超级军网基于GaAs光导开关的THz超宽带反隐身雷达研究
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/05/01 14:42:44
THz超宽带电磁波照射隐身目标时,由于其极宽的频谱,使得目标的吸波涂层及外形设计均失去作用,因此是反隐身的有力武器.
基于半绝缘GaAs光导开关的THz源是目前实用性最高最有前途的THz源之一.文中分析了THz超宽带雷达反隐身的原理,基于
半绝缘GaAs的PCSS's获得THz脉冲的方法以及对THz脉冲的发射、接收及信号处理等问题.
作 者： 戴慧莹 李希阳 侯军燕 杨丽娜 DAI Huiying LI Xiyang HOU Junyan YANG Lina
作者单位： 戴慧莹,DAI Huiying(西安空军工程大学理学院,西安,710051;西安理工大学,西安,710048)
李希阳,侯军燕,杨丽娜,LI Xiyang,HOU Junyan,YANG Lina(西安空军工程大学理学院,西安,710051)
THz超宽带电磁波照射隐身目标时,由于其极宽的频谱,使得目标的吸波涂层及外形设计均失去作用,因此是反隐身的有力武器.
基于半绝缘GaAs光导开关的THz源是目前实用性最高最有前途的THz源之一.文中分析了THz超宽带雷达反隐身的原理,基于
半绝缘GaAs的PCSS's获得THz脉冲的方法以及对THz脉冲的发射、接收及信号处理等问题.
作 者： 戴慧莹 李希阳 侯军燕 杨丽娜 DAI Huiying LI Xiyang HOU Junyan YANG Lina
作者单位： 戴慧莹,DAI Huiying(西安空军工程大学理学院,西安,710051;西安理工大学,西安,710048)
李希阳,侯军燕,杨丽娜,LI Xiyang,HOU Junyan,YANG Lina(西安空军工程大学理学院,西安,710051)
太赫兹简介
THz波（太赫兹波）或成为THz射线（太赫兹射线）是从上个世纪80年代中后期，才被正式命名的，在此以前科学家们将统称为远红外射线。太赫兹波是指频率在0.1THz到10THz范围的电磁波，波长大概在0.03到3mm范围，介于微波与红外之间。实际上，早在一百年前，就有科学工作者涉及过这一波段。在1896年和1897年，Rubens和Nichols就涉及到这一波段，红外光谱到达9um（0.009mm）和20um（0.02mm），之后又有到达50um的记载。之后的近百年时间，远红外技术取得了许多成果，并且已经产业化。但是涉及太赫兹波段的研究结果和数据非常少，主要是受到有效太赫兹产生源和灵敏探测器的限制，因此这一波段也被称为THz间隙。随着80年代一系列新技术、新材料的发展，特别是超快技术的发展，使得获得宽带稳定的脉冲THz源成为一种准常规技术，THz技术得以迅速发展，并在实际范围内掀起一股THz研究热潮。2004年，美国政府将THz科技评为“改变未来世界的十大技术”之四，而日本于2005年1月8日更是将THz技术列为“国家支柱十大重点战略目标”之首，举全国之力进行研发。我国政府在2005年11月专门召开了“香山科技会议”，邀请国内多位在THz研究领域有影响的院士专门讨论我国THz事业的发展方向，并制定了我国THz技术的发展规划。另外，美国、欧洲、亚洲、澳大利亚等许多国家和地区政府、机构、企业、大学和研究机构纷纷投入到THz的研发热潮之中。THz研究领域的开拓者之一，美国著名学者张希成博士称：“Next ray，T-Ray ！”。目前国内已经有多家研究机构开展太赫兹领域的相关研究，其中首都师范大学，是入手较早，投入较大的一家，并且在毒品和炸药太赫兹光谱、成像和识别方面，利用太赫兹对非极性航天材料内部缺陷进行无损检测方面做出了许多开拓性的工作，同时由于太赫兹射线在安全检查方面的独特优势，首都师范大学太赫兹实验室正集中力量研发能够用于实景测试的安检原型设备。
THz射线的特点
目前，国际上对太赫兹辐射已达成如下共识，即太赫兹是一种新的、有很多独特优点的辐射源；太赫兹技术是一个非常重要的交叉前沿领域，给技术创新、国民经济发展和国家安全提供了一个非常诱人的机遇。它之所以能够引起人们广泛的关注、有如此之多的应用，首先是因为物质的太赫兹光谱（包括透射谱和反射谱）包含着非常丰富的物理和化学信息，所以研究物质在该波段的光谱对于物质结构的探索具有重要意义；其次是因为太赫兹脉冲光源与传统光源相比具有很多独特的性质。
人们关注THz技术的原因是THz射线普遍存在，是人们认识自然界的有效线索和工具。但是相对于其他波段的电磁波比如红外和微波，对它的认识和应用非常匮乏。其次，THz射线有它自身的特点。1）是THz 脉冲的典型脉宽在皮秒量级，不但可以方便地进行时间分辩的研究，而且通过取样测量技术，能够有效地抑制远红外背景噪声的干扰。目前，脉冲THz 辐射通常只有较低的THz 射线平均功率，但是由于THz 脉冲有很高的峰值功率，并且采用相干探测技术获得的是THz 脉冲的实时功率而不是平均功率，因此有很高的信噪比。目前，在时域光谱系统中的信噪比可达105或更高。2）是THz 脉冲源通常只包含若干个周期的电磁振荡，单个脉冲的频带可以覆盖从GHz 直至几十THz 的范围，许多生物大分子的振动和转动能级，电介质、半导体材料、超导材料、薄膜材料等的声子振动能级落在THz 波段范围。因此THz 时域光谱技术作为探测材料在THz 波段信息的一种有效的手段，非常适合于测量材料吸收光谱，可用于进行定性鉴别的工作。3) THz 光子的能量低，只有几毫电子伏特，因此不容易破坏被检测物质。4) 许多的非金属非极性材料对THz 射线的吸收较小，因此结合相应的技术，使得探测材料内部信息成为可能。例如，陶瓷，硬纸板，塑料制品，泡沫等对THz 电磁辐射是透明的，因此THz 技术可以作为x射线的非电离和相干的互补辐射源，用于机场、车站等地方的安全监测，比如探查隐藏的走私物品包括枪械、爆炸物、和毒品等，以及用于集成电路焊接情况的检测等。极性物质对THz 电磁辐射的吸收比较强，特别是水，THz 光谱技术中应采取各种措施避免水分的影响，不过在THz 成像技术中，可以利用这一特性分辨生物组织的不同状态，比如动物组织中脂肪和肌肉的分布，诊断人体烧伤部位的损伤程度，及植物叶片组织的水分含量分布等。太赫兹成像技术与其他波段的成像技术相比，它所得到的探测图像的分辨率和景深都有明显的增加（超声、红外、X－射线技术也能提高图像分辨率，但是毫米波技术却没有明显的提高）。另外太赫兹技术还有许多独特的特性，如在非均匀的物质中有较少的散射，能够探测和测量水汽含量等等。
太赫兹光谱技术不仅信噪比高，能够迅速地对样品组成的细微变化作出分析和鉴别，而且太赫兹光谱技术是一种非接触测量技术，使它能够对半导体、电介质薄膜及体材料的物理信息进行快速准确的测量。鉴于THz射线的特点，必将给通信、雷达、天文、医学成像、生物化学物品鉴定、材料学、安全检查等领域带来深远的影响，进而改变人们的生产生活。
THz应用
太赫兹的独特性能给通信（宽带通信）、雷达、电子对抗、电磁武器、天文学、医学成像（无标记的基因检查、细胞水平的成像）、无损检测、安全检查（生化物的检查）等领域带来了深远的影响。由于太赫兹的频率很高，所以其空间分辨率也很高；又由于它的脉冲很短（皮秒量级）所以具有很高的时间分辨率。太赫兹成像技术和太赫兹波谱技术由此构成了太赫兹应用的两个主要关键技术。同时，由于太赫兹能量很小，不会对物质产生破坏作用，所以与X射线相比更具有优势。另外，由于生物大分子的振动和转动频率的共振频率均在太赫兹波段，因此太赫兹在粮食选种，优良菌种的选择等农业和食品加工行业有着良好的应用前景。太赫兹的应用仍然在不断的开发研究当中，其广袤的科学前景为世界所公认。
（1）THz时域光谱技术。目前已经开始商业化运作，世界范围内已经有多家企业开始生产商用THz时域光谱仪，主要是美国，欧洲和日本的厂家。THz时域光谱技术的基本原理是利用飞秒脉冲产生并探测时间分辨的THz电场，通过傅立叶变换获得被测物品的光谱信息，由于大分子的振动和转动能级大多在THz波段，而大分子，特别是生物和化学大分子是具有本身物性的物质集团，进而可以通过特征频率对物质结构、物性进行分析和鉴定。一个比较重要的应用可以作为药品质量监管。设想一下制药厂的流水线上安装一台THz时域光谱仪，从药厂出场的每一片药都进行进行光谱测量，并与标准的药物进行光谱对比，合格的将进入下一个环节，否则在流水线上将劣质药片清除掉，避免不同药片或不同批次药片的品质差仪，保证药品的品质。
（2）THz成像技术。跟其他波段的成像技术一样，THz成像技术也是利用THz射线照射被测物，通过物品的透射或反射获得样品的信息，进而成像。THz成像技术可以分为脉冲和连续两种方式。前者具有THz时域光谱技术的特点。同时它可以对物质集团进行功能成像，获得物质内部的折射率分布。例如葵花籽可以和容易获得葵花子的内部信息。图3-4 给出了葵花籽样品的实物照片和相应方法重构的THz 透射图像，能清晰地分辨果壳的轮廓和隐藏在果壳中果仁的形状，这是最希望的。同样，如果样品是人的牙齿，那么牙齿的正常部分与损蛀部分将很容易的区分开，同时不必照射x射线，对人体没有附加伤害。
（3）安全检查，利用安全检查应该说是现阶段最吸引人的THz技术，它的本质原理是THz成像，目前由于目前主要采用连续波THz源，而且又由于它要解决的是目前最受人关注的反恐、缉毒等最让人关注的问题，所以单列出来。目前英国发展的THz安检设备已经进入试用阶段。由于THz射线的穿透性和对金属材料的强反射特性，并且THz的高频率是的成像的分辨率更高，所以可以很容易看到隐藏在衣物、鞋内的刀具、枪械等物品。同时如果结合THz的物质鉴别特性，能够区分你身上是否携带炸药或毒品。首都师范大学THz实验室已经建立了常见的炸药和毒品的数据谱库，可以设想再过几年，可以真正在机场见到真正的THz安检的设备。另外，世界范围内引起社会动荡的自杀式炸弹恐怖袭击，也可以利用THz安检设备进行防范。因为站岗的可以不再是士兵或保安人员，而是THz安检仪，人们不需要靠近可以分子就可以对其进行检查。
（4）THz雷达。实际上也是成像的一种。鉴于大气中水分对THz射线的强吸收作用，所以近距离雷达是THz射线的优势所在。一个非常让人向往的应用是穿墙雷达和探雷雷达，当然也可以用于抗震救灾中遇难者的搜救，目前还处于研发阶段。这是由于墙壁，木材等材料对THz透过，而人体包含大量水分，不透过THz，因此可以透过墙壁侦查到屋内的人员的分布和活动，将反恐怖反绑架起到深远的影响，同理也可以用于废墟下人体的寻找。而探雷雷达是由于地雷一般在地表或地表附近，而干燥的泥土可以透过THz射线，而地雷将会把THz射线反射回来，从而可以发现目标。
（5）天文学：在宇宙中，大量的物质在发出THz电磁波。 炭（C）、水（H2O）、一氧化碳（CO）、氮（N2）、氧（O2）等大量的分子可以在THz频段进行探测。而这些物质在应用THz技术以前一部分根本无法探测而另一部分只能在海拔很高或者月球表面才可以探测到。
（6）通信技术：THz用于通信可以获得10GB/s的无线传输速度，特别是卫星通信，由于在外太空，近似真空的状态下，不用考虑水分的影响，这比当前的超宽带技术快几百至一千多倍。这就使得THz通信可以以极高的带宽进行高保密卫星通信。虽然由于缺乏高效的THz发射天线和源，使其还无法在通信领域商业化，但这必将由新型的发射装置和发射源所解决 。
此外，太赫兹在半导体材料、高温超导材料的性质研究等领域也有广泛的应用。研究该频段不仅将推动理论研究工作的重大发展，而且对固态电子学和电路技术也将提出重大挑战。
目前，笼统的说THz技术的研究主要围绕三大部分内容展开，THz产生源、THz探测和应用研究。目前最大的困难还是没有高功率便携式连续可调的成本较低的THz发射源，另外也没有能够常温下直接探测太赫兹射线的被动式探测器。
THz波（太赫兹波）或成为THz射线（太赫兹射线）是从上个世纪80年代中后期，才被正式命名的，在此以前科学家们将统称为远红外射线。太赫兹波是指频率在0.1THz到10THz范围的电磁波，波长大概在0.03到3mm范围，介于微波与红外之间。实际上，早在一百年前，就有科学工作者涉及过这一波段。在1896年和1897年，Rubens和Nichols就涉及到这一波段，红外光谱到达9um（0.009mm）和20um（0.02mm），之后又有到达50um的记载。之后的近百年时间，远红外技术取得了许多成果，并且已经产业化。但是涉及太赫兹波段的研究结果和数据非常少，主要是受到有效太赫兹产生源和灵敏探测器的限制，因此这一波段也被称为THz间隙。随着80年代一系列新技术、新材料的发展，特别是超快技术的发展，使得获得宽带稳定的脉冲THz源成为一种准常规技术，THz技术得以迅速发展，并在实际范围内掀起一股THz研究热潮。2004年，美国政府将THz科技评为“改变未来世界的十大技术”之四，而日本于2005年1月8日更是将THz技术列为“国家支柱十大重点战略目标”之首，举全国之力进行研发。我国政府在2005年11月专门召开了“香山科技会议”，邀请国内多位在THz研究领域有影响的院士专门讨论我国THz事业的发展方向，并制定了我国THz技术的发展规划。另外，美国、欧洲、亚洲、澳大利亚等许多国家和地区政府、机构、企业、大学和研究机构纷纷投入到THz的研发热潮之中。THz研究领域的开拓者之一，美国著名学者张希成博士称：“Next ray，T-Ray ！”。目前国内已经有多家研究机构开展太赫兹领域的相关研究，其中首都师范大学，是入手较早，投入较大的一家，并且在毒品和炸药太赫兹光谱、成像和识别方面，利用太赫兹对非极性航天材料内部缺陷进行无损检测方面做出了许多开拓性的工作，同时由于太赫兹射线在安全检查方面的独特优势，首都师范大学太赫兹实验室正集中力量研发能够用于实景测试的安检原型设备。
THz射线的特点
目前，国际上对太赫兹辐射已达成如下共识，即太赫兹是一种新的、有很多独特优点的辐射源；太赫兹技术是一个非常重要的交叉前沿领域，给技术创新、国民经济发展和国家安全提供了一个非常诱人的机遇。它之所以能够引起人们广泛的关注、有如此之多的应用，首先是因为物质的太赫兹光谱（包括透射谱和反射谱）包含着非常丰富的物理和化学信息，所以研究物质在该波段的光谱对于物质结构的探索具有重要意义；其次是因为太赫兹脉冲光源与传统光源相比具有很多独特的性质。
人们关注THz技术的原因是THz射线普遍存在，是人们认识自然界的有效线索和工具。但是相对于其他波段的电磁波比如红外和微波，对它的认识和应用非常匮乏。其次，THz射线有它自身的特点。1）是THz 脉冲的典型脉宽在皮秒量级，不但可以方便地进行时间分辩的研究，而且通过取样测量技术，能够有效地抑制远红外背景噪声的干扰。目前，脉冲THz 辐射通常只有较低的THz 射线平均功率，但是由于THz 脉冲有很高的峰值功率，并且采用相干探测技术获得的是THz 脉冲的实时功率而不是平均功率，因此有很高的信噪比。目前，在时域光谱系统中的信噪比可达105或更高。2）是THz 脉冲源通常只包含若干个周期的电磁振荡，单个脉冲的频带可以覆盖从GHz 直至几十THz 的范围，许多生物大分子的振动和转动能级，电介质、半导体材料、超导材料、薄膜材料等的声子振动能级落在THz 波段范围。因此THz 时域光谱技术作为探测材料在THz 波段信息的一种有效的手段，非常适合于测量材料吸收光谱，可用于进行定性鉴别的工作。3) THz 光子的能量低，只有几毫电子伏特，因此不容易破坏被检测物质。4) 许多的非金属非极性材料对THz 射线的吸收较小，因此结合相应的技术，使得探测材料内部信息成为可能。例如，陶瓷，硬纸板，塑料制品，泡沫等对THz 电磁辐射是透明的，因此THz 技术可以作为x射线的非电离和相干的互补辐射源，用于机场、车站等地方的安全监测，比如探查隐藏的走私物品包括枪械、爆炸物、和毒品等，以及用于集成电路焊接情况的检测等。极性物质对THz 电磁辐射的吸收比较强，特别是水，THz 光谱技术中应采取各种措施避免水分的影响，不过在THz 成像技术中，可以利用这一特性分辨生物组织的不同状态，比如动物组织中脂肪和肌肉的分布，诊断人体烧伤部位的损伤程度，及植物叶片组织的水分含量分布等。太赫兹成像技术与其他波段的成像技术相比，它所得到的探测图像的分辨率和景深都有明显的增加（超声、红外、X－射线技术也能提高图像分辨率，但是毫米波技术却没有明显的提高）。另外太赫兹技术还有许多独特的特性，如在非均匀的物质中有较少的散射，能够探测和测量水汽含量等等。
