当芯片线宽到7纳米后,如何继续?

来源:百度文库 编辑:超级军网 时间:2024/04/30 04:04:30
7纳米是极限吧,到了这一步,芯片该走向何方?7纳米是极限吧,到了这一步,芯片该走向何方?
当然是10核,20核,30核这样进化……
我记得5nm才是目前已知半导体材料的极限啊!
换材料,GaAs GaN 石墨烯。。。。甚至光芯片
我记得5nm才是目前已知半导体材料的极限啊!
不考虑成本的话,路标里还有3.5nm。
嗯,多核是个办法。
优化算法和结构呗
还有个热疲劳的问题
优化算法和结构呗
所谓的优化算法就类似于~交通警察指挥车辆来调度。然而路宽是固定的~,而车辆会越来越多的增加。


有可能到5nm。
我写个剧本。以下是平行世界发生的故事,仅供参考,切莫当真。
2025年,Intel和三星分别利用EUV光刻技术正式量产了5nm工艺。这是摩尔定律的最后一级台阶。在狂飙推进60年后,这个伴随了人类一个甲子的半导体产业定律终于到达了终点。
2026年,使用5nm的个人计算机和移动设备正式上市。新一代iphone和ipad热销。三星推出对应产品。
2029年,新的制程工艺仍未实现,个人电脑、手机和智能穿戴设备的更新速度大大放缓。苹果、微软和三星的新品上市遇冷,美国股市崩盘,资本主义经济危机爆发,经济危机席卷了美国、欧洲、韩国、日本、东南亚、中东。
2032年,美国法西斯政府上台。
2032年,欧洲部分国家开始改革。
2032年,俄共入主克里姆林宫。
2032年,中共新一届中央委员会认为,世界大战的爆发已经不可避免,并着手进行战争准备。
2036年,美洲战争爆发。经过半年时间,美国基本完成了对美洲的吞并。
2037年,中俄正式合并,新的联盟共产党召开全国代表大会。
2037———2040年,美国先后入侵阿拉伯半岛、西亚、北非、印度、澳大利亚、日本、南欧、西欧。联盟军队快速接管北欧、东欧和中欧,与美军沿德法边境、意大利北部和东部边境、巴尔干半岛一线对峙。联盟军队快速接管朝鲜半岛和九州岛、冲绳群岛,与美军在朝鲜海峡和丰后水道对峙。联盟军队接管印度东北部地区,与美军在西里故里走廊对峙。联盟军队接管东南亚,与美军在印尼对峙。印度分别向美国和联盟发射弹道导弹,均被NMD系统和CNMD系统拦截。
2041年,联盟先发制人,三战爆发。
这个剧本还行吧?


有可能到5nm。
我写个剧本。以下是平行世界发生的故事,仅供参考,切莫当真。
2025年,Intel和三星分别利用EUV光刻技术正式量产了5nm工艺。这是摩尔定律的最后一级台阶。在狂飙推进60年后,这个伴随了人类一个甲子的半导体产业定律终于到达了终点。
2026年,使用5nm的个人计算机和移动设备正式上市。新一代iphone和ipad热销。三星推出对应产品。
2029年,新的制程工艺仍未实现,个人电脑、手机和智能穿戴设备的更新速度大大放缓。苹果、微软和三星的新品上市遇冷,美国股市崩盘,资本主义经济危机爆发,经济危机席卷了美国、欧洲、韩国、日本、东南亚、中东。
2032年,美国法西斯政府上台。
2032年,欧洲部分国家开始改革。
2032年,俄共入主克里姆林宫。
2032年,中共新一届中央委员会认为,世界大战的爆发已经不可避免,并着手进行战争准备。
2036年,美洲战争爆发。经过半年时间,美国基本完成了对美洲的吞并。
2037年,中俄正式合并,新的联盟共产党召开全国代表大会。
2037———2040年,美国先后入侵阿拉伯半岛、西亚、北非、印度、澳大利亚、日本、南欧、西欧。联盟军队快速接管北欧、东欧和中欧,与美军沿德法边境、意大利北部和东部边境、巴尔干半岛一线对峙。联盟军队快速接管朝鲜半岛和九州岛、冲绳群岛,与美军在朝鲜海峡和丰后水道对峙。联盟军队接管印度东北部地区,与美军在西里故里走廊对峙。联盟军队接管东南亚,与美军在印尼对峙。印度分别向美国和联盟发射弹道导弹,均被NMD系统和CNMD系统拦截。
2041年,联盟先发制人,三战爆发。
这个剧本还行吧?
有可能到5nm。
我写个剧本。以下是平行世界发生的故事,仅供参考,切莫当真。
2025年,Intel和三 ...
世界末日的节奏
漏电 漏电 漏电
虽然不太懂,但以后可能是量子计算机!
土鳖还用不着担心这事。
半导体工艺是硬伤,一步慢步步慢,只能寄希于未来有半道超车的机会
swz2011 发表于 2016-7-6 17:51
有可能到5nm。
我写个剧本。以下是平行世界发生的故事,仅供参考,切莫当真。
2025年,Intel和三 ...
  共产主义在俄罗斯已经名声扫地,改成国社党说不定还合适点
    发热怎么处理?现在的CPU足够了!
当然是10核,20核,30核这样进化……
能给CPU的面积是有限的啊,不可能你拿一部手机,150*50的面积全是CPU吧
cruelworm 发表于 2016-7-7 03:35
能给CPU的面积是有限的啊,不可能你拿一部手机,150*50的面积全是CPU吧
面积不行加厚度啊,正好一起加电池。
有一种可能,以后每个基站都是一台太湖之光,你身上的手机或者眼镜只是显示设备,只负责请求计算及接受计算结果。
面积不行加厚度啊,正好一起加电池。
厚度也是有限的啊,你还得考虑散热问题
cruelworm 发表于 2016-7-7 11:41
厚度也是有限的啊,你还得考虑散热问题

