超级军网微电子所“极大规模集成电路关键技术集体”荣获2014年度 ...
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/25 19:14:24
“工商科学家”的前瞻布局
记中科院微电子所极大规模集成电路关键技术集体
■本报记者 王珊 见习记者 张晴丹
22纳米高K介质/金属栅工程、14纳米FinFet器件、新型闪存器件、可制造性设计……这些关键技术的突破，标志着我国在集成电路这一高度全球化的高科技竞争领域前沿拥有了一席之地。
提出了“专利指导下的研发战略”，并首次实现了向大型制造企业的许可转让……这些成果的取得，都离不开中科院微电子所“极大规模集成电路关键技术集体”5年的攻关努力。
提前布局
2009年，我国集成电路产业有相当大的紧迫感。
当时，英特尔已经做出基于全后栅平面工艺的32纳米处理器，基于三栅晶体管的立体器件工艺研发接近完成。IBM联盟、欧洲IMEC、韩国三星、日本东芝以及我国台湾地区的台积电等也纷纷着手研发各自的22纳米制程技术。但此时，国内企业刚开始65~45纳米工艺研发。
“我国集成电路的水平和先进国家相比有2~4年的差距，这决定了80%集成电路芯片需要进口。”中科院微电子所研究员闫江说，这直接导致的结果是：我国企业只能抢占中低端市场，且利润极低。
而在集成电路先导工艺研发中心首席科学家朱慧珑看来，与少数国外龙头企业有能力集巨资进行研发相比，我国企业从体量来讲尚不具备作同步研发的能力，因此须集全国之力对共性技术进行研发。
为此，在国家科技重大专项的支持下，该所启动22纳米先导技术攻关。研发与工业主流工艺兼容的22纳米器件结构和工艺制程是团队攻关的重头戏，而对于他们来说，这项工作的硬件基础几乎是从零开始。
“在企业研发力量有限的情况下，我们希望提早布局，帮助企业开发关键节点技术。”该所所长叶甜春说。
如今，22纳米先导技术攻关任务已圆满完成，微电子所申请中国发明专利1097项，首次在集成电路最新技术代上实现了中国专利许可；一些关键性成果已被企业所使用；建成了一个具有国际先进水平的集成电路先导技术研发平台和研发队伍。
正因为如此，他们荣获了2014年度中国科学院杰出科技成就奖。
数百道工艺步骤的打磨
22纳米集成工艺的开发，需要首先完善工艺研发平台。任何时间上的延误都意味着巨大的经济损失。为了抢时间，原定两年的工艺集成任务被压缩到8个月完成。其中的辛苦不言而喻。此外，“中国在做这个了，他们行不行？”这样的质疑一直伴随着研发过程的始终。
“跑片子”是业内行话。一个硅片底片要经过数百道工艺，才会被“打磨”成芯片。而这需要合理的工艺流程保障。“跑工艺前，要先设计流程，即第一套工艺怎么跑，第二套怎么跑，工艺之间如何衔接。”闫江说。
在团队开展平台建设的过程中，最期待的是跑片结束、通线的那一瞬间。可以说，他们的每一步都走得小心翼翼，甚至用如履薄冰来形容也不为过。
在这段时间，集成电路先导工艺研发中心主任赵超经常5点钟就醒来。“压力很大。”赵超担心，倘若通不了线，就无法系统“跑片子”，关键工艺的研发和重要的集成任务也不能完成。
2012年4月，当第一个验证工艺设备器件研制出来的那一刹那，在场的所有人都“眼泪汪汪”的。
而在22纳米打下的扎实基础上，赵超与团队的其他研究人员很快杀到了14纳米的战线上。而14纳米FinFet器件的研制成功，使我国集成电路产业又迈上了一个新台阶。
“工商科学家”
在团队成员看来，之所以能够取得现在的成果，“最值钱”的是人。整个构架工程师团队比较完整，支撑着平台有效运行。
“海归团队和国内工程师团队有丰富的研发经验。青年工程师队伍也在成长。经过这5年训练，我们有了一支能打硬仗的队伍。”闫江说。确实，朱慧珑曾在英特尔和IBM工作10多年，是IBM的引领发明家和发明大师；赵超也曾在IMEC从事了10多年研发工作，在高K/金属栅、铜互连和接触等集成电路关键领域里作出过重要贡献；闫江则拥有在英飞凌公司美国研发部10年的工业界研发经验，并曾参与和负责了90纳米、65纳米、45纳米和32纳米技术代的产品研发项目。