太赫兹光谱技术不仅信噪比高，能够迅速地对样品组成的细微变化作出分析和鉴别，而且太赫兹光谱技术是一种非接触测量技术，使它能够对半导体、电介质薄膜及体材料的物理信息进行快速准确的测量。鉴于THz射线的特点，必将给通信、雷达、天文、医学成像、生物化学物品鉴定、材料学、安全检查等领域带来深远的影响，进而改变人们的生产生活。
THz应用
太赫兹的独特性能给通信（宽带通信）、雷达、电子对抗、电磁武器、天文学、医学成像（无标记的基因检查、细胞水平的成像）、无损检测、安全检查（生化物的检查）等领域带来了深远的影响。由于太赫兹的频率很高，所以其空间分辨率也很高；又由于它的脉冲很短（皮秒量级）所以具有很高的时间分辨率。太赫兹成像技术和太赫兹波谱技术由此构成了太赫兹应用的两个主要关键技术。同时，由于太赫兹能量很小，不会对物质产生破坏作用，所以与X射线相比更具有优势。另外，由于生物大分子的振动和转动频率的共振频率均在太赫兹波段，因此太赫兹在粮食选种，优良菌种的选择等农业和食品加工行业有着良好的应用前景。太赫兹的应用仍然在不断的开发研究当中，其广袤的科学前景为世界所公认。
（1）THz时域光谱技术。目前已经开始商业化运作，世界范围内已经有多家企业开始生产商用THz时域光谱仪，主要是美国，欧洲和日本的厂家。THz时域光谱技术的基本原理是利用飞秒脉冲产生并探测时间分辨的THz电场，通过傅立叶变换获得被测物品的光谱信息，由于大分子的振动和转动能级大多在THz波段，而大分子，特别是生物和化学大分子是具有本身物性的物质集团，进而可以通过特征频率对物质结构、物性进行分析和鉴定。一个比较重要的应用可以作为药品质量监管。设想一下制药厂的流水线上安装一台THz时域光谱仪，从药厂出场的每一片药都进行进行光谱测量，并与标准的药物进行光谱对比，合格的将进入下一个环节，否则在流水线上将劣质药片清除掉，避免不同药片或不同批次药片的品质差仪，保证药品的品质。
（2）THz成像技术。跟其他波段的成像技术一样，THz成像技术也是利用THz射线照射被测物，通过物品的透射或反射获得样品的信息，进而成像。THz成像技术可以分为脉冲和连续两种方式。前者具有THz时域光谱技术的特点。同时它可以对物质集团进行功能成像，获得物质内部的折射率分布。例如葵花籽可以和容易获得葵花子的内部信息。图3-4 给出了葵花籽样品的实物照片和相应方法重构的THz 透射图像，能清晰地分辨果壳的轮廓和隐藏在果壳中果仁的形状，这是最希望的。同样，如果样品是人的牙齿，那么牙齿的正常部分与损蛀部分将很容易的区分开，同时不必照射x射线，对人体没有附加伤害。
（3）安全检查，利用安全检查应该说是现阶段最吸引人的THz技术，它的本质原理是THz成像，目前由于目前主要采用连续波THz源，而且又由于它要解决的是目前最受人关注的反恐、缉毒等最让人关注的问题，所以单列出来。目前英国发展的THz安检设备已经进入试用阶段。由于THz射线的穿透性和对金属材料的强反射特性，并且THz的高频率是的成像的分辨率更高，所以可以很容易看到隐藏在衣物、鞋内的刀具、枪械等物品。同时如果结合THz的物质鉴别特性，能够区分你身上是否携带炸药或毒品。首都师范大学THz实验室已经建立了常见的炸药和毒品的数据谱库，可以设想再过几年，可以真正在机场见到真正的THz安检的设备。另外，世界范围内引起社会动荡的自杀式炸弹恐怖袭击，也可以利用THz安检设备进行防范。因为站岗的可以不再是士兵或保安人员，而是THz安检仪，人们不需要靠近可以分子就可以对其进行检查。
（4）THz雷达。实际上也是成像的一种。鉴于大气中水分对THz射线的强吸收作用，所以近距离雷达是THz射线的优势所在。一个非常让人向往的应用是穿墙雷达和探雷雷达，当然也可以用于抗震救灾中遇难者的搜救，目前还处于研发阶段。这是由于墙壁，木材等材料对THz透过，而人体包含大量水分，不透过THz，因此可以透过墙壁侦查到屋内的人员的分布和活动，将反恐怖反绑架起到深远的影响，同理也可以用于废墟下人体的寻找。而探雷雷达是由于地雷一般在地表或地表附近，而干燥的泥土可以透过THz射线，而地雷将会把THz射线反射回来，从而可以发现目标。
（5）天文学：在宇宙中，大量的物质在发出THz电磁波。 炭（C）、水（H2O）、一氧化碳（CO）、氮（N2）、氧（O2）等大量的分子可以在THz频段进行探测。而这些物质在应用THz技术以前一部分根本无法探测而另一部分只能在海拔很高或者月球表面才可以探测到。
（6）通信技术：THz用于通信可以获得10GB/s的无线传输速度，特别是卫星通信，由于在外太空，近似真空的状态下，不用考虑水分的影响，这比当前的超宽带技术快几百至一千多倍。这就使得THz通信可以以极高的带宽进行高保密卫星通信。虽然由于缺乏高效的THz发射天线和源，使其还无法在通信领域商业化，但这必将由新型的发射装置和发射源所解决 。
此外，太赫兹在半导体材料、高温超导材料的性质研究等领域也有广泛的应用。研究该频段不仅将推动理论研究工作的重大发展，而且对固态电子学和电路技术也将提出重大挑战。
目前，笼统的说THz技术的研究主要围绕三大部分内容展开，THz产生源、THz探测和应用研究。目前最大的困难还是没有高功率便携式连续可调的成本较低的THz发射源，另外也没有能够常温下直接探测太赫兹射线的被动式探测器。
哈哈 垃圾文章 , 用来骗职称的 不能信见的太多了
太赫兹科学技术的新发展
2006-04-25 13:57:37
一、前言
THz波是指频率在（0.1－1 0）THz（波长为3000—30微米）范围内的电磁波，1THz=1012Hz。由图1可见，它在长波段与毫米波（亚毫米波）相重合，而在短波段，与红外线相重合下，可见，太赫兹波在电磁波频谱中占有很特殊的位置。由于多种科学技术原因，特别是THz波源的问题未能很好解决，太赫兹波科学技术的发展受到很大的限制，从而使其应用潜能未能发挥出来，如Fi g.2所示。
如Fig.1所示，人们提出THz空白（THz Gap）的概念。其实THz Gap可以有以下几方面的意义：
1．THz所处的位置正好处于科学技术发展相对较好的微波毫米波与红外线光学之间，形成一个相对落后的“空白”。
2．THz的长波方向，主要依靠电子学（Electronics）科学技术，而THz的短波长方向则主要是光子学(Photonics)科学技术，从而在电子学与光子学之间形成一个Gap。这点具有深刻的物理含义，将在THz源一节中详细讨论。
图2（a）表示半导体器件和激光器件（主要是量子级联激光）的工作频率范围。可以看到，所有的半导体器件目前都难以达到THz波段，而量子级联激光的工作频率可以从光波向THz延伸下来。红线表示2002年以后的发展状况。
图2（b）则表示真空电子学THz源的发展状况。可以看到：某些真空电子器件的工作频率已经从微波毫米波波段逐步向THz推进，而FEL的频率则不受限制，可以工作在整个THz波段。要指出的是，真空电子学THz源的迅速发展，也是近几年发生的。
由于THz所处的特殊电磁波谱的位置，它有很多优越的特性，有非常重要的学术和应用价值（有的已处于实用），使得全世界各国都给予极大的关注。美国、欧州和日本尤为重视。
1）在美国包括常青藤大学在内有数十所大学都在从事THz的研究工作，特别是美国重要的国家实验室，如
LLNL，LBNL，SLAC，JPL，BNL，NRL，ALS，ORNL等都在开展THz科学技术的研究工作。美国国家基金会(NSF)、国家航天局(NASA)、能源部(DOE)和国家卫生学会(NIH)等从90年代中期开始对THz科技研究进行大规模的投入。
2）英国的Rutherford国家实验室，剑桥大学、里兹大学、Strathclyde等十几所大学，德国的KFZ，BESSY，Karlsruhe，Cohn，Hamburg及若干所大学，都积极开展THz研究工作。欧洲国家还利用欧盟的资金组织了跨国家的多学科参加的大型合作研究项目。在俄国国家科学院专门设立了一个THz研究计划，IAP，IGP及一些大学也都在积极开展THz研究工作。
3）在亚洲国家和区域，韩国国立汉城大学、浦项科技大学、国立新加坡大学、台湾大学、台湾清华大学等都积极开展THz研究工作，并发表了不少有份量的论文。
4）日本于2005年1月8日，公布了日本国十年科技战略规划，提出十项重大关键技术，将THz列为首位。东京大学、京都大学、大阪大学、东北大学、福井大学以及SLLSC，NTT Advanced Technology Corporation，etc．等公司都大力开展THz的研究与开发工作。
可见，目前已经在全世界范围内形成了一个THz技术研究高潮。
本次香山会议的目的是尽可能集中我国的科学技术智慧，研究和讨论THz科学技术及其应用的发展现状和前景，研究和讨论并提出对我国THz科学技术及其应用发展的战略思考和研究工作的意见和建议，供政府领导参考。因此，本次会议意义重大。
经过慎重研究，本次香山科学会上的报告是这样安排的：安排了一个主题报告《THz科学技术的新发展》。在THz科学技术及应用中辐射源和检测技术是两个主要问题。对这两个方面安排了四个专题报告。成像和光谱技术对于THz辐射的应用来讲是很关键的，安排了两个专题报告。真空电子学对THz辐射源可能有很重要的贡献，安排了一个专题报告。光子晶体在THz波功能器件方面占有重要地位，安排了一个专题报告，会议还安排了THz科学技术在天文学方面的应用的专题报告。本来很想安排一个有关THz科学技术在生物医学方面应用的专题报告，但因一时无法找到合适的报告专家而未能实现。但是，与会专家也可临时在会上就某一问题作简短报告。
在这次香山科学会上，专题报告的安排如下：
专题报告1 《基于光学及光子学的THz辐射源》姚建铨
专题报告2 《THz波段的光谱分析和探测》汪力
专题报告3 《太赫兹波的应用》张存林
专题报告4 《太赫兹量子级联激光器及其他重要的半导体源》曹俊诚
专题报告5 《太赫兹波段信号的检测》吴培亨
专题报告6 《太赫兹在天文科学中的应用》史生才
专题报告7 《在激光等离子体中产生的超强太赫兹辐射》盛政明
专题报告8 《真空电子学对太赫兹源的可能贡献，大功率太赫兹辐射源》刘盛纲
二、太赫兹辐射的主要特征
（1）量子能量和黑体温度很低
Wave number Wavelength Frequency Energy Blackbody Temp.
1cm-1 10mm 30GHz 120μeV 1.5K
10cm-1 1mm 300GHz 1.2meV 15K
33cm-1 300μm 1THz 4.1meV 48K
100cm-1 100μm 3THz 12meV 140K
200cm-1 50μm 6THz 25meV 290K
670cm-1 15μm 20THz 83meV 960K
（2）许多生物大分子，如有机分子的振动和旋转频率都在THz波段，所以在THz波段表现出很强的吸收和谐振。
（3）THz辐射能以很小的衰减穿透物质如陶瓷、脂肪、碳板、布料、塑料等，因此可用其探测低浓度极化气体，适用于控制污染。THz辐射可无损穿透墙壁、布料，使得其能在某些特殊领域发挥作用。
（4）THz的时域频谱信噪比很高，这使得THz非常适用于成像应用
（5）带宽很宽（0.1—10T）Hz。
（6）很短的THz脉冲却有着非常宽的带宽和不同寻常的特点。
三、太赫兹的重要战略意义
——重大科技项目，国家重大目标
经过近十几年来的研究，国际科技界公认，THz科学技术是一个非常重要的交叉前沿领域。由于THz的频率很高（波长比微波小1000陪以上），所以其空间分辨率很高。又由于脉冲很短（飞秒），THz辐射具有很高的时间分辨率。THz成像技术及THz波谱技术就构成了THz应用的两个主要关键技术。另一方面，THz的能量很小，不会对物质产生破坏作用，所以与X射线相比，它又有很大的优势。
Yale大学 C．A．Schmutenmaer教授在今年IRMMW—THz国际会议上做大会特邀报告，题目为“Learning Chemistry and Physics to Terahertz（利用THz重新学习化学和物理学)”。可见，国际科技界对THz的重视。
国际科技界对THz辐射有以下几点认识：
l、THz辐射是一种新的、有很多独特优点的辐射源。
2、THz技术为科学技术的创新、国民经济发展和国家安全等方面提供了一个非常诱人的机遇。
因此，积极开展THz科学技术的研究工作对我国具有重要的战略意义。
A．科学研究的新的强有力的新方法
（1）THz成像和THz波谱学在物理学、化学、生物医学、天文学、材料科学和环境科学等方面有着极其重要的应用。
（2）THz波不仅可以成像而且可以作为一种特殊而有效的探针，对物质内部进行深入研究，提供关于物质的化学及生物成分、波谱特性、THz标记、量子互作用过程等重要信息。
例如：利用THz很高的时域分辨率研究CdSe光导量子过渡现象，研究Ti02纳米晶格中载流子的输运过程，以及研究调控原子／分子的无辐射量子跃迁等方面均取得了重要的新成果。THz量子光学及量子计算机应用及强磁场下半导体的THz辐射等方面都作出了很突出的成就。
利用强功率THz辐射可激发起物质内部原子及分子的非线性动力学过程，从而利用大功率超短脉冲THz可以在分子水平上研究物质的非线性特性。
（3）THz在等离子体检测方面也有重要的优势。利用THz辐射可以探测出高温、高密度等离子体中密度的空间分布。THz在天文学研究上的应用显得很突出，科学家们在南极建立了一个移动天文站，利用THz望远镜观察到很多重要的新星体，对于研究宇宙的起源和星体的形成有重要的意义(值得一提的是我国在2005年初，也在南极建立了一个研究站)。
因此，国际科技界认为，THz辐射可能引发科学技术的革命性发展
B．THz技术对国民经济发展将起着重要的推动作用
（1）THz在生物医学上的应用具有很大的吸引力。在皮肤癌的诊断和治疗，DNA的探测，THz的医学应用，THz断层成像，THz生物化学应用，药物的分析和检测等方面都显示了其强大的功能和成效。
基于对蛋白质及基因特性等的研究，可建立起THz生物分子诊断技术。
从而极大推动分子生物学的发展，并在医疗及药品的研制鉴定方面有很大的应用前景。
（2）由于生物大分子的振动和转动频率均在THz波段，而THz辐射技术又可提取DNA的重要信息，因此，THz在植物，特别是粮食选种，优良菌种的选择等方面可以起重要的作用。总之太赫兹科学技术对农业、食品加工等行业有重要意义。
THz在生物医学上有广泛的应用前景，下图表示在THz对皮肤癌的诊断和应用。
（3）THz辐射可以穿透烟雾，又可检测出有毒或有害分子，所以在环境监测和保护方面可以发挥重要作用。据报道，THz环境监控设备（利用CO2激光作为泵源产生的2.5THz)已安装在美国卫星上。
C．THz在国家安全、反恐方面的应用有着独特的优势
（1）利用THz可以穿透物质的特性，英国首先研制了THz摄像机并且已在机场安全检查方面进行试用，效果很好。特别重要的是美国橡树岭国家实验室（ORNL）和田纳西大学合作，开展“穿墙计划（Through wall Program）”，利用THz成像技术从外部获得墙内信息。显然，这项穿墙技术在国家安全方面有很重要的价值
此外，利用THz波谱可以快速、有效的检查和识别毒品，美国已开展用THz谱技术检查邮件等项目，包括THz化学和生物制品的检测。
（2）THz在雷达和通信等方面的应用也有很大的潜力。THz在太空通信方面的巨大优势是没有疑问的。THz的大气窗口也已研究过(图6所示)。THz雷达在反隐身方面有特殊的功能。下面的报告中会谈到大功率THz辐射源的问题，这方面的研究工作是为THz雷达等做准备的。THz卫星太空成像和通信技术可能是今后大国关注的重要领域。
（3）THz应用于航天飞机可能故障的探测
哥伦比亚号航天飞机失事之后不久，根据航天飞机发射时拍摄的录像资料，提出了对失事原因的分析。美国一个实验室已进行了实验。所采用的THz脉冲中心频率为lTHz，频带宽度为3THz。经过多次实验，尤其是最近的对PAL～Ramp SOFI绝热泡沫层的成功探测，充分证明THz脉冲的确可以对航天飞机进行有效的无损探伤。我国太空发展计划肯定会需要这样的技术。
D、THz科学技术是新一代IT产业的基础
（1）科学家们预计，一旦THz辐射源、THz检测技术等发展以后，THz可以在现代IT科学技术和工业领域有极强的竞争力。下面将要说明这种竞争实际上已经开始。