散热用风扇啊,厚度加上去可以装风扇啊,大不了大哥大重出江湖
swz2011 发表于 2016-7-6 17:51
有可能到5nm。
我写个剧本。以下是平行世界发生的故事,仅供参考,切莫当真。
2025年,Intel和三 ...
毫无想象力
zmic787 发表于 2016-7-7 00:03
共产主义在俄罗斯已经名声扫地,改成国社党说不定还合适点
元首死不瞑目啊
cruelworm 发表于 2016-7-7 03:35
能给CPU的面积是有限的啊,不可能你拿一部手机,150*50的面积全是CPU吧
升级GPU啊!以后手机GPU比CPU配置都高
playfish 发表于 2016-7-6 15:48
换材料,GaAs GaN 石墨烯。。。。甚至光芯片
石墨烯, 最近台湾一位清大博士生, 毕业前夕(6月22号)被汽车撞死, 随身笔记本电脑被撞他的人取走后焚毁, 上面有大量重要研究资料, 这位博士生就是研究出一种跟石墨烯有类似性能的新材料, 已跟多家大学(台湾和外国)交流合作, 准备9月份整理完所有研究资料正式发表, 他研究了七年, 他的两位指导教授(分别是台大与清大, 两家合作)准备帮他将资料整理出来发表~~

诡异的是撞他的肇事者, 交保后就行踪成谜, 让人怀疑是否为了夺取研究成果买凶杀人(肇事者是前科犯, 估计是受雇杀人)
有可能到5nm。
我写个剧本。以下是平行世界发生的故事,仅供参考,切莫当真。
2025年,Intel和三 ...
砟接管德波與九州琉球的?這4地都有美軍。
有可能到5nm。
我写个剧本。以下是平行世界发生的故事,仅供参考,切莫当真。
2025年,Intel和三 ...
你把台积电放哪了,人家明年就搞7nm了!
要搞也是英特尔  IBM  IMEC 们先搞出替代的材料和新型晶体管。。
zwl0303 发表于 2016-7-6 22:16
虽然不太懂,但以后可能是量子计算机!
量子计算除了少数几个算法,与现有计算机无区别。
这个行业想超车??? 基本和白日梦差不多了。。。

intel一年成堆的钱砸下去了,任何有帮助的东西intel都会去尝试。 任何新的方向肯定也是intel之流先尝试。
cdcirio991 发表于 2016-7-10 05:27
这个行业想超车??? 基本和白日梦差不多了。。。

intel一年成堆的钱砸下去了,任何有帮助的东西intel ...
没有超车,只有拉平
playfish 发表于 2016-7-6 15:48
换材料,GaAs GaN 石墨烯。。。。甚至光芯片

没一个技术路线靠谱的


从现有工艺来讲,目前的改进方向是3D堆叠,TSV这个东西已经算是研究的比较透的了,sram产品中3d堆叠也已经批量出货。
其实你可以看,内存工艺一般都会比数字逻辑工艺领先一代,比如三星已经在西安量产的10nm,产品呢大量也使用了3D TSV的硅通孔堆叠技术。

还有一个就是碳纳米管晶体管,这个工艺理论已经没有问题了,碳纳米管的纯度和成本也已经降下来了,就国内已经可以做到99.9%的纯度的大量工业化生产。

还有就是有一个就是相关的论文和学会,IMEC这类的工艺研发机构的论文和新技术展望。
还有一个比较有名的就是More than Moore这个,直接百度就有。

从现有工艺来讲,目前的改进方向是3D堆叠,TSV这个东西已经算是研究的比较透的了,sram产品中3d堆叠也已经批量出货。
其实你可以看,内存工艺一般都会比数字逻辑工艺领先一代,比如三星已经在西安量产的10nm,产品呢大量也使用了3D TSV的硅通孔堆叠技术。

还有一个就是碳纳米管晶体管,这个工艺理论已经没有问题了,碳纳米管的纯度和成本也已经降下来了,就国内已经可以做到99.9%的纯度的大量工业化生产。

还有就是有一个就是相关的论文和学会,IMEC这类的工艺研发机构的论文和新技术展望。
还有一个比较有名的就是More than Moore这个,直接百度就有。
weiyijun580 发表于 2016-7-22 00:41
从现有工艺来讲,目前的改进方向是3D堆叠,TSV这个东西已经算是研究的比较透的了,sram产品中3d堆叠也已经 ...
这些只能缓解过热问题,线宽缩不了了。
Kavindishor 发表于 2016-7-22 00:50
这些只能缓解过热问题,线宽缩不了了。
解决线宽也是为了提高集成度,3D堆叠也是为了提高集成度,解决散热也是为了提高集成度。特别是摩尔定律跟工艺一毛线关系都没有,都是指集成度。

如果你只是想说线宽的问题,如果还是在晶格的大小上,半导体材料需要满足的条件很多,从空间尺寸上来讲,晶格的大小是个很重要的因素,就硅基材料来讲,7nm确实已经是极限了。
换材料只能