而这恰恰和朱慧珑一直在提倡的一个概念非常吻合，即“工商科学家”。在朱慧珑看来，所谓“工商科学家”就是既要精通科学专业本行，又要熟悉工程、尊重和了解市场。
“集成电路研究是偏工程的，其目的是服务于生产。”朱慧珑说，而工业界，尤其是生产线最看重的是在高效利用既有技术的基础上，用最巧妙的发明创造或对既有技术作最小的改动去完成创新任务，从中产生的新技术按需申请有效的专利保护。这则决定了研发团队与企业之间要多交流，从而达到两者的融合与互补。
事实上，“工商科学家”正是微电子所努力探索与企业合作体制的一种体现。在叶甜春看来，着手于前瞻性技术研究，服务于产业，与企业一道建设产业技术研发力量，是近年来微电子所前进的方向。研究所作为技术创新的“侦察兵”，要解决科技与产业的有效结合，其关键是建立与产业界这支“大部队”的良好合作机制。
《中国科学报》 (2015-04-28 第4版 综合)“工商科学家”的前瞻布局
记中科院微电子所极大规模集成电路关键技术集体
■本报记者 王珊 见习记者 张晴丹
22纳米高K介质/金属栅工程、14纳米FinFet器件、新型闪存器件、可制造性设计……这些关键技术的突破，标志着我国在集成电路这一高度全球化的高科技竞争领域前沿拥有了一席之地。
提出了“专利指导下的研发战略”，并首次实现了向大型制造企业的许可转让……这些成果的取得，都离不开中科院微电子所“极大规模集成电路关键技术集体”5年的攻关努力。
提前布局
2009年，我国集成电路产业有相当大的紧迫感。
当时，英特尔已经做出基于全后栅平面工艺的32纳米处理器，基于三栅晶体管的立体器件工艺研发接近完成。IBM联盟、欧洲IMEC、韩国三星、日本东芝以及我国台湾地区的台积电等也纷纷着手研发各自的22纳米制程技术。但此时，国内企业刚开始65~45纳米工艺研发。
“我国集成电路的水平和先进国家相比有2~4年的差距，这决定了80%集成电路芯片需要进口。”中科院微电子所研究员闫江说，这直接导致的结果是：我国企业只能抢占中低端市场，且利润极低。
而在集成电路先导工艺研发中心首席科学家朱慧珑看来，与少数国外龙头企业有能力集巨资进行研发相比，我国企业从体量来讲尚不具备作同步研发的能力，因此须集全国之力对共性技术进行研发。
为此，在国家科技重大专项的支持下，该所启动22纳米先导技术攻关。研发与工业主流工艺兼容的22纳米器件结构和工艺制程是团队攻关的重头戏，而对于他们来说，这项工作的硬件基础几乎是从零开始。
“在企业研发力量有限的情况下，我们希望提早布局，帮助企业开发关键节点技术。”该所所长叶甜春说。
如今，22纳米先导技术攻关任务已圆满完成，微电子所申请中国发明专利1097项，首次在集成电路最新技术代上实现了中国专利许可；一些关键性成果已被企业所使用；建成了一个具有国际先进水平的集成电路先导技术研发平台和研发队伍。
正因为如此，他们荣获了2014年度中国科学院杰出科技成就奖。
数百道工艺步骤的打磨
22纳米集成工艺的开发，需要首先完善工艺研发平台。任何时间上的延误都意味着巨大的经济损失。为了抢时间，原定两年的工艺集成任务被压缩到8个月完成。其中的辛苦不言而喻。此外，“中国在做这个了，他们行不行？”这样的质疑一直伴随着研发过程的始终。
“跑片子”是业内行话。一个硅片底片要经过数百道工艺，才会被“打磨”成芯片。而这需要合理的工艺流程保障。“跑工艺前，要先设计流程，即第一套工艺怎么跑，第二套怎么跑，工艺之间如何衔接。”闫江说。
在团队开展平台建设的过程中，最期待的是跑片结束、通线的那一瞬间。可以说，他们的每一步都走得小心翼翼，甚至用如履薄冰来形容也不为过。
