三星碉堡！单芯片搞定3GB内存+32GB存储+控制器-超级军网

三星电子今天宣布，已经开始量产业内第一个采用ePoP(嵌入式堆叠封装)的存储器，首次将3GB LPDDR3移动内存、32GB eMMC闪存存储和控制器整合到了同一封装芯片之内。
其中内存的频率为1866MHz，位宽64-bit，未来还将会支持LPDDR4。
目前的移动设备上有两种整合封装方式，其中智能手机是处理器、内存统一封装，eMMC闪存独立，可穿戴设备上则是内存、存储统一封装，处理器独立。
三者合一的最大好处就是占用面积大大减小，提高设计效率，能容纳更多元件，尤其是更大容量的电池。
三星面向智能手机的ePoP封装芯片只有15×15毫米，用于可穿戴设备的更是仅仅10×10毫米，分别比传统方案减小约40％、60％，等于省去了第二块芯片。
同时，高度方面也不超过半导体封装标准所要求的1.4毫米。

http://news.mydrivers.com/1/382/382586.htm

三星电子今天宣布，已经开始量产业内第一个采用ePoP(嵌入式堆叠封装)的存储器，首次将3GB LPDDR3移动内存、32GB eMMC闪存存储和控制器整合到了同一封装芯片之内。
其中内存的频率为1866MHz，位宽64-bit，未来还将会支持LPDDR4。
目前的移动设备上有两种整合封装方式，其中智能手机是处理器、内存统一封装，eMMC闪存独立，可穿戴设备上则是内存、存储统一封装，处理器独立。
三者合一的最大好处就是占用面积大大减小，提高设计效率，能容纳更多元件，尤其是更大容量的电池。
三星面向智能手机的ePoP封装芯片只有15×15毫米，用于可穿戴设备的更是仅仅10×10毫米，分别比传统方案减小约40％、60％，等于省去了第二块芯片。
同时，高度方面也不超过半导体封装标准所要求的1.4毫米。
http://news.mydrivers.com/1/382/382586.htm

对可穿戴设备比较重要

对手机更重要，节省pcb面积，可以放更大电池

现在做超小系统的，不都这路子么？

最好把CPU和内存封在一起

最好把CPU和内存封在一起
那就是苹果啊

niubi ,三星不只是吹的

那就是苹果啊
现在，几乎所有的手机，cpu和内存都封装在一起得……

那就是苹果啊
苹果用这个技术的时候人家都用了N年了，再说了这和苹果有什么关系，那都是封装厂家的事。

用奔四烧水发表于 2015-2-4 20:07
最好把CPU和内存封在一起
业界早就开始堆叠了, 内存趴在cpu下面.

以前是SOC+RAM，现在又加了一个ROM。

支持省电加大电池。智能机满足三天，每天8小时4g上网才舒服。

苹果用这个技术的时候人家都用了N年了，再说了这和苹果有什么关系，那都是封装厂家的事。
苹果处理器和内存一体封装，在这之前你找出一个来

hillsboro1 发表于 2015-2-5 10:12
苹果处理器和内存一体封装，在这之前你找出一个来
苹果的处理器和内存封装在一起，我是找不出来比苹果自己还早的。
PoP技术本身没什么吹的，就是几十年前的技术，只是把两个独立封装的芯片二次在封装。
三星现在做的也就是把两个芯片一次封装在一起。这个很早以前的单片机就是这么封装的。

就是不走发表于 2015-2-5 16:22
苹果的处理器和内存封装在一起，我是找不出来比苹果自己还早的。
PoP技术本身没什么吹的，就是几十年前 ...
单片机几十兆的主频和上G的苹果cpu完全不同的概念，不是你想的那种DIP 或者SOP
,三星有非常多专利和专有技术的，不要想当然，时延，良率，散热，更重要的是封装之后测试，因为两部分die的工艺状态不同.
这和单片机，ARM9 集成ram 完全是本质不同。

hillsboro1 发表于 2015-2-5 17:30
单片机几十兆的主频和上G的苹果cpu完全不同的概念，不是你想的那种DIP 或者SOP
,三星有非常多专利和专 ...
请问你说了这么多，和苹果有什么关系？

请问你说了这么多，和苹果有什么关系？
看不懂算了

hillsboro1 发表于 2015-2-5 18:31
看不懂算了
请问一个封装技术和几十兆主频和几个吉主频有什么关系？无非就是引脚引线多少的问题。

就是不走发表于 2015-2-5 19:19
请问一个封装技术和几十兆主频和几个吉主频有什么关系？无非就是引脚引线多少的问题。

无语了，几十兆和几个G没区别？ die to die的寄生电容对高频信号有没有影响？几十兆不过单端信号，LPDDR3 时钟的上升沿下降沿都要两次采样，信号完整性要不要更复杂，像intel 那种胶水 die2die 使用基板走线，苹果需要高速信号通过硅过孔走线，这都是一样的？都好简单，上下嘴唇一碰就做好了。
http://2a.zol-img.com.cn/product/97/962/ceZDApkAmB882.jpg
自己和intel胶水，arm9 内置ram比较

就是不走发表于 2015-2-5 19:19
请问一个封装技术和几十兆主频和几个吉主频有什么关系？无非就是引脚引线多少的问题。

无语了，几十兆和几个G没区别？ die to die的寄生电容对高频信号有没有影响？几十兆不过单端信号，LPDDR3 时钟的上升沿下降沿都要两次采样，信号完整性要不要更复杂，像intel 那种胶水 die2die 使用基板走线，苹果需要高速信号通过硅过孔走线，这都是一样的？都好简单，上下嘴唇一碰就做好了。
http://2a.zol-img.com.cn/product/97/962/ceZDApkAmB882.jpg
自己和intel胶水，arm9 内置ram比较

就是不走发表于 2015-2-5 19:19
请问一个封装技术和几十兆主频和几个吉主频有什么关系？无非就是引脚引线多少的问题。
口气好大，为啥在苹果之前没有别的手机厂商做到cpu和内存集成呢

请问一个封装技术和几十兆主频和几个吉主频有什么关系？无非就是引脚引线多少的问题。
高频的东西，不仅仅耦合，辐射，连信号匹配都好难~