超级军网集成电路中金属硅化物的发展与演变
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/16 23:55:53
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哎呀,发错版了,5555555~~~~~
希望版主手下留情~~~~~:')
希望版主手下留情~~~~~:')
马甲！
新马甲！:L
新马甲！:L
我看还是移到别的版块去吧:L ~~~
原帖由 框子 于 2008-9-20 15:00 发表
马甲！
新马甲！:L
坛子里搞这个人少，容易暴露
幻觉,这一定是幻觉~~~~
你们认错人了~~~~:')
你们认错人了~~~~:')
这贴确实应该移到其它区去:L ~~~~
原帖由 左京区东一条通 于 2008-9-20 17:00 发表
幻觉,这一定是幻觉~~~~
你们认错人了~~~~:')
CD里有哪个家伙在发这种帖子？？哈哈，只用左手就能数过来
明显是桃月姐姐的马甲,太明显了:D
抓到了一个马甲耶:victory:
还是请版主们把这个移到航天版去算了:L
这个放在航天版不合适
:D :D :D
放在水区更加不合适
:D :D :D
那么放在哪里呢？
:D :D :D
放在水区更加不合适
:D :D :D
那么放在哪里呢？
果果说什么啊:') CD又不像虚幻那样有电子版,所以电子一类的东西也放到航天去~~~:L
马甲啊马甲～一堆
马甲多不奇怪
桃MM的马甲很多的 而且个个都有意思:lol
桃MM的马甲很多的 而且个个都有意思:lol
谁说偶马甲很多的?桃月不能用,乃伏成了少尉,不好玩了,奇怪了,桃月可是一年多才变成上尉的,乃伏才一个多月就少尉了:L 只好去用桃树下的月色,病好了回浙江后想注册几个ID仅仅用来讨论技术问题,不进水区的,没想到自己鬼使神差滴还是进来了~~~:L
和姐姐不一样，我不用马甲;P
钛硅化物TiSi2因具有工艺简单、高温稳定性好等优点，被最早广泛应用于0.25微米以上MOS技术。其工艺是首先采用诸如物理溅射等方法将Ti金属沉积在晶片上，然后经过稍低温度的第一次退火（600～700℃），得到高阻的中间相C49，然后再经过温度稍高的第二次退火（800～900℃）使C49相转变成最终需要的低阻C54相。
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在MOS电路上加温到800,900度, MOS管本身能承受吗?
电路上很多金属器件, 600度就融化了. 800度, 的退火温度会把
MOS烧坏吧
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在MOS电路上加温到800,900度, MOS管本身能承受吗?
电路上很多金属器件, 600度就融化了. 800度, 的退火温度会把
MOS烧坏吧
不会滴~~~~~~~~
你是不是搞错了~~~~~~~
这个时候还没有形成MOS管~~~~
你认为那硅圆晶上面会有锡?~~~~
你是不是搞错了~~~~~~~
这个时候还没有形成MOS管~~~~
你认为那硅圆晶上面会有锡?~~~~
唉，这似乎是制造时候采用的工艺的说明吧。
不会滴~~~~~~~~
你是不是搞错了~~~~~~~
这个时候还没有形成MOS管~~~~
你认为那硅圆晶上面会有锡?~~~~
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8/900的高温, 不会破坏了参杂的单晶硅片吧.
800度以上的时候,硅不稳定哦.
而且这样的加温只能在高真空环境中. 不然肯定生成氧化硅了.
你是不是搞错了~~~~~~~
这个时候还没有形成MOS管~~~~
你认为那硅圆晶上面会有锡?~~~~
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8/900的高温, 不会破坏了参杂的单晶硅片吧.
800度以上的时候,硅不稳定哦.
而且这样的加温只能在高真空环境中. 不然肯定生成氧化硅了.
有谁听说过另外一种金属氧化物, STO没有? 也是介电常数很高, 导电性质很差的
材料, 可以用来做MOS管 GATE的绝缘材料.
材料, 可以用来做MOS管 GATE的绝缘材料.