在这段时间，集成电路先导工艺研发中心主任赵超经常5点钟就醒来。“压力很大。”赵超担心，倘若通不了线，就无法系统“跑片子”，关键工艺的研发和重要的集成任务也不能完成。
2012年4月，当第一个验证工艺设备器件研制出来的那一刹那，在场的所有人都“眼泪汪汪”的。
而在22纳米打下的扎实基础上，赵超与团队的其他研究人员很快杀到了14纳米的战线上。而14纳米FinFet器件的研制成功，使我国集成电路产业又迈上了一个新台阶。
“工商科学家”
在团队成员看来，之所以能够取得现在的成果，“最值钱”的是人。整个构架工程师团队比较完整，支撑着平台有效运行。
“海归团队和国内工程师团队有丰富的研发经验。青年工程师队伍也在成长。经过这5年训练，我们有了一支能打硬仗的队伍。”闫江说。确实，朱慧珑曾在英特尔和IBM工作10多年，是IBM的引领发明家和发明大师；赵超也曾在IMEC从事了10多年研发工作，在高K/金属栅、铜互连和接触等集成电路关键领域里作出过重要贡献；闫江则拥有在英飞凌公司美国研发部10年的工业界研发经验，并曾参与和负责了90纳米、65纳米、45纳米和32纳米技术代的产品研发项目。
而这恰恰和朱慧珑一直在提倡的一个概念非常吻合，即“工商科学家”。在朱慧珑看来，所谓“工商科学家”就是既要精通科学专业本行，又要熟悉工程、尊重和了解市场。
“集成电路研究是偏工程的，其目的是服务于生产。”朱慧珑说，而工业界，尤其是生产线最看重的是在高效利用既有技术的基础上，用最巧妙的发明创造或对既有技术作最小的改动去完成创新任务，从中产生的新技术按需申请有效的专利保护。这则决定了研发团队与企业之间要多交流，从而达到两者的融合与互补。
事实上，“工商科学家”正是微电子所努力探索与企业合作体制的一种体现。在叶甜春看来，着手于前瞻性技术研究，服务于产业，与企业一道建设产业技术研发力量，是近年来微电子所前进的方向。研究所作为技术创新的“侦察兵”，要解决科技与产业的有效结合，其关键是建立与产业界这支“大部队”的良好合作机制。
《中国科学报》 (2015-04-28 第4版 综合)
记中科院微电子所极大规模集成电路关键技术集体
■本报记者 王珊 见习记者 张晴丹
22纳米高K介质/金属栅工程、14纳米FinFet器件、新型闪存器件、可制造性设计……这些关键技术的突破，标志着我国在集成电路这一高度全球化的高科技竞争领域前沿拥有了一席之地。
提出了“专利指导下的研发战略”，并首次实现了向大型制造企业的许可转让……这些成果的取得，都离不开中科院微电子所“极大规模集成电路关键技术集体”5年的攻关努力。
提前布局
2009年，我国集成电路产业有相当大的紧迫感。
当时，英特尔已经做出基于全后栅平面工艺的32纳米处理器，基于三栅晶体管的立体器件工艺研发接近完成。IBM联盟、欧洲IMEC、韩国三星、日本东芝以及我国台湾地区的台积电等也纷纷着手研发各自的22纳米制程技术。但此时，国内企业刚开始65~45纳米工艺研发。
“我国集成电路的水平和先进国家相比有2~4年的差距，这决定了80%集成电路芯片需要进口。”中科院微电子所研究员闫江说，这直接导致的结果是：我国企业只能抢占中低端市场，且利润极低。
而在集成电路先导工艺研发中心首席科学家朱慧珑看来，与少数国外龙头企业有能力集巨资进行研发相比，我国企业从体量来讲尚不具备作同步研发的能力，因此须集全国之力对共性技术进行研发。
为此，在国家科技重大专项的支持下，该所启动22纳米先导技术攻关。研发与工业主流工艺兼容的22纳米器件结构和工艺制程是团队攻关的重头戏，而对于他们来说，这项工作的硬件基础几乎是从零开始。
“在企业研发力量有限的情况下，我们希望提早布局，帮助企业开发关键节点技术。”该所所长叶甜春说。
如今，22纳米先导技术攻关任务已圆满完成，微电子所申请中国发明专利1097项，首次在集成电路最新技术代上实现了中国专利许可；一些关键性成果已被企业所使用；建成了一个具有国际先进水平的集成电路先导技术研发平台和研发队伍。