（2）随着THz科学技术的发展，很多高科技公司相继诞生，例如：英国Rultherford国家实验室(Rutherford Appleton Lab（RAL）)及欧洲航天局(ESA)于2002年起，执行Star Ti ger 计划成功后，建立了一个公司ThruVision公司，专门从事有关THz成像的商品化工作，开发出被动式THz成像仪，有以下特点：
a．被动式不需要THz源；b．可实时成像。英国剑桥大学孵化出(Spinoff)一个高科技公司一TeraView Ltd．从事THz摄像机的开发；
（3）美国Michigen大学及Stanford大学孵化出Picometrix；Physicalscience Inc．；Calabazas Creek Res．Inc．等公司。基地设在加州的Picometrix公司的任务是“将THz科学技术交给政府及大学实验室手中，以便他们用于各项研究工作”。
（4）日本也有很多公司，它们已经在从事包括高功率THz源在内的有关THz科学技术的研究、开发及成果的商业化等工作。可见，以THz科学技术为基础的新一代IT产业已开始逐步形成。
E．研究THz技术本身就是一门重要的学科
如各种THz辐射的产生机制、超短脉冲THz的传播和传输、THz与物质的相互作用等。
下面给出几幅THz成像及THz波谱的结构框图。其中，有一幅是JPL研制的150微米的THz成像框图。由这些框图可以看到THz成像和THz波谱的发展和应用。
同时也可以看到为了建立THz成像和THz波谱需要研究哪些THz器件和元件，如：THz源，THz检测，混频，THz传输、谐振等，以构成一个完整的THz成像和THz波谱系统。从下节起，我们将讨论这些器件和元件。
四、太赫兹辐射源
有很多方法都可以产生THz辐射。
（1）
半导体THz源（包括THz量子级联激光器等）。
（2）
基于光子学的THz发生器。
（3）
利用自由电子的THz辐射源（包括THz真空器件，电子回旋脉塞和自由电子激光）。
（4）
基于高能加速器的THz辐射源
不同的用途对THz源可能提出不同的要求。有点要求输出功率较大，有的要求有较合适的频率。
2002年在Nature上发表了两篇THz源的重要文章。这两篇文章对THz源的发展起到了很大的推动作用。
（1）“Terahertz
semiconductor
heterostructure
laser”，Nature417，156－159，2002．By Italian and UK Scientists，Radiomen Kiblen etc，It is considered as a breakthrough in the Quantum cascade lasers．
（2）“High
power
Terahertz
Radiation
From
RelativisticElectronics”，Nature 420，153—156，2002，这篇文章被Nature编辑部确定为“研究亮点(Research highlights)”．这项工作是由以下三个美国国家实验室：Lawrence Livermoe，Brookhaven and Jeffersan NationalLabs完成的。
两篇文章中一篇是有关量子级联激光的突破，这是一种非常重要的半导体THz辐射源。另一篇是基于自由电子的有关高功率THz辐射的，结合了光子学和电子学技术。
1、半导体太赫兹源
固态THz源具有小巧、价格低廉和频率可调的特点，是人们希望的一种THz源。但半导体器件的工作频率难于达到1THz以上，而半导体THz激光器，特别是THz量子级联激光器是目前的发展重点之一。第一篇关于量子级联激光的文章有Melvin Lax等发表于1960年，其后于1994年起，Bell实验室的J．Faist做了很多有益的工作（Science，264，22，1994)。在俄国这方面的工作也做了不少(Kazarinov，Sov．Phys．Semi．5，207，1971)，但实验长期没有突破。朗讯曾把QCL作为一个研发重点，但没有结果。直至2002年由英国和意大利科学家获得突破（Nature 417，156－159，2002）。
量子级联激光器(QCL)是以异结构半导体（GaAs／AIGaAs）的导带中的次能级间的跃迁为基础的一种激光器。利用纵向光学声子的谐振产生粒子数反转。
2002年的结果是频率4.4THz，温度50K，脉冲功率20mW。
此后，很多国家都积极开展QCL的研究工作，采用了不同的材料。
到2004年，美国MIT最新的结果是：2.1 THz，CW功率lmW(温度93K)，脉冲功率为20mW（温度137K）。
到2005年，MIT
QCL已经用于THz成像，可见THz技术发展的速度比我们想像的要快得多。
在我国，中国电子集团南京55所，渡越雪崩二极管可以做到0.1THz。中国科学院上海微系统研究所和中国科学院半导体研究所，已开展QCL的研究工作并已作出一定的成果。
半导体THz辐射源已安排了一个专题报告进行详细论述。
2、基于光子学的太赫兹辐射源
飞秒激光脉冲的发展给THz源带来了很大的机遇。已经发展了很多基于飞秒激光脉冲和非线性光学晶体的THz激光源。
如THz光导天线、光整流、非线性差频、THz参量振荡器和放大器（TPG，TPO，TPA）和光学Cherenkov辐射等等。
这种方法产生的THz辐射，可以是脉冲的，也可以是连续波的。
下图表示光脉冲通过非线性光学晶体产生THz辐射的典型情况。差频发生器（DEG），是一个三波混频非线性过程。
这方面的研究工作，我国天津大学等单位，也已开展了研究工作，并作出了一定的成果。详细内容将在专题报告中给出。
3、基于真空电子学的太赫兹源
近儿年来，随着THz科学技术的迅速发展，利用真空电子学产生THz辐射的研究工作取得了很大的进步，其中包括真空电子器件、电子回旋脉塞、自由电子激光、Cherenkov辐射，甚至使用储存环加速器来产生高亮度THz辐射。
某些真空电子器件如返波管（BWO）、扩展互作用振荡器（E1O）、绕射辐射器件(Orotron)等的工作频率己接近或达到1THz。
回旋管可望在1THz产生千瓦级的脉冲输出，平均功率可达几十瓦以上。
特别是由CIT的JPL实验室等研究的“纳米速调管”可望在1—3THz频率上工作。纳米速调管结合了电子学、光子学和微加工技术，是很有创新意义的一种新器件。
纳米速调管由于使用微加工技术，所以保证每个纳米速调管频率和相位的一致性，因此可以组成纳米速调管阵列，以大大提高输出功率。利用构成THz阵列辐射源是提高THz辐射功率的一个重要途径。
自由电子激光可工作于THz。自由电子激光的波长主要取决于摇摆器的周期和电子束的能量：
λ≒λω／4γ2 γ＝（1－β2）-1 β＝v/c
其中λw是摇摆器周期，γ是相对论因子。
今年1月13一14日，在美国Honolulu召开的THz辐射源研讨会上，报告了一篇用lMeV静电加速器的FEI，可以在2mm到500微米，（0.15—6）THz，产生lkW的准连续波输出，这一结果被认为是迄今为止最重要的成果之一。
2002年，在Nature上发表的另一篇论文体现了电子学和光子学相结合的方法。利用飞秒激光照射GaAs光学晶体，发射出电子束，再用加速器将电子束加速到40MeV。电子在磁场作用下作旋转运动从而发射出THz辐射，由于电子束的尺度远小于波长，所以辐射是相干的。实验结果可以得到20w连续波的THz辐射。所以，如前所述，Nature编辑部将这篇文章定为研究亮点。
我国真空电子器件已有相当好的基础，回旋管的研究工作已在电子科技大学和中科院电子所进行，在0.1THz已作出近100KW脉冲输出的回旋管。FEL己在中科院高能物理所、中国工程物理研究院、北京大学和电子科技大学进行，并取得一定的成果。
利用自由电子产生THz辐射的详细论述将在另一专题报告中给出。
2006-04-25 13:57:37
一、前言
THz波是指频率在（0.1－1 0）THz（波长为3000—30微米）范围内的电磁波，1THz=1012Hz。由图1可见，它在长波段与毫米波（亚毫米波）相重合，而在短波段，与红外线相重合下，可见，太赫兹波在电磁波频谱中占有很特殊的位置。由于多种科学技术原因，特别是THz波源的问题未能很好解决，太赫兹波科学技术的发展受到很大的限制，从而使其应用潜能未能发挥出来，如Fi g.2所示。
如Fig.1所示，人们提出THz空白（THz Gap）的概念。其实THz Gap可以有以下几方面的意义：
1．THz所处的位置正好处于科学技术发展相对较好的微波毫米波与红外线光学之间，形成一个相对落后的“空白”。
2．THz的长波方向，主要依靠电子学（Electronics）科学技术，而THz的短波长方向则主要是光子学(Photonics)科学技术，从而在电子学与光子学之间形成一个Gap。这点具有深刻的物理含义，将在THz源一节中详细讨论。
图2（a）表示半导体器件和激光器件（主要是量子级联激光）的工作频率范围。可以看到，所有的半导体器件目前都难以达到THz波段，而量子级联激光的工作频率可以从光波向THz延伸下来。红线表示2002年以后的发展状况。
图2（b）则表示真空电子学THz源的发展状况。可以看到：某些真空电子器件的工作频率已经从微波毫米波波段逐步向THz推进，而FEL的频率则不受限制，可以工作在整个THz波段。要指出的是，真空电子学THz源的迅速发展，也是近几年发生的。
由于THz所处的特殊电磁波谱的位置，它有很多优越的特性，有非常重要的学术和应用价值（有的已处于实用），使得全世界各国都给予极大的关注。美国、欧州和日本尤为重视。
1）在美国包括常青藤大学在内有数十所大学都在从事THz的研究工作，特别是美国重要的国家实验室，如
LLNL，LBNL，SLAC，JPL，BNL，NRL，ALS，ORNL等都在开展THz科学技术的研究工作。美国国家基金会(NSF)、国家航天局(NASA)、能源部(DOE)和国家卫生学会(NIH)等从90年代中期开始对THz科技研究进行大规模的投入。
2）英国的Rutherford国家实验室，剑桥大学、里兹大学、Strathclyde等十几所大学，德国的KFZ，BESSY，Karlsruhe，Cohn，Hamburg及若干所大学，都积极开展THz研究工作。欧洲国家还利用欧盟的资金组织了跨国家的多学科参加的大型合作研究项目。在俄国国家科学院专门设立了一个THz研究计划，IAP，IGP及一些大学也都在积极开展THz研究工作。
3）在亚洲国家和区域，韩国国立汉城大学、浦项科技大学、国立新加坡大学、台湾大学、台湾清华大学等都积极开展THz研究工作，并发表了不少有份量的论文。
4）日本于2005年1月8日，公布了日本国十年科技战略规划，提出十项重大关键技术，将THz列为首位。东京大学、京都大学、大阪大学、东北大学、福井大学以及SLLSC，NTT Advanced Technology Corporation，etc．等公司都大力开展THz的研究与开发工作。
可见，目前已经在全世界范围内形成了一个THz技术研究高潮。
本次香山会议的目的是尽可能集中我国的科学技术智慧，研究和讨论THz科学技术及其应用的发展现状和前景，研究和讨论并提出对我国THz科学技术及其应用发展的战略思考和研究工作的意见和建议，供政府领导参考。因此，本次会议意义重大。
经过慎重研究，本次香山科学会上的报告是这样安排的：安排了一个主题报告《THz科学技术的新发展》。在THz科学技术及应用中辐射源和检测技术是两个主要问题。对这两个方面安排了四个专题报告。成像和光谱技术对于THz辐射的应用来讲是很关键的，安排了两个专题报告。真空电子学对THz辐射源可能有很重要的贡献，安排了一个专题报告。光子晶体在THz波功能器件方面占有重要地位，安排了一个专题报告，会议还安排了THz科学技术在天文学方面的应用的专题报告。本来很想安排一个有关THz科学技术在生物医学方面应用的专题报告，但因一时无法找到合适的报告专家而未能实现。但是，与会专家也可临时在会上就某一问题作简短报告。
在这次香山科学会上，专题报告的安排如下：
专题报告1 《基于光学及光子学的THz辐射源》姚建铨
专题报告2 《THz波段的光谱分析和探测》汪力
专题报告3 《太赫兹波的应用》张存林
专题报告4 《太赫兹量子级联激光器及其他重要的半导体源》曹俊诚
专题报告5 《太赫兹波段信号的检测》吴培亨
专题报告6 《太赫兹在天文科学中的应用》史生才
专题报告7 《在激光等离子体中产生的超强太赫兹辐射》盛政明
专题报告8 《真空电子学对太赫兹源的可能贡献，大功率太赫兹辐射源》刘盛纲
二、太赫兹辐射的主要特征
（1）量子能量和黑体温度很低
Wave number Wavelength Frequency Energy Blackbody Temp.
1cm-1 10mm 30GHz 120μeV 1.5K
10cm-1 1mm 300GHz 1.2meV 15K
33cm-1 300μm 1THz 4.1meV 48K
100cm-1 100μm 3THz 12meV 140K
200cm-1 50μm 6THz 25meV 290K
670cm-1 15μm 20THz 83meV 960K
（2）许多生物大分子，如有机分子的振动和旋转频率都在THz波段，所以在THz波段表现出很强的吸收和谐振。
（3）THz辐射能以很小的衰减穿透物质如陶瓷、脂肪、碳板、布料、塑料等，因此可用其探测低浓度极化气体，适用于控制污染。THz辐射可无损穿透墙壁、布料，使得其能在某些特殊领域发挥作用。
（4）THz的时域频谱信噪比很高，这使得THz非常适用于成像应用
（5）带宽很宽（0.1—10T）Hz。
（6）很短的THz脉冲却有着非常宽的带宽和不同寻常的特点。
三、太赫兹的重要战略意义
——重大科技项目，国家重大目标
经过近十几年来的研究，国际科技界公认，THz科学技术是一个非常重要的交叉前沿领域。由于THz的频率很高（波长比微波小1000陪以上），所以其空间分辨率很高。又由于脉冲很短（飞秒），THz辐射具有很高的时间分辨率。THz成像技术及THz波谱技术就构成了THz应用的两个主要关键技术。另一方面，THz的能量很小，不会对物质产生破坏作用，所以与X射线相比，它又有很大的优势。
Yale大学 C．A．Schmutenmaer教授在今年IRMMW—THz国际会议上做大会特邀报告，题目为“Learning Chemistry and Physics to Terahertz（利用THz重新学习化学和物理学)”。可见，国际科技界对THz的重视。
国际科技界对THz辐射有以下几点认识：
l、THz辐射是一种新的、有很多独特优点的辐射源。
2、THz技术为科学技术的创新、国民经济发展和国家安全等方面提供了一个非常诱人的机遇。
因此，积极开展THz科学技术的研究工作对我国具有重要的战略意义。
A．科学研究的新的强有力的新方法
（1）THz成像和THz波谱学在物理学、化学、生物医学、天文学、材料科学和环境科学等方面有着极其重要的应用。
（2）THz波不仅可以成像而且可以作为一种特殊而有效的探针，对物质内部进行深入研究，提供关于物质的化学及生物成分、波谱特性、THz标记、量子互作用过程等重要信息。
例如：利用THz很高的时域分辨率研究CdSe光导量子过渡现象，研究Ti02纳米晶格中载流子的输运过程，以及研究调控原子／分子的无辐射量子跃迁等方面均取得了重要的新成果。THz量子光学及量子计算机应用及强磁场下半导体的THz辐射等方面都作出了很突出的成就。
利用强功率THz辐射可激发起物质内部原子及分子的非线性动力学过程，从而利用大功率超短脉冲THz可以在分子水平上研究物质的非线性特性。
（3）THz在等离子体检测方面也有重要的优势。利用THz辐射可以探测出高温、高密度等离子体中密度的空间分布。THz在天文学研究上的应用显得很突出，科学家们在南极建立了一个移动天文站，利用THz望远镜观察到很多重要的新星体，对于研究宇宙的起源和星体的形成有重要的意义(值得一提的是我国在2005年初，也在南极建立了一个研究站)。
因此，国际科技界认为，THz辐射可能引发科学技术的革命性发展
B．THz技术对国民经济发展将起着重要的推动作用
（1）THz在生物医学上的应用具有很大的吸引力。在皮肤癌的诊断和治疗，DNA的探测，THz的医学应用，THz断层成像，THz生物化学应用，药物的分析和检测等方面都显示了其强大的功能和成效。
基于对蛋白质及基因特性等的研究，可建立起THz生物分子诊断技术。
