全球首家,三星宣布量产10nm级内存

来源:百度文库 编辑:超级军网 时间:2024/04/24 09:14:19
        IT之家讯 4月5日消息,上周,三星表示开始出货18nm级别工艺DRAM,并同意向苹果提供该内存芯片。今天,三星宣布,该公司现已实现10nm级别工艺DDR4 DRAM内存颗粒的量产,成为全球首家量产10nm内存的厂商。



        目前三星并未公布新工艺的具体数字,只是介绍新工艺依然使用了相对成熟的氟化氩沉浸式光刻工艺,而未启用尚在优化改进中的EUV极紫外光刻。



        据介绍,新的1xnm DDR4内存颗粒单颗容量8Gb(1GB),频率高达3200MHz,单条容量最大可做到128GB,该产品主要面向PC、主流服务器、大型企业网络、高性能计算系统等市场。今年晚些时间,三星还会针对手机平板等领域推出新工艺生产的移动用DRAM内存颗粒。


http://www.ithome.com/html/digi/216277.htm        IT之家讯 4月5日消息,上周,三星表示开始出货18nm级别工艺DRAM,并同意向苹果提供该内存芯片。今天,三星宣布,该公司现已实现10nm级别工艺DDR4 DRAM内存颗粒的量产,成为全球首家量产10nm内存的厂商。



        目前三星并未公布新工艺的具体数字,只是介绍新工艺依然使用了相对成熟的氟化氩沉浸式光刻工艺,而未启用尚在优化改进中的EUV极紫外光刻。



        据介绍,新的1xnm DDR4内存颗粒单颗容量8Gb(1GB),频率高达3200MHz,单条容量最大可做到128GB,该产品主要面向PC、主流服务器、大型企业网络、高性能计算系统等市场。今年晚些时间,三星还会针对手机平板等领域推出新工艺生产的移动用DRAM内存颗粒。


http://www.ithome.com/html/digi/216277.htm
三星越来越牛了
据说武汉薪芯已经有做30层的3D nand的技术了。在存储芯片这一块,工艺的技术含量好像比的CPU低很多。
我们的民营企业有在做这方面的产业吗?如果民营企业在做应该更有活力和效率,成功的机会也更大吧。
我们的民营企业有在做这方面的产业吗?如果民营企业在做应该更有活力和效率,成功的机会也更大吧。
民营企业投几百亿美元还不一定能赚钱,还要不断投入才能追赶,你觉得他们会愿意吗?
我们的民营企业有在做这方面的产业吗?如果民营企业在做应该更有活力和效率,成功的机会也更大吧。
先投个几百亿,然后还要看看是否能成功~成品率,还有等5年左右才能赚钱~,愿意的话~就投吧!
cninfi 发表于 2016-4-5 22:09
据说武汉薪芯已经有做30层的3D nand的技术了。在存储芯片这一块,工艺的技术含量好像比的CPU低很多。
30层有可靠的消息来源么 去年貌似才9层吧? DRAM制程越先进单个量产成本就会降低,这样更具有竞争力了 三星真的一家独大了。

rendong 发表于 2016-4-6 09:31
30层有可靠的消息来源么 去年貌似才9层吧? DRAM制程越先进单个量产成本就会降低,这样更具有竞争力了 三 ...


9层是用来做验证的,实际量产的肯定不只9层。

9层和30层,技术上没有明显的障碍。我也是在某论坛上看到有人这样说的。XMC新闻里能看到的目前最先进的工艺是两年前能生产32nm闪存,3D nand在达到9层后又加了许多层上去。

XMC官方的说法:

据陈少民先生透露,去年5月,武汉新芯在“9层”上面取得了重大突破,读写擦都没问题。它就像模组一样,可以堆叠上去,目前我们已经加了很多层,在Channel Charge电流和可靠性上得到大幅提升。

前,以三星、东芝为首的国际NAND Flash大厂已实现48层堆叠的3D NAND存储器,SK海力士、美光快速发展至36/32层。对此,陈少民先生回应称,武汉新芯与竞争对手的差距只有一代半,我们有信心在三代产品后赶上国际厂商。

官方说的一代半技术差应该是多少nm工艺上的差别,而不是3d nand层数上的。
rendong 发表于 2016-4-6 09:31
30层有可靠的消息来源么 去年貌似才9层吧? DRAM制程越先进单个量产成本就会降低,这样更具有竞争力了 三 ...


