低K介电常数材料评述(转帖)

来源:百度文库 编辑:超级军网 时间:2024/04/19 21:28:51
先顶再看。好东西。
溶胶-凝胶工艺中,金属无机盐和有机金属化合物在低温下合成溶胶
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这个不大对吧, Sol-gel方法做薄膜主要还是用有机金属盐.
而且无机盐和有机溶液根本不容. 至于低温也不大可能. 有机金属盐
比如"醋酸锌"在有机溶液里面是很难容的. 经常要加温. 还要REFLUX.

另外楼主提到了很多新东西, 但是我看到的资料里面还是传统金属
氧化物比较多. 有几种新的金属氧化物K值比较低,损耗也很小.
比如:BZN, 还有掺杂后的Zinc Niobium Oxide.
K值都接近10或者20. 关键是损耗低, 而且好做. 技术要求不高.

楼主提到的材料K值低了但是loss tangent 低吗?
层数增加引起的层间寄生电容的加大并产生额外的互连延时,这成了提高电路速度的主要障碍。寄生电容还增加了功耗。所有这些问题限制了电路性能的改进。寻找和开发新的低k材料作为介质已是技术关键。

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最直接的方法还是空心(捞空)微带. 其实只要把微带做成中空的就可以大大减小微带的
介电常数.减小互扰. 对于大的带工厂技术上也没什么问题,不就是做个Air bridge么
为什么商业场一直没有提供这些服务呢?
E教主又出来扯淡了?去年谈通信的时候你把3GPP和3GALE分清了不?
真空绝缘?这玩意的材料脆性不好解决吧?尤其是牵涉到层间应力的时候