从而极大推动分子生物学的发展，并在医疗及药品的研制鉴定方面有很大的应用前景。
（2）由于生物大分子的振动和转动频率均在THz波段，而THz辐射技术又可提取DNA的重要信息，因此，THz在植物，特别是粮食选种，优良菌种的选择等方面可以起重要的作用。总之太赫兹科学技术对农业、食品加工等行业有重要意义。
THz在生物医学上有广泛的应用前景，下图表示在THz对皮肤癌的诊断和应用。
（3）THz辐射可以穿透烟雾，又可检测出有毒或有害分子，所以在环境监测和保护方面可以发挥重要作用。据报道，THz环境监控设备（利用CO2激光作为泵源产生的2.5THz)已安装在美国卫星上。
C．THz在国家安全、反恐方面的应用有着独特的优势
（1）利用THz可以穿透物质的特性，英国首先研制了THz摄像机并且已在机场安全检查方面进行试用，效果很好。特别重要的是美国橡树岭国家实验室（ORNL）和田纳西大学合作，开展“穿墙计划（Through wall Program）”，利用THz成像技术从外部获得墙内信息。显然，这项穿墙技术在国家安全方面有很重要的价值
此外，利用THz波谱可以快速、有效的检查和识别毒品，美国已开展用THz谱技术检查邮件等项目，包括THz化学和生物制品的检测。
（2）THz在雷达和通信等方面的应用也有很大的潜力。THz在太空通信方面的巨大优势是没有疑问的。THz的大气窗口也已研究过(图6所示)。THz雷达在反隐身方面有特殊的功能。下面的报告中会谈到大功率THz辐射源的问题，这方面的研究工作是为THz雷达等做准备的。THz卫星太空成像和通信技术可能是今后大国关注的重要领域。
（3）THz应用于航天飞机可能故障的探测
哥伦比亚号航天飞机失事之后不久，根据航天飞机发射时拍摄的录像资料，提出了对失事原因的分析。美国一个实验室已进行了实验。所采用的THz脉冲中心频率为lTHz，频带宽度为3THz。经过多次实验，尤其是最近的对PAL～Ramp SOFI绝热泡沫层的成功探测，充分证明THz脉冲的确可以对航天飞机进行有效的无损探伤。我国太空发展计划肯定会需要这样的技术。
D、THz科学技术是新一代IT产业的基础
（1）科学家们预计，一旦THz辐射源、THz检测技术等发展以后，THz可以在现代IT科学技术和工业领域有极强的竞争力。下面将要说明这种竞争实际上已经开始。
（2）随着THz科学技术的发展，很多高科技公司相继诞生，例如：英国Rultherford国家实验室(Rutherford Appleton Lab（RAL）)及欧洲航天局(ESA)于2002年起，执行Star Ti ger 计划成功后，建立了一个公司ThruVision公司，专门从事有关THz成像的商品化工作，开发出被动式THz成像仪，有以下特点：
a．被动式不需要THz源；b．可实时成像。英国剑桥大学孵化出(Spinoff)一个高科技公司一TeraView Ltd．从事THz摄像机的开发；
（3）美国Michigen大学及Stanford大学孵化出Picometrix；Physicalscience Inc．；Calabazas Creek Res．Inc．等公司。基地设在加州的Picometrix公司的任务是“将THz科学技术交给政府及大学实验室手中，以便他们用于各项研究工作”。
（4）日本也有很多公司，它们已经在从事包括高功率THz源在内的有关THz科学技术的研究、开发及成果的商业化等工作。可见，以THz科学技术为基础的新一代IT产业已开始逐步形成。
E．研究THz技术本身就是一门重要的学科
如各种THz辐射的产生机制、超短脉冲THz的传播和传输、THz与物质的相互作用等。
下面给出几幅THz成像及THz波谱的结构框图。其中，有一幅是JPL研制的150微米的THz成像框图。由这些框图可以看到THz成像和THz波谱的发展和应用。
同时也可以看到为了建立THz成像和THz波谱需要研究哪些THz器件和元件，如：THz源，THz检测，混频，THz传输、谐振等，以构成一个完整的THz成像和THz波谱系统。从下节起，我们将讨论这些器件和元件。
四、太赫兹辐射源
有很多方法都可以产生THz辐射。
（1）
半导体THz源（包括THz量子级联激光器等）。
（2）
基于光子学的THz发生器。
（3）
利用自由电子的THz辐射源（包括THz真空器件，电子回旋脉塞和自由电子激光）。
（4）
基于高能加速器的THz辐射源
不同的用途对THz源可能提出不同的要求。有点要求输出功率较大，有的要求有较合适的频率。
2002年在Nature上发表了两篇THz源的重要文章。这两篇文章对THz源的发展起到了很大的推动作用。
（1）“Terahertz
semiconductor
heterostructure
laser”，Nature417，156－159，2002．By Italian and UK Scientists，Radiomen Kiblen etc，It is considered as a breakthrough in the Quantum cascade lasers．
（2）“High
power
Terahertz
Radiation
From
RelativisticElectronics”，Nature 420，153—156，2002，这篇文章被Nature编辑部确定为“研究亮点(Research highlights)”．这项工作是由以下三个美国国家实验室：Lawrence Livermoe，Brookhaven and Jeffersan NationalLabs完成的。
两篇文章中一篇是有关量子级联激光的突破，这是一种非常重要的半导体THz辐射源。另一篇是基于自由电子的有关高功率THz辐射的，结合了光子学和电子学技术。
1、半导体太赫兹源
固态THz源具有小巧、价格低廉和频率可调的特点，是人们希望的一种THz源。但半导体器件的工作频率难于达到1THz以上，而半导体THz激光器，特别是THz量子级联激光器是目前的发展重点之一。第一篇关于量子级联激光的文章有Melvin Lax等发表于1960年，其后于1994年起，Bell实验室的J．Faist做了很多有益的工作（Science，264，22，1994)。在俄国这方面的工作也做了不少(Kazarinov，Sov．Phys．Semi．5，207，1971)，但实验长期没有突破。朗讯曾把QCL作为一个研发重点，但没有结果。直至2002年由英国和意大利科学家获得突破（Nature 417，156－159，2002）。
量子级联激光器(QCL)是以异结构半导体（GaAs／AIGaAs）的导带中的次能级间的跃迁为基础的一种激光器。利用纵向光学声子的谐振产生粒子数反转。
2002年的结果是频率4.4THz，温度50K，脉冲功率20mW。
此后，很多国家都积极开展QCL的研究工作，采用了不同的材料。
到2004年，美国MIT最新的结果是：2.1 THz，CW功率lmW(温度93K)，脉冲功率为20mW（温度137K）。
到2005年，MIT
QCL已经用于THz成像，可见THz技术发展的速度比我们想像的要快得多。
在我国，中国电子集团南京55所，渡越雪崩二极管可以做到0.1THz。中国科学院上海微系统研究所和中国科学院半导体研究所，已开展QCL的研究工作并已作出一定的成果。
半导体THz辐射源已安排了一个专题报告进行详细论述。
2、基于光子学的太赫兹辐射源
飞秒激光脉冲的发展给THz源带来了很大的机遇。已经发展了很多基于飞秒激光脉冲和非线性光学晶体的THz激光源。
如THz光导天线、光整流、非线性差频、THz参量振荡器和放大器（TPG，TPO，TPA）和光学Cherenkov辐射等等。
这种方法产生的THz辐射，可以是脉冲的，也可以是连续波的。
下图表示光脉冲通过非线性光学晶体产生THz辐射的典型情况。差频发生器（DEG），是一个三波混频非线性过程。
这方面的研究工作，我国天津大学等单位，也已开展了研究工作，并作出了一定的成果。详细内容将在专题报告中给出。
3、基于真空电子学的太赫兹源
近儿年来，随着THz科学技术的迅速发展，利用真空电子学产生THz辐射的研究工作取得了很大的进步，其中包括真空电子器件、电子回旋脉塞、自由电子激光、Cherenkov辐射，甚至使用储存环加速器来产生高亮度THz辐射。
某些真空电子器件如返波管（BWO）、扩展互作用振荡器（E1O）、绕射辐射器件(Orotron)等的工作频率己接近或达到1THz。
回旋管可望在1THz产生千瓦级的脉冲输出，平均功率可达几十瓦以上。
特别是由CIT的JPL实验室等研究的“纳米速调管”可望在1—3THz频率上工作。纳米速调管结合了电子学、光子学和微加工技术，是很有创新意义的一种新器件。
纳米速调管由于使用微加工技术，所以保证每个纳米速调管频率和相位的一致性，因此可以组成纳米速调管阵列，以大大提高输出功率。利用构成THz阵列辐射源是提高THz辐射功率的一个重要途径。
自由电子激光可工作于THz。自由电子激光的波长主要取决于摇摆器的周期和电子束的能量：
λ≒λω／4γ2 γ＝（1－β2）-1 β＝v/c
其中λw是摇摆器周期，γ是相对论因子。
今年1月13一14日，在美国Honolulu召开的THz辐射源研讨会上，报告了一篇用lMeV静电加速器的FEI，可以在2mm到500微米，（0.15—6）THz，产生lkW的准连续波输出，这一结果被认为是迄今为止最重要的成果之一。
2002年，在Nature上发表的另一篇论文体现了电子学和光子学相结合的方法。利用飞秒激光照射GaAs光学晶体，发射出电子束，再用加速器将电子束加速到40MeV。电子在磁场作用下作旋转运动从而发射出THz辐射，由于电子束的尺度远小于波长，所以辐射是相干的。实验结果可以得到20w连续波的THz辐射。所以，如前所述，Nature编辑部将这篇文章定为研究亮点。
我国真空电子器件已有相当好的基础，回旋管的研究工作已在电子科技大学和中科院电子所进行，在0.1THz已作出近100KW脉冲输出的回旋管。FEL己在中科院高能物理所、中国工程物理研究院、北京大学和电子科技大学进行，并取得一定的成果。
利用自由电子产生THz辐射的详细论述将在另一专题报告中给出。
五、太赫兹波段信号的检测
在THz波段的开发和利用中，信号的检测具有举足轻重的重要意义。因为，一方面，与较短波长相比，THz波段光子能量低，背景噪声常常占据显著的地位；另一方面，为了充分发挥THz系统的作用（例如，发现更微弱的目标、在更远的距离上通讯等等），不断提高接收的灵敏度也是必然的追求。
在不同的频率应选择不同的检测器。在THz的低端，一般倾向于外差式的检测器，而在THz的高端，直接检测器的灵敏度似乎更胜一筹。有关的简况和进一步发展的建议如下。
脉冲THz信号检测的两种方法：（a）光导天线；（b）电光取样。
CW THz信号的检测
1．超外差式检测器（对于频率稍低而谱线分辨率十分重要的场合）
a）室温肖特基二极管混频器，目前的一般水平是本振功率0.5 mW（单管）或3－5mW（多管）。辐射计的最小可检测温度是0.05K（500GHz）或0.5K（2500GHz），积分时间1秒，带宽1GHz。
今后应着重于降低其噪声和所需的本振功率。
b）超导体一绝缘体一超导体（SIS）结混频器，以及以之为前端的接收机多用在100—700 GHz的频率范围，最近已推进到1200 GHz，并将在2007年用于空间飞行（FIRST，全称Far Infra Red and Submillimeter space Telescope；现改称European Space Agency’s Herschel)。
c）热电子测热电阻（HEB）混频器，以Nb，NbN，NbTiN，Al，YBCO等材料制成尺寸为微米量级的微桥，THz信号的热效应，使它们有灵敏的响应，响应时间也极快（快声子或电子扩散的机制）。比SIS结混频器的工作频率更高。作为混频器使用，电压响应是在皮秒的量级，因此中频可以达到几千兆，甚至15千兆（取决于材料、尺寸、冷却机制）。目前工作频率已高达5THz，噪声温度约为量子极限的10倍左右，本振功率1—100nW的量级。
热电子测热辐射计(HEB)：金属在低温下的热容很小，声子与电子系统是去耦的。外加的辐射只加热电子，其温升可以测出。
肖特基二极管混频器室温高灵敏超外差检测技术
具体的器件
2．直接检测器（对于频率更高但并不需要极高的谱线分辨率的场合）
a）室温的直接检测器，种类很多，如：小面积GaAs肖特基二极管用作天线耦合的平方率检测器；直接吸收热量后引起电阻变化的普通铋测热电阻；有温度计和读出电路与辐射吸收器集成在一起的复合测热电阻（铋、碲）；高兰泡（充气室内吸收热之后，体积有变化，使镜子偏转，用光放大器测出）；声测热电阻（用光声检测器测出气泡受热后压力的变化）；微测热电阻（用天线把功率耦合到小的吸热区域）；快速量热计；等等。
目前，这类直接检测器的标定是很大的问题，响应时间约为秒的量级；灵敏度不高（几微伏）。我们今后的工作应该是：改进和用好已有的器件，使之符合我们的研究的需要
b）冷却的直接检测器，其中，目前已有商品的如：液氦冷却的硅、锗或InSb复合测热电阻，响应时间微秒的量级，4K时噪声等效功率（NEP）约为10-13W／√Hz的量级，冷到毫度时有很大的改进。不少商品的红外检测器对THz也能响应。在冷却的直接检测器方面，还有一些目前没有商品的，如：超导转变边缘测热电阻（超导薄膜条偏置在超导一正常转变的边缘）；悬置的微加工的硅条镀以铋，以获得理想的电阻一温度特性，并由此制成阵列；
超导一绝缘一正常金属（SIN）隧道结复合测热电阻。这些检测器的NEP约为10-17到10-18 W／√Hz的量级。超导热电子测热电阻(HEB)也可用于转变边缘检测器，NEP约为10-20w／√Hz的量级。
我们今后的工作应该是：提出新型的THz波检测结构或改进国际上虽已着手研究但尚有许多改进余地的器件。
鼓励研究THz信号于物质的相互作用，从中发现新的物理效应，据以研制THz信号检测器，注意国际上研究工作的新动向（例如，用高磁场中冷却至50 mk的单电子晶体管和量子点，探测入射的THz光子）。
研制以超导体－绝缘体－超导体（SIS）结混频器、热电子测热电阻（HEB）混频器为前级的THz波段接收机，实际使用于天文、环境监测登方面。
THz的单光子检测
单电子晶体管和量子点（@高磁场&50 mK)NEP＝10-22 W／oHz响应时间：毫秒
优先鼓励研究THz信号与物质的相互作用，从中发现新的物理效应，据以研制新型THz检测器，注意国际上研究工作的新动向。
我国南京大学和紫金山天文台也已开展了THz检测和接收方面的研究工作，并取得了一定的成果。
THz检测方面的详细内容也将在专题报告中给出。
六、太赫兹功能器件
为了组成THz系统，例如THz成像和THz波谱等，除了THz源和检测系统外，其内部连接也是非常重要的，所以需要一些功能器件，如传输系统、谐振系统等。已经提出了很多种不同的传输系统，如：太赫兹金属不锈钢波导，太赫兹铁电聚合物（包层）波导（PVDF），太赫兹塑料带状平面波导，太赫兹单模蓝宝石光纤等，但研究发现，简单的直径0.9mm的金属导线波导性能可能最好（Nature 432，p377，2004），如图所示。
此外光子晶体在THz功能器件中可能会有重要的贡献。
光子晶体是折射率在空间周期性变化，存在一定光学能带间隙的介质结构，具有一定的光学禁带和通带，对于某些波长是不能透射过。光子晶体的折射率在空间排列的周期是波长量级。光子晶体的材料对工作波段的光的吸收很小。
虽然光子晶体的理论基础是建立在Maxwell方程基础上，而半导体的理论基础是建立在Schrodinger方程基础上的，它们分别属于电动力学和量子力学的范畴。但是可以证明：在光子晶体的条件下，由Maxwell方程和Schrodinger方程，可以得到相同的结果。
如果比较薛定谔方程和波动方程：
(薛定谔方程)
(波动方程)
以下两式如果成立：
则由薛定谔方程和波动方程可得到相同的结果。
由于光子晶体折射率的排列与晶体中原子的排列类似，都具有周期性，分析时都可以引入布洛赫波函数，因而可以得出：当光子晶体中折射率周期为波长量级时可以出现与固体能带理论中的禁带相类似的光学禁带。
从发展历史上来看，光子晶体的研究是源自于对光子的两个基本现象的研究（1987年同一期PRL上发表的2篇文章）。
Localization
of
Light
S.John，Phys.Rev.lett.58，2486（1987）.