9层是用来做验证的,实际量产的肯定不只9层。

9层和30层,技术上没有明显的障碍。我也是在某论坛上看到有人这样说的。XMC新闻里能看到的目前最先进的工艺是两年前能生产32nm闪存,3D nand在达到9层后又加了许多层上去。

XMC官方的说法:

据陈少民先生透露,去年5月,武汉新芯在“9层”上面取得了重大突破,读写擦都没问题。它就像模组一样,可以堆叠上去,目前我们已经加了很多层,在Channel Charge电流和可靠性上得到大幅提升。

前,以三星、东芝为首的国际NAND Flash大厂已实现48层堆叠的3D NAND存储器,SK海力士、美光快速发展至36/32层。对此,陈少民先生回应称,武汉新芯与竞争对手的差距只有一代半,我们有信心在三代产品后赶上国际厂商。

官方说的一代半技术差应该是多少nm工艺上的差别,而不是3d nand层数上的。
棒子一根筋,挺拼命。
歼11D 发表于 2016-4-5 20:50
三星越来越牛了
DRAM吃工艺,难度比逻辑制程低一个档次,你让三星在逻辑制程上追追INTEL试试,连台积电都甩三星一截
cml999 发表于 2016-4-5 23:49
我们的民营企业有在做这方面的产业吗?如果民营企业在做应该更有活力和效率,成功的机会也更大吧。
开什么玩笑,几百亿投下去,不一定能成功,就算成功了,也不一定赚大钱(全世界的foundry没几家赚钱的),你让国内这群惟利是图的土老板去干这个?
开什么玩笑,几百亿投下去,不一定能成功,就算成功了,也不一定赚大钱(全世界的foundry没几家赚钱的) ...
就是,不如北上广深买几栋楼房炒炒了
现在,芯片的寿命和可靠性,是在普遍下降吧?
30层有可靠的消息来源么 去年貌似才9层吧? DRAM制程越先进单个量产成本就会降低,这样更具有竞争力了 三 ...
还有9层的?8层而已,30层是吹水
hillsboro1 发表于 2016-4-9 18:28
还有9层的?8层而已,30层是吹水
武汉新芯的新产品32层12英寸晶圆,将在今年8月完成测试,而后进入小批量生产,再进入量产。

“我得到的消息是,三星不仅完成了32层产品的量产,还开发出48层的产品。”王继增表示,三星的产品占到全球四成以上,武汉新芯有信心全力追赶芯片制造世界第一方阵。

“位列世界第一方阵的是包括三星在内的4家公司,我们预计2020年产量达到30万片,进入主流方阵,与国际大公司平起平坐。2020年到2030年,不说世界第一,世界第二是可以实现的。”王继增说,但要实现这一点,还需要芯片产业链的配套完善,除人才输送,还有芯片设计、芯片测试等全产业链的配套,这需要一段时间。
棒子一根筋,挺拼命。
做大事有良心的哪个不是一根筋?
堆叠不是那么简单的,要考虑到每层的散热,要不然中间层的热量往哪里散。
声波 发表于 2016-4-24 17:39
堆叠不是那么简单的,要考虑到每层的散热,要不然中间层的热量往哪里散。
不止是散热,关键是硅过孔的可靠性
实际都是欧美的工艺和设备。。不是棒子的。
cml999 发表于 2016-4-5 23:49
我们的民营企业有在做这方面的产业吗?如果民营企业在做应该更有活力和效率,成功的机会也更大吧。
这个成本投入太高了。除非是很有底蕴,也有资金的民营企业,不然前期就破产了
棒子一根筋,挺拼命。
一根筋是成功的基础
DRAM吃工艺,难度比逻辑制程低一个档次,你让三星在逻辑制程上追追INTEL试试,连台积电都甩三星一截
高科技与天朝无关