东芝在存储行业要引领15nm之风了

来源:百度文库 编辑:超级军网 时间:2024/05/02 18:09:16


        日本的电子工业之所以有曾经的阳春,终究还是有深层次的原因的。除了我们在国产高端手机里常见的尔必达DRAM和东芝nand,以及日产的中频模块,高级电容器,抑或是JDI或者sharp的屏幕等等诸如此类的元器件,还有别出心裁的创新产品,如最早的消费级日立6TB氦气填充硬盘。现在东芝走寻常路也终于玩出了不寻常之处:最小的手机nand出现了,而且速度没有丝毫牺牲反而有所提高,不知道采用东芝闪存的苹果华为们会不会对这条消息感兴趣。


 尽管UFS 2.0存储才是未来的王道,但eMMC并没有坐以待毙,最新的eMMC 5.0还在手机存储芯片大放余热。

  作为这两种技术的参与者之一,东芝似乎也想帮eMMC一把,近日它就推出了世界体积最小的嵌入式NAND闪存芯片,基于15nm制程、支持最新的eMMC 5.0规范。

  得益于更小的制程工艺,这款闪存芯片封装后比同类产品小26%,而且性能会有一定的提升(读取快8%、写入快20%),更加适用于智能手机、平板、穿戴设备上。



  据悉,现在已有16GB容量的样片出货,而8/32/64/128GB容量的芯片将在随后发售。量产的话,2015年一季度开始铺货。

http://cpu.zol.com.cn/482/4825613.html?via=article

        日本的电子工业之所以有曾经的阳春,终究还是有深层次的原因的。除了我们在国产高端手机里常见的尔必达DRAM和东芝nand,以及日产的中频模块,高级电容器,抑或是JDI或者sharp的屏幕等等诸如此类的元器件,还有别出心裁的创新产品,如最早的消费级日立6TB氦气填充硬盘。现在东芝走寻常路也终于玩出了不寻常之处:最小的手机nand出现了,而且速度没有丝毫牺牲反而有所提高,不知道采用东芝闪存的苹果华为们会不会对这条消息感兴趣。


 尽管UFS 2.0存储才是未来的王道,但eMMC并没有坐以待毙,最新的eMMC 5.0还在手机存储芯片大放余热。

  作为这两种技术的参与者之一,东芝似乎也想帮eMMC一把,近日它就推出了世界体积最小的嵌入式NAND闪存芯片,基于15nm制程、支持最新的eMMC 5.0规范。

  得益于更小的制程工艺,这款闪存芯片封装后比同类产品小26%,而且性能会有一定的提升(读取快8%、写入快20%),更加适用于智能手机、平板、穿戴设备上。



  据悉,现在已有16GB容量的样片出货,而8/32/64/128GB容量的芯片将在随后发售。量产的话,2015年一季度开始铺货。

http://cpu.zol.com.cn/482/4825613.html?via=article
   日本鬼子在半导体加工领域的优势已经完蛋了吧?

caricatore75 发表于 2014-10-6 05:34
日本鬼子在半导体加工领域的优势已经完蛋了吧?


一枝独秀的优势是没了,但还是第一流的,鬼子IC制造主要是IDM厂fab模式,相对于fabless模式,各项资源不集中,造成智力财力物力分散,规模小成本高,市场竞争能力没fabless强,工艺之前是东芝的19nm最有代表性
caricatore75 发表于 2014-10-6 05:34
日本鬼子在半导体加工领域的优势已经完蛋了吧?