正因为如此，他们荣获了2014年度中国科学院杰出科技成就奖。
数百道工艺步骤的打磨
22纳米集成工艺的开发，需要首先完善工艺研发平台。任何时间上的延误都意味着巨大的经济损失。为了抢时间，原定两年的工艺集成任务被压缩到8个月完成。其中的辛苦不言而喻。此外，“中国在做这个了，他们行不行？”这样的质疑一直伴随着研发过程的始终。
“跑片子”是业内行话。一个硅片底片要经过数百道工艺，才会被“打磨”成芯片。而这需要合理的工艺流程保障。“跑工艺前，要先设计流程，即第一套工艺怎么跑，第二套怎么跑，工艺之间如何衔接。”闫江说。
在团队开展平台建设的过程中，最期待的是跑片结束、通线的那一瞬间。可以说，他们的每一步都走得小心翼翼，甚至用如履薄冰来形容也不为过。
在这段时间，集成电路先导工艺研发中心主任赵超经常5点钟就醒来。“压力很大。”赵超担心，倘若通不了线，就无法系统“跑片子”，关键工艺的研发和重要的集成任务也不能完成。
2012年4月，当第一个验证工艺设备器件研制出来的那一刹那，在场的所有人都“眼泪汪汪”的。
而在22纳米打下的扎实基础上，赵超与团队的其他研究人员很快杀到了14纳米的战线上。而14纳米FinFet器件的研制成功，使我国集成电路产业又迈上了一个新台阶。
“工商科学家”
在团队成员看来，之所以能够取得现在的成果，“最值钱”的是人。整个构架工程师团队比较完整，支撑着平台有效运行。
“海归团队和国内工程师团队有丰富的研发经验。青年工程师队伍也在成长。经过这5年训练，我们有了一支能打硬仗的队伍。”闫江说。确实，朱慧珑曾在英特尔和IBM工作10多年，是IBM的引领发明家和发明大师；赵超也曾在IMEC从事了10多年研发工作，在高K/金属栅、铜互连和接触等集成电路关键领域里作出过重要贡献；闫江则拥有在英飞凌公司美国研发部10年的工业界研发经验，并曾参与和负责了90纳米、65纳米、45纳米和32纳米技术代的产品研发项目。
而这恰恰和朱慧珑一直在提倡的一个概念非常吻合，即“工商科学家”。在朱慧珑看来，所谓“工商科学家”就是既要精通科学专业本行，又要熟悉工程、尊重和了解市场。
“集成电路研究是偏工程的，其目的是服务于生产。”朱慧珑说，而工业界，尤其是生产线最看重的是在高效利用既有技术的基础上，用最巧妙的发明创造或对既有技术作最小的改动去完成创新任务，从中产生的新技术按需申请有效的专利保护。这则决定了研发团队与企业之间要多交流，从而达到两者的融合与互补。
事实上，“工商科学家”正是微电子所努力探索与企业合作体制的一种体现。在叶甜春看来，着手于前瞻性技术研究，服务于产业，与企业一道建设产业技术研发力量，是近年来微电子所前进的方向。研究所作为技术创新的“侦察兵”，要解决科技与产业的有效结合，其关键是建立与产业界这支“大部队”的良好合作机制。
《中国科学报》 (2015-04-28 第4版 综合)“工商科学家”的前瞻布局
记中科院微电子所极大规模集成电路关键技术集体
■本报记者 王珊 见习记者 张晴丹
22纳米高K介质/金属栅工程、14纳米FinFet器件、新型闪存器件、可制造性设计……这些关键技术的突破，标志着我国在集成电路这一高度全球化的高科技竞争领域前沿拥有了一席之地。
提出了“专利指导下的研发战略”，并首次实现了向大型制造企业的许可转让……这些成果的取得，都离不开中科院微电子所“极大规模集成电路关键技术集体”5年的攻关努力。
提前布局
2009年，我国集成电路产业有相当大的紧迫感。
当时，英特尔已经做出基于全后栅平面工艺的32纳米处理器，基于三栅晶体管的立体器件工艺研发接近完成。IBM联盟、欧洲IMEC、韩国三星、日本东芝以及我国台湾地区的台积电等也纷纷着手研发各自的22纳米制程技术。但此时，国内企业刚开始65~45纳米工艺研发。