Inhibition of Spontaneous Emission
E.Yablonovitch，Phys.Rev .Lett.58，2059（1987）
事实上，在此之前人们早已应用了光子晶体；微波中的慢波结构和光学中的布拉格光栅，它们都属于一维光子晶体。
1991年制造出第一个人造三维光子晶体——Yablonovite型光子晶体。
最早由ST．J．Russell等人于1992年提出的光子晶体光纤是典型的二维光子晶体。1998年报道了第一个真正利用光子禁带（PBG）导光的光子晶体光纤。
V．Berger于1998年提出非线性光子晶体。
二维光子晶体
与固体能带理论类似，在完美的光子晶体中也可以引入杂质和缺陷，使严格的周期结构破坏，这些缺陷能够束缚一定频率的光子，产生局域化的能级，这部分局域态位于光学禁带之中。
在光子晶体中也可以引入不同类型的缺陷；点缺陷，线缺陷和面缺陷等。这些缺陷的控制是光子晶体实现各种功能的基础。
缺陷态与局域态
利用光子晶体的局域态可以制备光子晶体的波导，微腔，环形谐振腔，分束器，耦合器等波导器件，可以制备出微小型平面光学回路（PLC），也可能实现三维光学回路模块。
光子晶体具有某些独特的光学特性，如微腔的高Q值性，超棱镜，大群折射率和负折射率等，使制备无阈值激光器，高效光放大器或其他功能器件成为可能。
利用光子晶体的非线性光学效应，使制造出光开关、光二极管，光三极管，光逻辑回路等器件成为可能，是制造全光集成芯片的基础。
光子晶体在近代科学技术特别是光学上有很多重要的应用。这里我们仅讨论光子晶体在THz技术中的应用。虽然光子晶体在THz技术中主要可以用来作为各种功能器件：
1．光子晶体THz传输线、波导
2．光子晶体THz谐振腔
3．光子晶体THz滤波器
4．光子晶体THz波偏振器
5．光子晶体THz波开关
6．光子晶体THz波混频器
7．光子晶体THz波天线
下面举出光子晶体在THz科技中应用的实例。
（1）THz波在光子晶体中的传播，德国半导体研究所（Instituts furHalbleitertechnik)研究了THz波在光子晶体中的传播，结果表明：THz波在硅二维光子晶体中能很好的传播，理论和实验相符。
（2）德国Freiburg大学Sherwin Group使用了激光化学蒸汽沉积技术用Al203陶瓷材料研究制作了THz波光子晶体。
（3）美国UCSB(圣芭芭拉大学)Sherwin Group研究制作了THz波光子晶体谐振腔。用硅材料使用离子蚀刻技术制成了三维光子晶体。
（4）日本Osaka University用彩色打印机制作THz金属光子晶体．
（5）日本物理化学研究所最近用多层约瑟夫结制作THz光子晶体滤波器(PRL
94，157004．，2005)
（6）
光子晶体THz谐振腔
美国University of Delaware用硅光子晶体制成，微盘结构（microdisk）光子晶体微谐振腔。
为了发展THz光子晶体功能器件，需要做好以下研究工作：
1．理论研究：
光子禁带的理论基础研究，如新型光子晶体及其光子能带特点，慢变结构光子晶体，光子晶体非线性特性研究等
2．功能器件的研究及设计：
THz光子晶体传输特性的研究，THz光子晶体滤波器的研究，THz二维光子晶体谐振腔的研究，THz光子晶体波分复用器件，THz光子晶体开关，THz光子晶体天线。实际上光子晶体本身就是一门交叉学科，许多领域有待研究和开发，有着重要的研究和应用价值，在光学及其他相关领域如光通信等有很重要的应用。我们这里只研究光子晶体在THz科学技术中的重要应用。
七、结语
THz科学技术是重要的发展极其迅速的交叉学科前沿，世界各国都给予极大的重视。
由于THz处于电磁波谱的特殊位置，它具有极重要的学术价值和独特的性质，从而使它具有非常重要的多方面的应用。
THz科学技术发展至今不到20年，很多关键技术问题，如THz辐射源及THz检测技术等尚不够成熟。
但是THz辐射的应用已在大力开展，并取得很多重要的成果。相关的THz成像和波谱技术也已经并正在快速的发展。
随着THz科学技术及其应用的迅速发展，很多大学和研究机构的研究成果孵化出一批高科技产业正在推动新一代IT产业的兴起。
八、对我国太赫兹科学技术发展的战略思考和建议
THz科学技术是具有战略意义的交叉学科前沿，既是重大科学项目，又属于国家重大目标。国家应给予足够的重视。我国THz科学技术的发展应该由国家主导推动，形成一个有目的、有计划、有组织、有梯队，分层次，从而能够有序的开展研究工作。
我国THz技术研究工作已经有了一定的基础，为了进一步推动我国的THz研究工作，现提出以下的发展战略思考和建议供领导参考。
一、我国THz科学技术发展的战略思考
1．THz辐射源的研究是THz科学技术发展的重要环节。在研究中既要重视以半导体THz源（特别是量子级联激光）和基于光子学的THz源，也要重视真空电子学在THz领域可能有重要的贡献。对于将光子学和电子学相结合的途径要给予优先鼓励。大功率THz辐射源有特殊的意义，应予以重视。
2．THz探测技术的研究是另外一个重要环节，它和THz源一起，对于组成THz成像和THz波谱等，都是关键。既要重视发展室温的THz检测技术，如各种类型的混频器、直接检测器等，也要重视灵敏度高的、低温的检测系统。要优先鼓励发展新型的或改进国际上已有的检测系统。
3．THz功能部件如传输线，微谐振腔等也很重要，需要安排足够的力量进行研究。这方面光子晶体可能起重要的作用，需要给予重视。
4．THz成像技术及THz波谱学在科学研究，特别是在应用上，如生物医学、物理学、化学、材料科学及天文学等方面的应用应及时展开。
5．加强THz技术在国防及国家安全方面的应用研究。如THz穿透物质成像技术可用于THz雷达、精确制导、无接触安全检查、要地防卫等。
6．建立实用的、可调谐的、高功率的THz研究平台，这将可以大大推动我国THz科学技术及其应用的研究工作。
二、战略目标
1．经过两个五年计划，即到2015年，我国在THz源、THz检测、成像及波谱技术等关键技术上都有突破，并取得自主产权。可以自行研发出实用的THz源及检测仪器等，以基本满足国家的需要。
2．在学术上能在理论和实验研究方面作出与当时国际水平相当的重要贡献。
3．在总的水平上，接近当时的国际水平。
三、希望国家加强对THz科学技术研究的领导和投入
1．为了使我国THz科学技术的研究工作能够有序而有效的开展，建议成立一个专家咨询委员会（或专家咨询小组或专家顾问小组）。专家咨询委员会（或小组）根据政府的委托对我国THz科学技术的研究，提出咨询意见和建议，同时也可根据政府的委托对有关主要的THz研究项目进行考察和评估。
2．建议国家科技部在今后两个五年计划内，将THz科学研究和开发工作列入重大基础研究项目计划和国家高科技重大项目计划。
3．建议国家其它有关部门，根据本部门的需要，建立THz科学技术研究和开发的重大项目。
4．建议国家自然科学基金委，建立THz科学技术研究和开发的重大项目。
5．发挥地方政府的积极性，鼓励各部门加大对THz科学技术的投入力度。
四、团结协作，促进THz科学技术的发展
1．加强国际协作，邀请国外THz研究方面的突出专家来华进行学术交流。
2．鼓励国内研究单位之间的相互协作，加强学术交流。
3．鼓励有关企业加入THz科学技术的研究和开发工作。
4．通过上述各方面的努力，能在我国建立出一些研究团队和研究中心，培育一批老中青相结合的高素质专业人才。
5．建立一个THz科学技术专用的网站以加强国内外的学术交流也是有意义的。
对于香山科学会议的领导和同志们的大力支持和热情帮助表示衷心的感谢！
对各位领导和特邀代表在百忙中来出席会议，对THz科学技术研究工作表示关心、支持和重视表示衷心的感谢！
对各位代表的热情参与表示衷心的感谢！
对本次香山会议的筹备组成员忘我的工作，为本次会议成功召开作出的重要贡献，表示衷心的感谢！
在THz波段的开发和利用中，信号的检测具有举足轻重的重要意义。因为，一方面，与较短波长相比，THz波段光子能量低，背景噪声常常占据显著的地位；另一方面，为了充分发挥THz系统的作用（例如，发现更微弱的目标、在更远的距离上通讯等等），不断提高接收的灵敏度也是必然的追求。
在不同的频率应选择不同的检测器。在THz的低端，一般倾向于外差式的检测器，而在THz的高端，直接检测器的灵敏度似乎更胜一筹。有关的简况和进一步发展的建议如下。
脉冲THz信号检测的两种方法：（a）光导天线；（b）电光取样。
CW THz信号的检测
1．超外差式检测器（对于频率稍低而谱线分辨率十分重要的场合）
a）室温肖特基二极管混频器，目前的一般水平是本振功率0.5 mW（单管）或3－5mW（多管）。辐射计的最小可检测温度是0.05K（500GHz）或0.5K（2500GHz），积分时间1秒，带宽1GHz。
今后应着重于降低其噪声和所需的本振功率。
b）超导体一绝缘体一超导体（SIS）结混频器，以及以之为前端的接收机多用在100—700 GHz的频率范围，最近已推进到1200 GHz，并将在2007年用于空间飞行（FIRST，全称Far Infra Red and Submillimeter space Telescope；现改称European Space Agency’s Herschel)。
c）热电子测热电阻（HEB）混频器，以Nb，NbN，NbTiN，Al，YBCO等材料制成尺寸为微米量级的微桥，THz信号的热效应，使它们有灵敏的响应，响应时间也极快（快声子或电子扩散的机制）。比SIS结混频器的工作频率更高。作为混频器使用，电压响应是在皮秒的量级，因此中频可以达到几千兆，甚至15千兆（取决于材料、尺寸、冷却机制）。目前工作频率已高达5THz，噪声温度约为量子极限的10倍左右，本振功率1—100nW的量级。
热电子测热辐射计(HEB)：金属在低温下的热容很小，声子与电子系统是去耦的。外加的辐射只加热电子，其温升可以测出。
肖特基二极管混频器室温高灵敏超外差检测技术
具体的器件
2．直接检测器（对于频率更高但并不需要极高的谱线分辨率的场合）
a）室温的直接检测器，种类很多，如：小面积GaAs肖特基二极管用作天线耦合的平方率检测器；直接吸收热量后引起电阻变化的普通铋测热电阻；有温度计和读出电路与辐射吸收器集成在一起的复合测热电阻（铋、碲）；高兰泡（充气室内吸收热之后，体积有变化，使镜子偏转，用光放大器测出）；声测热电阻（用光声检测器测出气泡受热后压力的变化）；微测热电阻（用天线把功率耦合到小的吸热区域）；快速量热计；等等。
目前，这类直接检测器的标定是很大的问题，响应时间约为秒的量级；灵敏度不高（几微伏）。我们今后的工作应该是：改进和用好已有的器件，使之符合我们的研究的需要
b）冷却的直接检测器，其中，目前已有商品的如：液氦冷却的硅、锗或InSb复合测热电阻，响应时间微秒的量级，4K时噪声等效功率（NEP）约为10-13W／√Hz的量级，冷到毫度时有很大的改进。不少商品的红外检测器对THz也能响应。在冷却的直接检测器方面，还有一些目前没有商品的，如：超导转变边缘测热电阻（超导薄膜条偏置在超导一正常转变的边缘）；悬置的微加工的硅条镀以铋，以获得理想的电阻一温度特性，并由此制成阵列；
超导一绝缘一正常金属（SIN）隧道结复合测热电阻。这些检测器的NEP约为10-17到10-18 W／√Hz的量级。超导热电子测热电阻(HEB)也可用于转变边缘检测器，NEP约为10-20w／√Hz的量级。
我们今后的工作应该是：提出新型的THz波检测结构或改进国际上虽已着手研究但尚有许多改进余地的器件。
鼓励研究THz信号于物质的相互作用，从中发现新的物理效应，据以研制THz信号检测器，注意国际上研究工作的新动向（例如，用高磁场中冷却至50 mk的单电子晶体管和量子点，探测入射的THz光子）。
研制以超导体－绝缘体－超导体（SIS）结混频器、热电子测热电阻（HEB）混频器为前级的THz波段接收机，实际使用于天文、环境监测登方面。
THz的单光子检测
单电子晶体管和量子点（@高磁场&50 mK)NEP＝10-22 W／oHz响应时间：毫秒
优先鼓励研究THz信号与物质的相互作用，从中发现新的物理效应，据以研制新型THz检测器，注意国际上研究工作的新动向。
我国南京大学和紫金山天文台也已开展了THz检测和接收方面的研究工作，并取得了一定的成果。
THz检测方面的详细内容也将在专题报告中给出。
六、太赫兹功能器件
为了组成THz系统，例如THz成像和THz波谱等，除了THz源和检测系统外，其内部连接也是非常重要的，所以需要一些功能器件，如传输系统、谐振系统等。已经提出了很多种不同的传输系统，如：太赫兹金属不锈钢波导，太赫兹铁电聚合物（包层）波导（PVDF），太赫兹塑料带状平面波导，太赫兹单模蓝宝石光纤等，但研究发现，简单的直径0.9mm的金属导线波导性能可能最好（Nature 432，p377，2004），如图所示。
此外光子晶体在THz功能器件中可能会有重要的贡献。
光子晶体是折射率在空间周期性变化，存在一定光学能带间隙的介质结构，具有一定的光学禁带和通带，对于某些波长是不能透射过。光子晶体的折射率在空间排列的周期是波长量级。光子晶体的材料对工作波段的光的吸收很小。
虽然光子晶体的理论基础是建立在Maxwell方程基础上，而半导体的理论基础是建立在Schrodinger方程基础上的，它们分别属于电动力学和量子力学的范畴。但是可以证明：在光子晶体的条件下，由Maxwell方程和Schrodinger方程，可以得到相同的结果。
如果比较薛定谔方程和波动方程：
(薛定谔方程)
(波动方程)
以下两式如果成立：
则由薛定谔方程和波动方程可得到相同的结果。
由于光子晶体折射率的排列与晶体中原子的排列类似，都具有周期性，分析时都可以引入布洛赫波函数，因而可以得出：当光子晶体中折射率周期为波长量级时可以出现与固体能带理论中的禁带相类似的光学禁带。
从发展历史上来看，光子晶体的研究是源自于对光子的两个基本现象的研究（1987年同一期PRL上发表的2篇文章）。
Localization
of
Light
S.John，Phys.Rev.lett.58，2486（1987）.
Inhibition of Spontaneous Emission
E.Yablonovitch，Phys.Rev .Lett.58，2059（1987）
事实上，在此之前人们早已应用了光子晶体；微波中的慢波结构和光学中的布拉格光栅，它们都属于一维光子晶体。
1991年制造出第一个人造三维光子晶体——Yablonovite型光子晶体。
最早由ST．J．Russell等人于1992年提出的光子晶体光纤是典型的二维光子晶体。1998年报道了第一个真正利用光子禁带（PBG）导光的光子晶体光纤。
V．Berger于1998年提出非线性光子晶体。
二维光子晶体
与固体能带理论类似，在完美的光子晶体中也可以引入杂质和缺陷，使严格的周期结构破坏，这些缺陷能够束缚一定频率的光子，产生局域化的能级，这部分局域态位于光学禁带之中。
在光子晶体中也可以引入不同类型的缺陷；点缺陷，线缺陷和面缺陷等。这些缺陷的控制是光子晶体实现各种功能的基础。
缺陷态与局域态
利用光子晶体的局域态可以制备光子晶体的波导，微腔，环形谐振腔，分束器，耦合器等波导器件，可以制备出微小型平面光学回路（PLC），也可能实现三维光学回路模块。
光子晶体具有某些独特的光学特性，如微腔的高Q值性，超棱镜，大群折射率和负折射率等，使制备无阈值激光器，高效光放大器或其他功能器件成为可能。
利用光子晶体的非线性光学效应，使制造出光开关、光二极管，光三极管，光逻辑回路等器件成为可能，是制造全光集成芯片的基础。
光子晶体在近代科学技术特别是光学上有很多重要的应用。这里我们仅讨论光子晶体在THz技术中的应用。虽然光子晶体在THz技术中主要可以用来作为各种功能器件：
1．光子晶体THz传输线、波导
2．光子晶体THz谐振腔
3．光子晶体THz滤波器
4．光子晶体THz波偏振器
5．光子晶体THz波开关
6．光子晶体THz波混频器
7．光子晶体THz波天线
下面举出光子晶体在THz科技中应用的实例。
（1）THz波在光子晶体中的传播，德国半导体研究所（Instituts furHalbleitertechnik)研究了THz波在光子晶体中的传播，结果表明：THz波在硅二维光子晶体中能很好的传播，理论和实验相符。
（2）德国Freiburg大学Sherwin Group使用了激光化学蒸汽沉积技术用Al203陶瓷材料研究制作了THz波光子晶体。
（3）美国UCSB(圣芭芭拉大学)Sherwin Group研究制作了THz波光子晶体谐振腔。用硅材料使用离子蚀刻技术制成了三维光子晶体。
（4）日本Osaka University用彩色打印机制作THz金属光子晶体．
（5）日本物理化学研究所最近用多层约瑟夫结制作THz光子晶体滤波器(PRL
94，157004．，2005)
（6）
光子晶体THz谐振腔
美国University of Delaware用硅光子晶体制成，微盘结构（microdisk）光子晶体微谐振腔。
为了发展THz光子晶体功能器件，需要做好以下研究工作：
1．理论研究：
光子禁带的理论基础研究，如新型光子晶体及其光子能带特点，慢变结构光子晶体，光子晶体非线性特性研究等
2．功能器件的研究及设计：
THz光子晶体传输特性的研究，THz光子晶体滤波器的研究，THz二维光子晶体谐振腔的研究，THz光子晶体波分复用器件，THz光子晶体开关，THz光子晶体天线。实际上光子晶体本身就是一门交叉学科，许多领域有待研究和开发，有着重要的研究和应用价值，在光学及其他相关领域如光通信等有很重要的应用。我们这里只研究光子晶体在THz科学技术中的重要应用。
七、结语
THz科学技术是重要的发展极其迅速的交叉学科前沿，世界各国都给予极大的重视。
由于THz处于电磁波谱的特殊位置，它具有极重要的学术价值和独特的性质，从而使它具有非常重要的多方面的应用。
THz科学技术发展至今不到20年，很多关键技术问题，如THz辐射源及THz检测技术等尚不够成熟。
但是THz辐射的应用已在大力开展，并取得很多重要的成果。相关的THz成像和波谱技术也已经并正在快速的发展。
随着THz科学技术及其应用的迅速发展，很多大学和研究机构的研究成果孵化出一批高科技产业正在推动新一代IT产业的兴起。
八、对我国太赫兹科学技术发展的战略思考和建议
THz科学技术是具有战略意义的交叉学科前沿，既是重大科学项目，又属于国家重大目标。国家应给予足够的重视。我国THz科学技术的发展应该由国家主导推动，形成一个有目的、有计划、有组织、有梯队，分层次，从而能够有序的开展研究工作。
我国THz技术研究工作已经有了一定的基础，为了进一步推动我国的THz研究工作，现提出以下的发展战略思考和建议供领导参考。
一、我国THz科学技术发展的战略思考
1．THz辐射源的研究是THz科学技术发展的重要环节。在研究中既要重视以半导体THz源（特别是量子级联激光）和基于光子学的THz源，也要重视真空电子学在THz领域可能有重要的贡献。对于将光子学和电子学相结合的途径要给予优先鼓励。大功率THz辐射源有特殊的意义，应予以重视。
2．THz探测技术的研究是另外一个重要环节，它和THz源一起，对于组成THz成像和THz波谱等，都是关键。既要重视发展室温的THz检测技术，如各种类型的混频器、直接检测器等，也要重视灵敏度高的、低温的检测系统。要优先鼓励发展新型的或改进国际上已有的检测系统。
3．THz功能部件如传输线，微谐振腔等也很重要，需要安排足够的力量进行研究。这方面光子晶体可能起重要的作用，需要给予重视。
4．THz成像技术及THz波谱学在科学研究，特别是在应用上，如生物医学、物理学、化学、材料科学及天文学等方面的应用应及时展开。
5．加强THz技术在国防及国家安全方面的应用研究。如THz穿透物质成像技术可用于THz雷达、精确制导、无接触安全检查、要地防卫等。
6．建立实用的、可调谐的、高功率的THz研究平台，这将可以大大推动我国THz科学技术及其应用的研究工作。
二、战略目标
