晶生成时的温度分布、升华气体的移动路线等调整到最佳。由于制造大直径结晶时  
很容易出现的微管大幅减少，实现了微管密度低至1个/cm2以下的“品质极高”（该公司）的SiC单晶晶圆。完全不存在微管缺陷的“无微管区”达到90％以上。
      Nippon Steel表示其在温度控制等方面取得的技术突破使得生产4寸SiC晶圆成为可能，这一尺寸的晶圆已可用于实际的半导体生产线。
      据悉，Nippon Steel将出货样品给半导体制造商，并为这种晶圆的大规模量产做准备。
　　该公司今后的目标是将该晶圆应用在工业设备用逆变器、空调等能源利用效率要求较高的领域。