一枝独秀的优势是没了,但还是第一流的,鬼子IC制造主要是IDM厂fab模式,相对于fabless模式,各项资源不集中,造成智力财力物力分散,规模小成本高,市场竞争能力没fabless强,工艺之前是东芝的19nm最有代表性
HY和4V的两个亚科目前达到多少了
HY和4V的两个亚科目前达到多少了
42~32nm,明年20nm。落后一代
42~32nm,明年20nm。落后一代
我怎么记得HY一直制程领先呢
JDI的屏幕哪里好呢?
黄屏不就是他吗,非得用它不可吗
JDI的屏幕哪里好呢?
黄屏不就是他吗,非得用它不可吗
我怎么记得HY一直制程领先呢
华亚制程一直落后主流一代,连其母公司美光都没追上,相比另三大就不用说了
风雨江城 发表于 2014-10-6 10:03
华亚制程一直落后主流一代,连其母公司美光都没追上,相比另三大就不用说了
华亚不产nand吧
华亚不产nand吧
不产,它爹没给它技术
我怎么记得HY一直制程领先呢
从他老爸奇梦达开始就木有领先过啊!一直处于技术落后状态
我怎么记得HY一直制程领先呢
他就是由于技术和制程落后才经营困难,投靠镁光的
JDI的屏幕哪里好呢?
黄屏不就是他吗,非得用它不可吗
日本显示公司的屏幕还是不错的,JDI的屏幕也分品的,苹果的部分批次就是JDI,显示灰常细腻,华为等都是在采购上省钱,装配上工艺控制没做好才造成的黄屏
2d flash已经没前途了,未来属于3d flash,三星仍然是一哥
三星怎么看?

风雨之凌 发表于 2014-10-6 18:08
三星怎么看?


三星ssd估计要换成自家的六核主控,继续evo跑分王和掉速王系列,不过三星闪存还是能快速跟进的
风雨之凌 发表于 2014-10-6 18:08
三星怎么看?


三星ssd估计要换成自家的六核主控,继续evo跑分王和掉速王系列,不过三星闪存还是能快速跟进的
日本应该放弃电子产业了,就是白扔钱,
不是说制程越小寿命越短吗?
不是说制程越小寿命越短吗?
说这话的人脑子一定被驴踢过了,Intel,AMD,高通,苹果等的CPU岂不是越来越短命?
说这话的人脑子一定被驴踢过了,Intel,AMD,高通,苹果等的CPU岂不是越来越短命?
flash和logic是不一样的
flash和logic是不一样的

不一样是一定的,但是同一个芯片如果提高制程不会减少寿命是一定的,而且如果芯片架构和主控芯片不变的情况之下制程越好,寿命越好,性能越强。当然如果要跨着slc和mlc以及tlc的叠放方式去讨论寿命就没法说了。

M-caesar 发表于 2014-10-7 01:19
不一样是一定的,但是同一个芯片如果提高制程不会减少寿命是一定的,而且如果芯片架构和主控芯片不变的 ...


存储数据的过程中电荷要通过晶体管的绝缘耗尽层,制程越小耗尽层越薄,存储器寿命越短,这是物理原因决定的,只跟现有存储器存储原理 结构 材料和工艺有关
M-caesar 发表于 2014-10-7 01:19
不一样是一定的,但是同一个芯片如果提高制程不会减少寿命是一定的,而且如果芯片架构和主控芯片不变的 ...


存储数据的过程中电荷要通过晶体管的绝缘耗尽层,制程越小耗尽层越薄,存储器寿命越短,这是物理原因决定的,只跟现有存储器存储原理 结构 材料和工艺有关
不一样是一定的,但是同一个芯片如果提高制程不会减少寿命是一定的,而且如果芯片架构和主控芯片不变的 ...
制程提高,Flash器件更容易挥发,P/E下降,这是物理定律决定的大趋势。

具体到产品的寿命就不一定了,有很多其他措施可以补偿P/E下降的影响。


储存领域的确是这样制程越小,同储存单元的寿命越低,intel过去的520,25NM的MLC是5000PE现在换到20NM的MLC降低倒3000PE了,
不过一般人使用其实3000PE也足够了,

储存领域的确是这样制程越小,同储存单元的寿命越低,intel过去的520,25NM的MLC是5000PE现在换到20NM的MLC降低倒3000PE了,
不过一般人使用其实3000PE也足够了,
说这话的人脑子一定被驴踢过了,Intel,AMD,高通,苹果等的CPU岂不是越来越短命?
完全不同的晶体管
好像三星的65nm3D闪存存储密度可以比上19nm2D闪存
储存领域的确是这样制程越小,同储存单元的寿命越低,intel过去的520,25NM的MLC是5000PE现在换到20NM的MLC ...
1000PE的TLC都够民用了
好像三星的65nm3D闪存存储密度可以比上19nm2D闪存
三星的产品用的是是40nm 3D NAND
3d nand是发展趋势