1．经过两个五年计划，即到2015年，我国在THz源、THz检测、成像及波谱技术等关键技术上都有突破，并取得自主产权。可以自行研发出实用的THz源及检测仪器等，以基本满足国家的需要。
2．在学术上能在理论和实验研究方面作出与当时国际水平相当的重要贡献。
3．在总的水平上，接近当时的国际水平。
三、希望国家加强对THz科学技术研究的领导和投入
1．为了使我国THz科学技术的研究工作能够有序而有效的开展，建议成立一个专家咨询委员会（或专家咨询小组或专家顾问小组）。专家咨询委员会（或小组）根据政府的委托对我国THz科学技术的研究，提出咨询意见和建议，同时也可根据政府的委托对有关主要的THz研究项目进行考察和评估。
2．建议国家科技部在今后两个五年计划内，将THz科学研究和开发工作列入重大基础研究项目计划和国家高科技重大项目计划。
3．建议国家其它有关部门，根据本部门的需要，建立THz科学技术研究和开发的重大项目。
4．建议国家自然科学基金委，建立THz科学技术研究和开发的重大项目。
5．发挥地方政府的积极性，鼓励各部门加大对THz科学技术的投入力度。
四、团结协作，促进THz科学技术的发展
1．加强国际协作，邀请国外THz研究方面的突出专家来华进行学术交流。
2．鼓励国内研究单位之间的相互协作，加强学术交流。
3．鼓励有关企业加入THz科学技术的研究和开发工作。
4．通过上述各方面的努力，能在我国建立出一些研究团队和研究中心，培育一批老中青相结合的高素质专业人才。
5．建立一个THz科学技术专用的网站以加强国内外的学术交流也是有意义的。
对于香山科学会议的领导和同志们的大力支持和热情帮助表示衷心的感谢！
对各位领导和特邀代表在百忙中来出席会议，对THz科学技术研究工作表示关心、支持和重视表示衷心的感谢！
对各位代表的热情参与表示衷心的感谢！
对本次香山会议的筹备组成员忘我的工作，为本次会议成功召开作出的重要贡献，表示衷心的感谢！
（二）研究成果
中科院半导体研究所自建所以来，在半导体理论、半导体材料、半导体光电子器件、半导体微电子器件、半导体人工神经网络等方面取得了很多的研究成果，并获得国家及省部级以上成果奖励130多项，其中一项为国家最高科学技术奖。
2．半导体光电子器件领域：
自二十世纪九十年代以来，以半导体超晶格量子阱材料制备技术实现突破以来，半导体所在半导体光电子器件如激光器、探测器和发光二极管等方面取得了多项可喜成绩。通过增强自身的高技术创新和开拓能力，促进了光电子高技术的发展；通过联合社会要素，解决融资、引资途径，实现了部分高科技产品的产业化与市场化。如：氮化镓基蓝绿色发光二极管（LED）技术已转让且成功实现产业化，成为在国内同类项目中率先实现产业化的研究单位。"670nm半导体量子阱激光器批量生产"获2000年国家科技进步二等奖；相继研制成功670nm、650nm、635nm和DVD用650nm激光器，成功实现技术转移。在此基础上合资组建高新技术企业，通过高科技产品的产业化与市场化，力争为民族高科技产业的发展作出贡献。
同时，半导体研究所在太赫兹量子级联激光器研究中提出了新的思路。以半导体量子结构为基本单元可构筑新型红外、THz光源，如近红外量子点激光器、量子线激光器、中红外量子级联激光器、远红外THz量子级联激光器等。
中国科学院半导体材料科学重点实验室王占国院士领导的科研团队在近红外半导体量子点、量子线材料制备、性质与量子器件应用的方面进行10余年的探索研究。研制出工作波长～1μm的量子点激光器的室温连续波工作输出功率大于3.6W，1W工作寿命超过4000小时，用19路量子点激光器制备的大功率半导体激光光纤耦合模块，室温连续输出功率达10W；研制出覆盖光纤通信的两个主要波长1.3µm和1.55µm的量子点（线）激光器；研制出输出功率200mW、带宽58nm的近红外量子点超辐射发光管。
在中远红外量子器件的研究方面，王占国院士领导的团队曾研制成功第一个室温以上激射3.5—3.57µm 的InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿量子级联激光器，研制出波长分别为7.8µm、5.5µm的短腔长单模InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿量子级联激光器，研制出单腔面输出功率1.2W、波长为5.5µm的InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿量子级联激光器，研制出7.8µm 二级表面光栅分布反馈InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿量子级联激光器，研制出波长4.8µm 的InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿大功率量子级联激光器、液氮温度下单腔面输出功率2.2W；2007 年初，研制出腔面不镀膜器件室温脉冲功率大于1.5 瓦InxGa1-xAs/InyAl1-yAs的应变补偿量子级联激光器。
GaAs/AlGaAs材料体系是THz量子级联激光器的最佳材料体系，2004 年中国科学院半导体材料科学重点实验室研制出波长9.1µm的 GaAs/AlGaAs 量子级联激光器，2005 年，实现84K 下的准连续功率达到1W；2006 年实现了9.75µm 波长的GaAs/AlGaAs 量子级联激光器液氮温度以上超高占空比（95%）以上工作，并研制成功液氮温度以上工作的波长10µm 的三阱耦合有源区结构器件和波长11.2µm 的四阱耦合的双声子共振有源区结构器件。这些前期工作为THz量子级联激光器研究打下了坚实的基础。
目前国际上THz量子级联激光器的瓶颈问题是工作温度低、输出功率低，物理起因是大电流注入所导致的热失配、热积累无法有效耗散。中国科学院半导体材料科学重点实验室拟将半导体量子点激光器研究和量子级联激光器研究方面的优势有效地结合起来，探索研制量子点THz级联激光器，期望利用量子点结构中的声子瓶颈效应，达到提高注入效率的目的，希望能够从原理上解决热失配、热积累问题，为THz量子级联激光器研究提供一种新的可行思路。
2007年4月30日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破。
氮化镓(GaN)基蓝光半导体激光器具有驱动能耗低、输出能量大、体积小、性能稳定的特点，在光电子领域有着非常重要的应用前景和研究价值，多年来一直备受各个国家关注。本次成功是在中科院知识创新工程的大力支持下结出的又一硕果，标志着我国氮化镓(GaN)基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化迈出了极为关键和坚实的一步。
3．半导体材料方面：
"自组织生长量子点激光材料和器件研究"获2001年国家自然科学二等奖, 利用分子束外延技术和SK生长摸式，通过对研究材料体系的应力分布设计，生长动力学控制和生长工艺优化，初步实现了对量子点（线）尺寸、形状、密度和空间有序性的控制生长，研制出In(Ga)As/GaAs、InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAlAs/InP等一系列高质量的量子点、准量子线材料，达到国际领先水平。另一方面，半导体研究所联合社会资本，组建了化合物半导体材料的专业公司，公司面向国际市场，提供高质量的砷化镓晶片，使砷化镓晶片的科研成果形成产业化大生产，填补国内空白；最终形成在国际上有地位的、生产多种化合物半导体材料的高科技公司。
2006年9月1日，在英国《自然》杂志网站的纳米技术专栏上，半导体所材料科学重点实验室关于宽禁带半导体氮化铟低维结构研究的科研成果被作为研究亮点进行重点评论报道。
氮化铟具有优良电子输运性能和窄的能带，是制造新型高频太赫兹通信光电子器件的理想材料。材料科学重点实验室科研人员首次提出了氢致“自催化”方法，并生长出氮化铟的六角对称纳米花结构。此种新颖纳米结构材料以前从未被人们所知，详细结果发表在近期出版的美国《应用物理快报》杂志上。该成果一经发表，就在国际上产生了巨大影响。英国《自然》杂志的网站在其自然纳米技术栏目将其作为2006年9月第一周的研究亮点，并以“纳米结构：说它是花”为题专门撰写评论进行重点报道。该项研究成果不仅对于深入认识InN的生长机理、光学和电学物理性质有重要的科学意义，同时对于合成InN新颖的纳米器件结构具有实用价值。
近年来，中科院半导体研究所自主创新，能力不断攀升，成果不断涌现，部分技术水平已经处于国际领先地位，专利申请量和发明专利申请量也逐年递增，为增强我国的国际竞争力和国家自主创新能力的提高做出了不可忽视的贡献。
中科院半导体研究所自建所以来，在半导体理论、半导体材料、半导体光电子器件、半导体微电子器件、半导体人工神经网络等方面取得了很多的研究成果，并获得国家及省部级以上成果奖励130多项，其中一项为国家最高科学技术奖。
2．半导体光电子器件领域：
自二十世纪九十年代以来，以半导体超晶格量子阱材料制备技术实现突破以来，半导体所在半导体光电子器件如激光器、探测器和发光二极管等方面取得了多项可喜成绩。通过增强自身的高技术创新和开拓能力，促进了光电子高技术的发展；通过联合社会要素，解决融资、引资途径，实现了部分高科技产品的产业化与市场化。如：氮化镓基蓝绿色发光二极管（LED）技术已转让且成功实现产业化，成为在国内同类项目中率先实现产业化的研究单位。"670nm半导体量子阱激光器批量生产"获2000年国家科技进步二等奖；相继研制成功670nm、650nm、635nm和DVD用650nm激光器，成功实现技术转移。在此基础上合资组建高新技术企业，通过高科技产品的产业化与市场化，力争为民族高科技产业的发展作出贡献。
同时，半导体研究所在太赫兹量子级联激光器研究中提出了新的思路。以半导体量子结构为基本单元可构筑新型红外、THz光源，如近红外量子点激光器、量子线激光器、中红外量子级联激光器、远红外THz量子级联激光器等。
中国科学院半导体材料科学重点实验室王占国院士领导的科研团队在近红外半导体量子点、量子线材料制备、性质与量子器件应用的方面进行10余年的探索研究。研制出工作波长～1μm的量子点激光器的室温连续波工作输出功率大于3.6W，1W工作寿命超过4000小时，用19路量子点激光器制备的大功率半导体激光光纤耦合模块，室温连续输出功率达10W；研制出覆盖光纤通信的两个主要波长1.3µm和1.55µm的量子点（线）激光器；研制出输出功率200mW、带宽58nm的近红外量子点超辐射发光管。
在中远红外量子器件的研究方面，王占国院士领导的团队曾研制成功第一个室温以上激射3.5—3.57µm 的InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿量子级联激光器，研制出波长分别为7.8µm、5.5µm的短腔长单模InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿量子级联激光器，研制出单腔面输出功率1.2W、波长为5.5µm的InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿量子级联激光器，研制出7.8µm 二级表面光栅分布反馈InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿量子级联激光器，研制出波长4.8µm 的InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿大功率量子级联激光器、液氮温度下单腔面输出功率2.2W；2007 年初，研制出腔面不镀膜器件室温脉冲功率大于1.5 瓦InxGa1-xAs/InyAl1-yAs的应变补偿量子级联激光器。
GaAs/AlGaAs材料体系是THz量子级联激光器的最佳材料体系，2004 年中国科学院半导体材料科学重点实验室研制出波长9.1µm的 GaAs/AlGaAs 量子级联激光器，2005 年，实现84K 下的准连续功率达到1W；2006 年实现了9.75µm 波长的GaAs/AlGaAs 量子级联激光器液氮温度以上超高占空比（95%）以上工作，并研制成功液氮温度以上工作的波长10µm 的三阱耦合有源区结构器件和波长11.2µm 的四阱耦合的双声子共振有源区结构器件。这些前期工作为THz量子级联激光器研究打下了坚实的基础。
目前国际上THz量子级联激光器的瓶颈问题是工作温度低、输出功率低，物理起因是大电流注入所导致的热失配、热积累无法有效耗散。中国科学院半导体材料科学重点实验室拟将半导体量子点激光器研究和量子级联激光器研究方面的优势有效地结合起来，探索研制量子点THz级联激光器，期望利用量子点结构中的声子瓶颈效应，达到提高注入效率的目的，希望能够从原理上解决热失配、热积累问题，为THz量子级联激光器研究提供一种新的可行思路。
2007年4月30日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破。
氮化镓(GaN)基蓝光半导体激光器具有驱动能耗低、输出能量大、体积小、性能稳定的特点，在光电子领域有着非常重要的应用前景和研究价值，多年来一直备受各个国家关注。本次成功是在中科院知识创新工程的大力支持下结出的又一硕果，标志着我国氮化镓(GaN)基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化迈出了极为关键和坚实的一步。
3．半导体材料方面：
"自组织生长量子点激光材料和器件研究"获2001年国家自然科学二等奖, 利用分子束外延技术和SK生长摸式，通过对研究材料体系的应力分布设计，生长动力学控制和生长工艺优化，初步实现了对量子点（线）尺寸、形状、密度和空间有序性的控制生长，研制出In(Ga)As/GaAs、InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAlAs/InP等一系列高质量的量子点、准量子线材料，达到国际领先水平。另一方面，半导体研究所联合社会资本，组建了化合物半导体材料的专业公司，公司面向国际市场，提供高质量的砷化镓晶片，使砷化镓晶片的科研成果形成产业化大生产，填补国内空白；最终形成在国际上有地位的、生产多种化合物半导体材料的高科技公司。
2006年9月1日，在英国《自然》杂志网站的纳米技术专栏上，半导体所材料科学重点实验室关于宽禁带半导体氮化铟低维结构研究的科研成果被作为研究亮点进行重点评论报道。
氮化铟具有优良电子输运性能和窄的能带，是制造新型高频太赫兹通信光电子器件的理想材料。材料科学重点实验室科研人员首次提出了氢致“自催化”方法，并生长出氮化铟的六角对称纳米花结构。此种新颖纳米结构材料以前从未被人们所知，详细结果发表在近期出版的美国《应用物理快报》杂志上。该成果一经发表，就在国际上产生了巨大影响。英国《自然》杂志的网站在其自然纳米技术栏目将其作为2006年9月第一周的研究亮点，并以“纳米结构：说它是花”为题专门撰写评论进行重点报道。该项研究成果不仅对于深入认识InN的生长机理、光学和电学物理性质有重要的科学意义，同时对于合成InN新颖的纳米器件结构具有实用价值。
近年来，中科院半导体研究所自主创新，能力不断攀升，成果不断涌现，部分技术水平已经处于国际领先地位，专利申请量和发明专利申请量也逐年递增，为增强我国的国际竞争力和国家自主创新能力的提高做出了不可忽视的贡献。
（二）研究成果
中科院半导体研究所自建所以来，在半导体理论、半导体材料、半导体光电子器件、半导体微电子器件、半导体人工神经网络等方面取得了很多的研究成果，并获得国家及省部级以上成果奖励130多项，其中一项为国家最高科学技术奖。
2．半导体光电子器件领域：
自二十世纪九十年代以来，以半导体超晶格量子阱材料制备技术实现突破以来，半导体所在半导体光电子器件如激光器、探测器和发光二极管等方面取得了多项可喜成绩。通过增强自身的高技术创新和开拓能力，促进了光电子高技术的发展；通过联合社会要素，解决融资、引资途径，实现了部分高科技产品的产业化与市场化。如：氮化镓基蓝绿色发光二极管（LED）技术已转让且成功实现产业化，成为在国内同类项目中率先实现产业化的研究单位。"670nm半导体量子阱激光器批量生产"获2000年国家科技进步二等奖；相继研制成功670nm、650nm、635nm和DVD用650nm激光器，成功实现技术转移。在此基础上合资组建高新技术企业，通过高科技产品的产业化与市场化，力争为民族高科技产业的发展作出贡献。
同时，半导体研究所在太赫兹量子级联激光器研究中提出了新的思路。以半导体量子结构为基本单元可构筑新型红外、THz光源，如近红外量子点激光器、量子线激光器、中红外量子级联激光器、远红外THz量子级联激光器等。
中国科学院半导体材料科学重点实验室王占国院士领导的科研团队在近红外半导体量子点、量子线材料制备、性质与量子器件应用的方面进行10余年的探索研究。研制出工作波长～1μm的量子点激光器的室温连续波工作输出功率大于3.6W，1W工作寿命超过4000小时，用19路量子点激光器制备的大功率半导体激光光纤耦合模块，室温连续输出功率达10W；研制出覆盖光纤通信的两个主要波长1.3µm和1.55µm的量子点（线）激光器；研制出输出功率200mW、带宽58nm的近红外量子点超辐射发光管。
在中远红外量子器件的研究方面，王占国院士领导的团队曾研制成功第一个室温以上激射3.5—3.57µm 的InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿量子级联激光器，研制出波长分别为7.8µm、5.5µm的短腔长单模InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿量子级联激光器，研制出单腔面输出功率1.2W、波长为5.5µm的InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿量子级联激光器，研制出7.8µm 二级表面光栅分布反馈InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿量子级联激光器，研制出波长4.8µm 的InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿大功率量子级联激光器、液氮温度下单腔面输出功率2.2W；2007 年初，研制出腔面不镀膜器件室温脉冲功率大于1.5 瓦InxGa1-xAs/InyAl1-yAs的应变补偿量子级联激光器。
GaAs/AlGaAs材料体系是THz量子级联激光器的最佳材料体系，2004 年中国科学院半导体材料科学重点实验室研制出波长9.1µm的 GaAs/AlGaAs 量子级联激光器，2005 年，实现84K 下的准连续功率达到1W；2006 年实现了9.75µm 波长的GaAs/AlGaAs 量子级联激光器液氮温度以上超高占空比（95%）以上工作，并研制成功液氮温度以上工作的波长10µm 的三阱耦合有源区结构器件和波长11.2µm 的四阱耦合的双声子共振有源区结构器件。这些前期工作为THz量子级联激光器研究打下了坚实的基础。
目前国际上THz量子级联激光器的瓶颈问题是工作温度低、输出功率低，物理起因是大电流注入所导致的热失配、热积累无法有效耗散。中国科学院半导体材料科学重点实验室拟将半导体量子点激光器研究和量子级联激光器研究方面的优势有效地结合起来，探索研制量子点THz级联激光器，期望利用量子点结构中的声子瓶颈效应，达到提高注入效率的目的，希望能够从原理上解决热失配、热积累问题，为THz量子级联激光器研究提供一种新的可行思路。
2007年4月30日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破。
氮化镓(GaN)基蓝光半导体激光器具有驱动能耗低、输出能量大、体积小、性能稳定的特点，在光电子领域有着非常重要的应用前景和研究价值，多年来一直备受各个国家关注。本次成功是在中科院知识创新工程的大力支持下结出的又一硕果，标志着我国氮化镓(GaN)基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化迈出了极为关键和坚实的一步。
3．半导体材料方面：
"自组织生长量子点激光材料和器件研究"获2001年国家自然科学二等奖, 利用分子束外延技术和SK生长摸式，通过对研究材料体系的应力分布设计，生长动力学控制和生长工艺优化，初步实现了对量子点（线）尺寸、形状、密度和空间有序性的控制生长，研制出In(Ga)As/GaAs、InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAlAs/InP等一系列高质量的量子点、准量子线材料，达到国际领先水平。另一方面，半导体研究所联合社会资本，组建了化合物半导体材料的专业公司，公司面向国际市场，提供高质量的砷化镓晶片，使砷化镓晶片的科研成果形成产业化大生产，填补国内空白；最终形成在国际上有地位的、生产多种化合物半导体材料的高科技公司。
2006年9月1日，在英国《自然》杂志网站的纳米技术专栏上，半导体所材料科学重点实验室关于宽禁带半导体氮化铟低维结构研究的科研成果被作为研究亮点进行重点评论报道。
氮化铟具有优良电子输运性能和窄的能带，是制造新型高频太赫兹通信光电子器件的理想材料。材料科学重点实验室科研人员首次提出了氢致“自催化”方法，并生长出氮化铟的六角对称纳米花结构。此种新颖纳米结构材料以前从未被人们所知，详细结果发表在近期出版的美国《应用物理快报》杂志上。该成果一经发表，就在国际上产生了巨大影响。英国《自然》杂志的网站在其自然纳米技术栏目将其作为2006年9月第一周的研究亮点，并以“纳米结构：说它是花”为题专门撰写评论进行重点报道。该项研究成果不仅对于深入认识InN的生长机理、光学和电学物理性质有重要的科学意义，同时对于合成InN新颖的纳米器件结构具有实用价值。
近年来，中科院半导体研究所自主创新，能力不断攀升，成果不断涌现，部分技术水平已经处于国际领先地位，专利申请量和发明专利申请量也逐年递增，为增强我国的国际竞争力和国家自主创新能力的提高做出了不可忽视的贡献。
中科院半导体研究所自建所以来，在半导体理论、半导体材料、半导体光电子器件、半导体微电子器件、半导体人工神经网络等方面取得了很多的研究成果，并获得国家及省部级以上成果奖励130多项，其中一项为国家最高科学技术奖。
2．半导体光电子器件领域：
自二十世纪九十年代以来，以半导体超晶格量子阱材料制备技术实现突破以来，半导体所在半导体光电子器件如激光器、探测器和发光二极管等方面取得了多项可喜成绩。通过增强自身的高技术创新和开拓能力，促进了光电子高技术的发展；通过联合社会要素，解决融资、引资途径，实现了部分高科技产品的产业化与市场化。如：氮化镓基蓝绿色发光二极管（LED）技术已转让且成功实现产业化，成为在国内同类项目中率先实现产业化的研究单位。"670nm半导体量子阱激光器批量生产"获2000年国家科技进步二等奖；相继研制成功670nm、650nm、635nm和DVD用650nm激光器，成功实现技术转移。在此基础上合资组建高新技术企业，通过高科技产品的产业化与市场化，力争为民族高科技产业的发展作出贡献。
同时，半导体研究所在太赫兹量子级联激光器研究中提出了新的思路。以半导体量子结构为基本单元可构筑新型红外、THz光源，如近红外量子点激光器、量子线激光器、中红外量子级联激光器、远红外THz量子级联激光器等。
中国科学院半导体材料科学重点实验室王占国院士领导的科研团队在近红外半导体量子点、量子线材料制备、性质与量子器件应用的方面进行10余年的探索研究。研制出工作波长～1μm的量子点激光器的室温连续波工作输出功率大于3.6W，1W工作寿命超过4000小时，用19路量子点激光器制备的大功率半导体激光光纤耦合模块，室温连续输出功率达10W；研制出覆盖光纤通信的两个主要波长1.3µm和1.55µm的量子点（线）激光器；研制出输出功率200mW、带宽58nm的近红外量子点超辐射发光管。
在中远红外量子器件的研究方面，王占国院士领导的团队曾研制成功第一个室温以上激射3.5—3.57µm 的InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿量子级联激光器，研制出波长分别为7.8µm、5.5µm的短腔长单模InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿量子级联激光器，研制出单腔面输出功率1.2W、波长为5.5µm的InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿量子级联激光器，研制出7.8µm 二级表面光栅分布反馈InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿量子级联激光器，研制出波长4.8µm 的InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿大功率量子级联激光器、液氮温度下单腔面输出功率2.2W；2007 年初，研制出腔面不镀膜器件室温脉冲功率大于1.5 瓦InxGa1-xAs/InyAl1-yAs的应变补偿量子级联激光器。
GaAs/AlGaAs材料体系是THz量子级联激光器的最佳材料体系，2004 年中国科学院半导体材料科学重点实验室研制出波长9.1µm的 GaAs/AlGaAs 量子级联激光器，2005 年，实现84K 下的准连续功率达到1W；2006 年实现了9.75µm 波长的GaAs/AlGaAs 量子级联激光器液氮温度以上超高占空比（95%）以上工作，并研制成功液氮温度以上工作的波长10µm 的三阱耦合有源区结构器件和波长11.2µm 的四阱耦合的双声子共振有源区结构器件。这些前期工作为THz量子级联激光器研究打下了坚实的基础。
目前国际上THz量子级联激光器的瓶颈问题是工作温度低、输出功率低，物理起因是大电流注入所导致的热失配、热积累无法有效耗散。中国科学院半导体材料科学重点实验室拟将半导体量子点激光器研究和量子级联激光器研究方面的优势有效地结合起来，探索研制量子点THz级联激光器，期望利用量子点结构中的声子瓶颈效应，达到提高注入效率的目的，希望能够从原理上解决热失配、热积累问题，为THz量子级联激光器研究提供一种新的可行思路。
2007年4月30日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破。
氮化镓(GaN)基蓝光半导体激光器具有驱动能耗低、输出能量大、体积小、性能稳定的特点，在光电子领域有着非常重要的应用前景和研究价值，多年来一直备受各个国家关注。本次成功是在中科院知识创新工程的大力支持下结出的又一硕果，标志着我国氮化镓(GaN)基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化迈出了极为关键和坚实的一步。
3．半导体材料方面：
"自组织生长量子点激光材料和器件研究"获2001年国家自然科学二等奖, 利用分子束外延技术和SK生长摸式，通过对研究材料体系的应力分布设计，生长动力学控制和生长工艺优化，初步实现了对量子点（线）尺寸、形状、密度和空间有序性的控制生长，研制出In(Ga)As/GaAs、InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAlAs/InP等一系列高质量的量子点、准量子线材料，达到国际领先水平。另一方面，半导体研究所联合社会资本，组建了化合物半导体材料的专业公司，公司面向国际市场，提供高质量的砷化镓晶片，使砷化镓晶片的科研成果形成产业化大生产，填补国内空白；最终形成在国际上有地位的、生产多种化合物半导体材料的高科技公司。
2006年9月1日，在英国《自然》杂志网站的纳米技术专栏上，半导体所材料科学重点实验室关于宽禁带半导体氮化铟低维结构研究的科研成果被作为研究亮点进行重点评论报道。
氮化铟具有优良电子输运性能和窄的能带，是制造新型高频太赫兹通信光电子器件的理想材料。材料科学重点实验室科研人员首次提出了氢致“自催化”方法，并生长出氮化铟的六角对称纳米花结构。此种新颖纳米结构材料以前从未被人们所知，详细结果发表在近期出版的美国《应用物理快报》杂志上。该成果一经发表，就在国际上产生了巨大影响。英国《自然》杂志的网站在其自然纳米技术栏目将其作为2006年9月第一周的研究亮点，并以“纳米结构：说它是花”为题专门撰写评论进行重点报道。该项研究成果不仅对于深入认识InN的生长机理、光学和电学物理性质有重要的科学意义，同时对于合成InN新颖的纳米器件结构具有实用价值。
近年来，中科院半导体研究所自主创新，能力不断攀升，成果不断涌现，部分技术水平已经处于国际领先地位，专利申请量和发明专利申请量也逐年递增，为增强我国的国际竞争力和国家自主创新能力的提高做出了不可忽视的贡献。
（二）研究成果
中科院半导体研究所自建所以来，在半导体理论、半导体材料、半导体光电子器件、半导体微电子器件、半导体人工神经网络等方面取得了很多的研究成果，并获得国家及省部级以上成果奖励130多项，其中一项为国家最高科学技术奖。
1．黄昆院士获2001年国家最高科技奖。黄昆院士和合作者对半导体超晶格的电子态和声子模开展了系统的富有成效的研究对固体物理学做出许多开拓性的贡献。他提出并系统发展了以超晶格驰豫为基础的多声子辐射和无辐射跃迁的理论，并提出以他名字命名的处理光学振动的唯象方程组，预言了稀固溶体对X光的漫散射。
2．半导体光电子器件领域：
自二十世纪九十年代以来，以半导体超晶格量子阱材料制备技术实现突破以来，半导体所在半导体光电子器件如激光器、探测器和发光二极管等方面取得了多项可喜成绩。通过增强自身的高技术创新和开拓能力，促进了光电子高技术的发展；通过联合社会要素，解决融资、引资途径，实现了部分高科技产品的产业化与市场化。如：氮化镓基蓝绿色发光二极管（LED）技术已转让且成功实现产业化，成为在国内同类项目中率先实现产业化的研究单位。"670nm半导体量子阱激光器批量生产"获2000年国家科技进步二等奖；相继研制成功670nm、650nm、635nm和DVD用650nm激光器，成功实现技术转移。在此基础上合资组建高新技术企业，通过高科技产品的产业化与市场化，力争为民族高科技产业的发展作出贡献。
同时，半导体研究所在太赫兹量子级联激光器研究中提出了新的思路。以半导体量子结构为基本单元可构筑新型红外、THz光源，如近红外量子点激光器、量子线激光器、中红外量子级联激光器、远红外THz量子级联激光器等。
中国科学院半导体材料科学重点实验室王占国院士领导的科研团队在近红外半导体量子点、量子线材料制备、性质与量子器件应用的方面进行10余年的探索研究。研制出工作波长～1μm的量子点激光器的室温连续波工作输出功率大于3.6W，1W工作寿命超过4000小时，用19路量子点激光器制备的大功率半导体激光光纤耦合模块，室温连续输出功率达10W；研制出覆盖光纤通信的两个主要波长1.3µm和1.55µm的量子点（线）激光器；研制出输出功率200mW、带宽58nm的近红外量子点超辐射发光管。
在中远红外量子器件的研究方面，王占国院士领导的团队曾研制成功第一个室温以上激射3.5—3.57µm 的InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿量子级联激光器，研制出波长分别为7.8µm、5.5µm的短腔长单模InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿量子级联激光器，研制出单腔面输出功率1.2W、波长为5.5µm的InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿量子级联激光器，研制出7.8µm 二级表面光栅分布反馈InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿量子级联激光器，研制出波长4.8µm 的InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿大功率量子级联激光器、液氮温度下单腔面输出功率2.2W；2007 年初，研制出腔面不镀膜器件室温脉冲功率大于1.5 瓦InxGa1-xAs/InyAl1-yAs的应变补偿量子级联激光器。
GaAs/AlGaAs材料体系是THz量子级联激光器的最佳材料体系，2004 年中国科学院半导体材料科学重点实验室研制出波长9.1µm的 GaAs/AlGaAs 量子级联激光器，2005 年，实现84K 下的准连续功率达到1W；2006 年实现了9.75µm 波长的GaAs/AlGaAs 量子级联激光器液氮温度以上超高占空比（95%）以上工作，并研制成功液氮温度以上工作的波长10µm 的三阱耦合有源区结构器件和波长11.2µm 的四阱耦合的双声子共振有源区结构器件。这些前期工作为THz量子级联激光器研究打下了坚实的基础。
目前国际上THz量子级联激光器的瓶颈问题是工作温度低、输出功率低，物理起因是大电流注入所导致的热失配、热积累无法有效耗散。中国科学院半导体材料科学重点实验室拟将半导体量子点激光器研究和量子级联激光器研究方面的优势有效地结合起来，探索研制量子点THz级联激光器，期望利用量子点结构中的声子瓶颈效应，达到提高注入效率的目的，希望能够从原理上解决热失配、热积累问题，为THz量子级联激光器研究提供一种新的可行思路。
2007年4月30日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破。
氮化镓(GaN)基蓝光半导体激光器具有驱动能耗低、输出能量大、体积小、性能稳定的特点，在光电子领域有着非常重要的应用前景和研究价值，多年来一直备受各个国家关注。本次成功是在中科院知识创新工程的大力支持下结出的又一硕果，标志着我国氮化镓(GaN)基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化迈出了极为关键和坚实的一步。
3．半导体材料方面：
"自组织生长量子点激光材料和器件研究"获2001年国家自然科学二等奖, 利用分子束外延技术和SK生长摸式，通过对研究材料体系的应力分布设计，生长动力学控制和生长工艺优化，初步实现了对量子点（线）尺寸、形状、密度和空间有序性的控制生长，研制出In(Ga)As/GaAs、InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAlAs/InP等一系列高质量的量子点、准量子线材料，达到国际领先水平。另一方面，半导体研究所联合社会资本，组建了化合物半导体材料的专业公司，公司面向国际市场，提供高质量的砷化镓晶片，使砷化镓晶片的科研成果形成产业化大生产，填补国内空白；最终形成在国际上有地位的、生产多种化合物半导体材料的高科技公司。
2006年9月1日，在英国《自然》杂志网站的纳米技术专栏上，半导体所材料科学重点实验室关于宽禁带半导体氮化铟低维结构研究的科研成果被作为研究亮点进行重点评论报道。
氮化铟具有优良电子输运性能和窄的能带，是制造新型高频太赫兹通信光电子器件的理想材料。材料科学重点实验室科研人员首次提出了氢致“自催化”方法，并生长出氮化铟的六角对称纳米花结构。此种新颖纳米结构材料以前从未被人们所知，详细结果发表在近期出版的美国《应用物理快报》杂志上。该成果一经发表，就在国际上产生了巨大影响。英国《自然》杂志的网站在其自然纳米技术栏目将其作为2006年9月第一周的研究亮点，并以“纳米结构：说它是花”为题专门撰写评论进行重点报道。该项研究成果不仅对于深入认识InN的生长机理、光学和电学物理性质有重要的科学意义，同时对于合成InN新颖的纳米器件结构具有实用价值。
近年来，中科院半导体研究所自主创新，能力不断攀升，成果不断涌现，部分技术水平已经处于国际领先地位，专利申请量和发明专利申请量也逐年递增，为增强我国的国际竞争力和国家自主创新能力的提高做出了不可忽视的贡献。
（二）研究成果
中科院半导体研究所自建所以来，在半导体理论、半导体材料、半导体光电子器件、半导体微电子器件、半导体人工神经网络等方面取得了很多的研究成果，并获得国家及省部级以上成果奖励130多项，其中一项为国家最高科学技术奖。
1．黄昆院士获2001年国家最高科技奖。黄昆院士和合作者对半导体超晶格的电子态和声子模开展了系统的富有成效的研究对固体物理学做出许多开拓性的贡献。他提出并系统发展了以超晶格驰豫为基础的多声子辐射和无辐射跃迁的理论，并提出以他名字命名的处理光学振动的唯象方程组，预言了稀固溶体对X光的漫散射。
2．半导体光电子器件领域：
自二十世纪九十年代以来，以半导体超晶格量子阱材料制备技术实现突破以来，半导体所在半导体光电子器件如激光器、探测器和发光二极管等方面取得了多项可喜成绩。通过增强自身的高技术创新和开拓能力，促进了光电子高技术的发展；通过联合社会要素，解决融资、引资途径，实现了部分高科技产品的产业化与市场化。如：氮化镓基蓝绿色发光二极管（LED）技术已转让且成功实现产业化，成为在国内同类项目中率先实现产业化的研究单位。"670nm半导体量子阱激光器批量生产"获2000年国家科技进步二等奖；相继研制成功670nm、650nm、635nm和DVD用650nm激光器，成功实现技术转移。在此基础上合资组建高新技术企业，通过高科技产品的产业化与市场化，力争为民族高科技产业的发展作出贡献。
同时，半导体研究所在太赫兹量子级联激光器研究中提出了新的思路。以半导体量子结构为基本单元可构筑新型红外、THz光源，如近红外量子点激光器、量子线激光器、中红外量子级联激光器、远红外THz量子级联激光器等。
中国科学院半导体材料科学重点实验室王占国院士领导的科研团队在近红外半导体量子点、量子线材料制备、性质与量子器件应用的方面进行10余年的探索研究。研制出工作波长～1μm的量子点激光器的室温连续波工作输出功率大于3.6W，1W工作寿命超过4000小时，用19路量子点激光器制备的大功率半导体激光光纤耦合模块，室温连续输出功率达10W；研制出覆盖光纤通信的两个主要波长1.3µm和1.55µm的量子点（线）激光器；研制出输出功率200mW、带宽58nm的近红外量子点超辐射发光管。
在中远红外量子器件的研究方面，王占国院士领导的团队曾研制成功第一个室温以上激射3.5—3.57µm 的InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿量子级联激光器，研制出波长分别为7.8µm、5.5µm的短腔长单模InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿量子级联激光器，研制出单腔面输出功率1.2W、波长为5.5µm的InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿量子级联激光器，研制出7.8µm 二级表面光栅分布反馈InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿量子级联激光器，研制出波长4.8µm 的InxGa1-xAs/InyAl1-yAs应变补偿大功率量子级联激光器、液氮温度下单腔面输出功率2.2W；2007 年初，研制出腔面不镀膜器件室温脉冲功率大于1.5 瓦InxGa1-xAs/InyAl1-yAs的应变补偿量子级联激光器。
GaAs/AlGaAs材料体系是THz量子级联激光器的最佳材料体系，2004 年中国科学院半导体材料科学重点实验室研制出波长9.1µm的 GaAs/AlGaAs 量子级联激光器，2005 年，实现84K 下的准连续功率达到1W；2006 年实现了9.75µm 波长的GaAs/AlGaAs 量子级联激光器液氮温度以上超高占空比（95%）以上工作，并研制成功液氮温度以上工作的波长10µm 的三阱耦合有源区结构器件和波长11.2µm 的四阱耦合的双声子共振有源区结构器件。这些前期工作为THz量子级联激光器研究打下了坚实的基础。
目前国际上THz量子级联激光器的瓶颈问题是工作温度低、输出功率低，物理起因是大电流注入所导致的热失配、热积累无法有效耗散。中国科学院半导体材料科学重点实验室拟将半导体量子点激光器研究和量子级联激光器研究方面的优势有效地结合起来，探索研制量子点THz级联激光器，期望利用量子点结构中的声子瓶颈效应，达到提高注入效率的目的，希望能够从原理上解决热失配、热积累问题，为THz量子级联激光器研究提供一种新的可行思路。
2007年4月30日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破。
氮化镓(GaN)基蓝光半导体激光器具有驱动能耗低、输出能量大、体积小、性能稳定的特点，在光电子领域有着非常重要的应用前景和研究价值，多年来一直备受各个国家关注。本次成功是在中科院知识创新工程的大力支持下结出的又一硕果，标志着我国氮化镓(GaN)基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化迈出了极为关键和坚实的一步。
3．半导体材料方面：
"自组织生长量子点激光材料和器件研究"获2001年国家自然科学二等奖, 利用分子束外延技术和SK生长摸式，通过对研究材料体系的应力分布设计，生长动力学控制和生长工艺优化，初步实现了对量子点（线）尺寸、形状、密度和空间有序性的控制生长，研制出In(Ga)As/GaAs、InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAlAs/InP等一系列高质量的量子点、准量子线材料，达到国际领先水平。另一方面，半导体研究所联合社会资本，组建了化合物半导体材料的专业公司，公司面向国际市场，提供高质量的砷化镓晶片，使砷化镓晶片的科研成果形成产业化大生产，填补国内空白；最终形成在国际上有地位的、生产多种化合物半导体材料的高科技公司。
2006年9月1日，在英国《自然》杂志网站的纳米技术专栏上，半导体所材料科学重点实验室关于宽禁带半导体氮化铟低维结构研究的科研成果被作为研究亮点进行重点评论报道。
氮化铟具有优良电子输运性能和窄的能带，是制造新型高频太赫兹通信光电子器件的理想材料。材料科学重点实验室科研人员首次提出了氢致“自催化”方法，并生长出氮化铟的六角对称纳米花结构。此种新颖纳米结构材料以前从未被人们所知，详细结果发表在近期出版的美国《应用物理快报》杂志上。该成果一经发表，就在国际上产生了巨大影响。英国《自然》杂志的网站在其自然纳米技术栏目将其作为2006年9月第一周的研究亮点，并以“纳米结构：说它是花”为题专门撰写评论进行重点报道。该项研究成果不仅对于深入认识InN的生长机理、光学和电学物理性质有重要的科学意义，同时对于合成InN新颖的纳米器件结构具有实用价值。
近年来，中科院半导体研究所自主创新，能力不断攀升，成果不断涌现，部分技术水平已经处于国际领先地位，专利申请量和发明专利申请量也逐年递增，为增强我国的国际竞争力和国家自主创新能力的提高做出了不可忽视的贡献。
中国太赫兹研发网中国行 第三站－－南京大学超导电子学研究所（一）
来源：中国太赫兹研发网 马爽 杨平
一、研究所简介
南京大学超导电子学研究所成立于70年代初，是国内较早开展高频超导电子器件研究的单位。超导电子学研究所长期以来遵循“以物理学的基本理论方法和近代实验技术作为手段，研究物理现象的基本规律，据以开发新型的电子器件和系统，并在实际中推广应用”的科学思想，依托优良的实验设施和环境，在基础研究上向纵向深入，不断创新；在应用研究上向横向扩展，不断拓宽研究领域。多年来，研究所承担了国家科委“七五”、“八五”、“九五”期间超导技术攻关、科技部“973”、“863”、国家杰出青年科学基金、国家自然科学基金重大项目、博士点基金、国际合作等国家级大型项目二十余项。获得国家自然科学三等奖、全国科学大会奖、教育部科技进步奖等多项。在国内外学术刊物发表论文300多篇，其中被SCI收录100多篇。
南京大学超导电子研究所，近十年来主要致力于超导薄膜和电子器件的研究工作，包括太赫兹频段的超导器件开发与应用方向的研究。该研究所设有恒温恒湿的超净室，在器件设计、掩膜技术、工艺条件、电磁性能测试与表征等方面拥有先进的设备，是国内综合实力最强的超导电子学研究基地。既能从事富有原创性、深入的基础研究，也能发展原型器件、推广应用。多项研究成果达到国际先进水平，形成了自己的特色。
经过多年的努力和积累，特别是国家“211”和“985”工程的大力投入，研究所形成了从薄膜器件设计、制备加工、成型到薄膜器件的电学性能表征以及器件的高频应用一整套较为完善的系统。具备了一些极端的实验手段，例如：低温条件（3.8K—100K）、极低温条件(30mK)、高频（1GHz—26GHz）、极高频(100GHz—4.2THz)。是目前国内开展超导电子学高频器件及其应用系统研究最好的基地，与国外较好大学和研究所的同类实验室相比，水平相当，某些方面达到了国际先进水平。
研究所目前有教师和实验技术人员10人，其中中科院院士1人，长江学者1人，教授5人，教授级高工1人。在读博士、硕士研究生30余人，留学博士研究生1人。
吴培亨，男，教授、中国科学院院士。专长于超导电子学及其高频（微波至太赫兹波段）应用。主要学术兼职有国务院学位委员会学科评议组（物理、天文组）成员、中国电子学会超导电子学分会主任等，丹麦技术大学、日本东京大学、日本东北大学客座教授和教授、德国尤利希研究中心客座科学家、英国国家物理实验室和英国剑桥大学高级访问学者。发表学术论文300余篇，其中SCI文章100多篇。曾获国家自然科学三等奖一项，省部级奖多项。
陈健，长江教授，博导。日本长冈技术科学大学博士，曾任日本东北大学副教授。主要从事超导电子新器件及其基础物理和应用研究，高灵敏度太赫兹信号检测技术的研究。在学术刊物上发表SCI论文七十余篇。现主持科技部973项目子课题及国家基金会天文联合重点项目等大型课题多项。
代表论文：
(1) J. Chen, et. al.: “Wideband frequency metrology using high temperature superconducting Josephson junctions”, IEEE Trans. on Appl. Supercond., Vol. 13, pp.1143-1146 (2003).
(2) J. Chen, et. al.: “Sensitivity of High Temperature Superconducting Josephson Detectors at Millimeter-wave Band”, Superconductor Science and Technology, Vol. 16, pp.1391-1393 (2003).
(3) J. Chen, et. al.: “Dynamic range of high temperature superconducting Josephson detecting systems at millimeter-wave band”, IEEE Trans. on Appl. Supercond., Vol.15, No.2, pp.530-532 (2005).
许伟伟，教授, 博导。江苏省电子学会副理事长，南京大学电子科学与工程系主任，现主持国家“863”课题，自然科学基金，国防“973”等项目。主要从事高温超导器件的机理、制备及其在太赫兹频段的特性与应用等方面的研究。曾获国家自然科学三等奖，在国内外重要学术刊物、国际会议上发表论文70余篇其中SCI论文30余篇，两项发明专利授权。
(1) L. X. You, P. H. Wu, J. Chen, W. W. Xu, K. Kajiki, S. Watauchi and I. Tanaka, “Suppression of the superconducting energy gap in intrinsic Josephson junctions of Bi2Sr2CaCu2O8+y single crystals”, Superconductor Science and Technology, Vol. 17, 1160-1164 (2004).
(2) L. X. You, P. H. Wu, W. W. Xu, Z. M. Ji and L. Kang, “Controlling the intrinsic Josephson junction number in a Bi2Sr2CaCu2O8+d mesa”, Jpn. J. Appl. Phys, Vol. 43, 4163-4165 (2004).
(3) W.W.Xu, Q.G.Liu, Z.M.Ji, G.D.Zhou, P.H.Wu, “Harmonic Frequency Mixing Using Superconducting Josephson Junction Mounted on Pulse Tube Cryocooler”,
Sing. J. Phys., Vol. 18, 181-184 (2002).
(4) Xu WW, Liu QG, Zhou GD, Ji ZM, Wu PH, “Harmonic Frequency Mixing Using High-Tc Superconductor Josephson Junction Mounted on Pulse Tube Crycooler” “Science Bulletin”, Vol. 46, 1555 (2001).
康琳，教授 从事超导薄膜电子器件的研究，高灵敏度太赫兹信号检测技术的研究。主持 “十五”“十一五” 国防“863”项目等课题，发表论文近百篇,专利多项，作为主要完成者，曾获电子部科技进步二等奖和三等奖。
(1) L.Kang, et al；Epitaxial Mg2SiO4 thin film with a spinel structure grown on Si substrate；J. Crystal growth 297 (2006) 100–104
(2) L.Kang, et al；Fabrication and characterization of NbN, AlN and NbN/AlN/NbN on MgO Supercond. Sci. Technol. Vol 16, 1417-1421 (2003)
(3) L.Kang, et al; High-Tc superconducting detection coils for magnetic resonance system; Chin. Phys. Lett. Vol 19, 1380 (2002)
(4) L.Kang, et al; Epitaxial growth of YBa2Cu3O7/CeO2/YSZ thin film on silicon-on-insulator (SOI) substrate; Supercondutor Science and Technology Vol 15, 320 (2002)
来源：中国太赫兹研发网 马爽 杨平
一、研究所简介
南京大学超导电子学研究所成立于70年代初，是国内较早开展高频超导电子器件研究的单位。超导电子学研究所长期以来遵循“以物理学的基本理论方法和近代实验技术作为手段，研究物理现象的基本规律，据以开发新型的电子器件和系统，并在实际中推广应用”的科学思想，依托优良的实验设施和环境，在基础研究上向纵向深入，不断创新；在应用研究上向横向扩展，不断拓宽研究领域。多年来，研究所承担了国家科委“七五”、“八五”、“九五”期间超导技术攻关、科技部“973”、“863”、国家杰出青年科学基金、国家自然科学基金重大项目、博士点基金、国际合作等国家级大型项目二十余项。获得国家自然科学三等奖、全国科学大会奖、教育部科技进步奖等多项。在国内外学术刊物发表论文300多篇，其中被SCI收录100多篇。
南京大学超导电子研究所，近十年来主要致力于超导薄膜和电子器件的研究工作，包括太赫兹频段的超导器件开发与应用方向的研究。该研究所设有恒温恒湿的超净室，在器件设计、掩膜技术、工艺条件、电磁性能测试与表征等方面拥有先进的设备，是国内综合实力最强的超导电子学研究基地。既能从事富有原创性、深入的基础研究，也能发展原型器件、推广应用。多项研究成果达到国际先进水平，形成了自己的特色。
经过多年的努力和积累，特别是国家“211”和“985”工程的大力投入，研究所形成了从薄膜器件设计、制备加工、成型到薄膜器件的电学性能表征以及器件的高频应用一整套较为完善的系统。具备了一些极端的实验手段，例如：低温条件（3.8K—100K）、极低温条件(30mK)、高频（1GHz—26GHz）、极高频(100GHz—4.2THz)。是目前国内开展超导电子学高频器件及其应用系统研究最好的基地，与国外较好大学和研究所的同类实验室相比，水平相当，某些方面达到了国际先进水平。
研究所目前有教师和实验技术人员10人，其中中科院院士1人，长江学者1人，教授5人，教授级高工1人。在读博士、硕士研究生30余人，留学博士研究生1人。
吴培亨，男，教授、中国科学院院士。专长于超导电子学及其高频（微波至太赫兹波段）应用。主要学术兼职有国务院学位委员会学科评议组（物理、天文组）成员、中国电子学会超导电子学分会主任等，丹麦技术大学、日本东京大学、日本东北大学客座教授和教授、德国尤利希研究中心客座科学家、英国国家物理实验室和英国剑桥大学高级访问学者。发表学术论文300余篇，其中SCI文章100多篇。曾获国家自然科学三等奖一项，省部级奖多项。
陈健，长江教授，博导。日本长冈技术科学大学博士，曾任日本东北大学副教授。主要从事超导电子新器件及其基础物理和应用研究，高灵敏度太赫兹信号检测技术的研究。在学术刊物上发表SCI论文七十余篇。现主持科技部973项目子课题及国家基金会天文联合重点项目等大型课题多项。
代表论文：
(1) J. Chen, et. al.: “Wideband frequency metrology using high temperature superconducting Josephson junctions”, IEEE Trans. on Appl. Supercond., Vol. 13, pp.1143-1146 (2003).
(2) J. Chen, et. al.: “Sensitivity of High Temperature Superconducting Josephson Detectors at Millimeter-wave Band”, Superconductor Science and Technology, Vol. 16, pp.1391-1393 (2003).
(3) J. Chen, et. al.: “Dynamic range of high temperature superconducting Josephson detecting systems at millimeter-wave band”, IEEE Trans. on Appl. Supercond., Vol.15, No.2, pp.530-532 (2005).
许伟伟，教授, 博导。江苏省电子学会副理事长，南京大学电子科学与工程系主任，现主持国家“863”课题，自然科学基金，国防“973”等项目。主要从事高温超导器件的机理、制备及其在太赫兹频段的特性与应用等方面的研究。曾获国家自然科学三等奖，在国内外重要学术刊物、国际会议上发表论文70余篇其中SCI论文30余篇，两项发明专利授权。
(1) L. X. You, P. H. Wu, J. Chen, W. W. Xu, K. Kajiki, S. Watauchi and I. Tanaka, “Suppression of the superconducting energy gap in intrinsic Josephson junctions of Bi2Sr2CaCu2O8+y single crystals”, Superconductor Science and Technology, Vol. 17, 1160-1164 (2004).
(2) L. X. You, P. H. Wu, W. W. Xu, Z. M. Ji and L. Kang, “Controlling the intrinsic Josephson junction number in a Bi2Sr2CaCu2O8+d mesa”, Jpn. J. Appl. Phys, Vol. 43, 4163-4165 (2004).
(3) W.W.Xu, Q.G.Liu, Z.M.Ji, G.D.Zhou, P.H.Wu, “Harmonic Frequency Mixing Using Superconducting Josephson Junction Mounted on Pulse Tube Cryocooler”,
Sing. J. Phys., Vol. 18, 181-184 (2002).
(4) Xu WW, Liu QG, Zhou GD, Ji ZM, Wu PH, “Harmonic Frequency Mixing Using High-Tc Superconductor Josephson Junction Mounted on Pulse Tube Crycooler” “Science Bulletin”, Vol. 46, 1555 (2001).
康琳，教授 从事超导薄膜电子器件的研究，高灵敏度太赫兹信号检测技术的研究。主持 “十五”“十一五” 国防“863”项目等课题，发表论文近百篇,专利多项，作为主要完成者，曾获电子部科技进步二等奖和三等奖。
(1) L.Kang, et al；Epitaxial Mg2SiO4 thin film with a spinel structure grown on Si substrate；J. Crystal growth 297 (2006) 100–104
(2) L.Kang, et al；Fabrication and characterization of NbN, AlN and NbN/AlN/NbN on MgO Supercond. Sci. Technol. Vol 16, 1417-1421 (2003)
(3) L.Kang, et al; High-Tc superconducting detection coils for magnetic resonance system; Chin. Phys. Lett. Vol 19, 1380 (2002)
(4) L.Kang, et al; Epitaxial growth of YBa2Cu3O7/CeO2/YSZ thin film on silicon-on-insulator (SOI) substrate; Supercondutor Science and Technology Vol 15, 320 (2002)
LZ,你这是在贴论文啊，不像科普，太专业鸟。
THz雷达只能在近距离有作用！
水汽对这个频段有遮蔽，所以没什么实用反隐价值。
（4）THz雷达。实际上也是成像的一种。鉴于大气中水分对THz射线的强吸收作用，所以近距离雷达是THz射线的优势所在。一个非常让人向往的应用是穿墙雷达和探雷雷达
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既然如此，还谈什么反隐呢？目标抵得很近了倒是可以反隐。。。。。
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既然如此，还谈什么反隐呢？目标抵得很近了倒是可以反隐。。。。。