“我国集成电路的水平和先进国家相比有2~4年的差距，这决定了80%集成电路芯片需要进口。”中科院微电子所研究员闫江说，这直接导致的结果是：我国企业只能抢占中低端市场，且利润极低。
而在集成电路先导工艺研发中心首席科学家朱慧珑看来，与少数国外龙头企业有能力集巨资进行研发相比，我国企业从体量来讲尚不具备作同步研发的能力，因此须集全国之力对共性技术进行研发。
为此，在国家科技重大专项的支持下，该所启动22纳米先导技术攻关。研发与工业主流工艺兼容的22纳米器件结构和工艺制程是团队攻关的重头戏，而对于他们来说，这项工作的硬件基础几乎是从零开始。
“在企业研发力量有限的情况下，我们希望提早布局，帮助企业开发关键节点技术。”该所所长叶甜春说。
如今，22纳米先导技术攻关任务已圆满完成，微电子所申请中国发明专利1097项，首次在集成电路最新技术代上实现了中国专利许可；一些关键性成果已被企业所使用；建成了一个具有国际先进水平的集成电路先导技术研发平台和研发队伍。
正因为如此，他们荣获了2014年度中国科学院杰出科技成就奖。
数百道工艺步骤的打磨
22纳米集成工艺的开发，需要首先完善工艺研发平台。任何时间上的延误都意味着巨大的经济损失。为了抢时间，原定两年的工艺集成任务被压缩到8个月完成。其中的辛苦不言而喻。此外，“中国在做这个了，他们行不行？”这样的质疑一直伴随着研发过程的始终。
“跑片子”是业内行话。一个硅片底片要经过数百道工艺，才会被“打磨”成芯片。而这需要合理的工艺流程保障。“跑工艺前，要先设计流程，即第一套工艺怎么跑，第二套怎么跑，工艺之间如何衔接。”闫江说。
在团队开展平台建设的过程中，最期待的是跑片结束、通线的那一瞬间。可以说，他们的每一步都走得小心翼翼，甚至用如履薄冰来形容也不为过。
在这段时间，集成电路先导工艺研发中心主任赵超经常5点钟就醒来。“压力很大。”赵超担心，倘若通不了线，就无法系统“跑片子”，关键工艺的研发和重要的集成任务也不能完成。
2012年4月，当第一个验证工艺设备器件研制出来的那一刹那，在场的所有人都“眼泪汪汪”的。
而在22纳米打下的扎实基础上，赵超与团队的其他研究人员很快杀到了14纳米的战线上。而14纳米FinFet器件的研制成功，使我国集成电路产业又迈上了一个新台阶。
“工商科学家”
在团队成员看来，之所以能够取得现在的成果，“最值钱”的是人。整个构架工程师团队比较完整，支撑着平台有效运行。
“海归团队和国内工程师团队有丰富的研发经验。青年工程师队伍也在成长。经过这5年训练，我们有了一支能打硬仗的队伍。”闫江说。确实，朱慧珑曾在英特尔和IBM工作10多年，是IBM的引领发明家和发明大师；赵超也曾在IMEC从事了10多年研发工作，在高K/金属栅、铜互连和接触等集成电路关键领域里作出过重要贡献；闫江则拥有在英飞凌公司美国研发部10年的工业界研发经验，并曾参与和负责了90纳米、65纳米、45纳米和32纳米技术代的产品研发项目。
而这恰恰和朱慧珑一直在提倡的一个概念非常吻合，即“工商科学家”。在朱慧珑看来，所谓“工商科学家”就是既要精通科学专业本行，又要熟悉工程、尊重和了解市场。
“集成电路研究是偏工程的，其目的是服务于生产。”朱慧珑说，而工业界，尤其是生产线最看重的是在高效利用既有技术的基础上，用最巧妙的发明创造或对既有技术作最小的改动去完成创新任务，从中产生的新技术按需申请有效的专利保护。这则决定了研发团队与企业之间要多交流，从而达到两者的融合与互补。
事实上，“工商科学家”正是微电子所努力探索与企业合作体制的一种体现。在叶甜春看来，着手于前瞻性技术研究，服务于产业，与企业一道建设产业技术研发力量，是近年来微电子所前进的方向。研究所作为技术创新的“侦察兵”，要解决科技与产业的有效结合，其关键是建立与产业界这支“大部队”的良好合作机制。
《中国科学报》 (2015-04-28 第4版 综合)
在1月29日召开的中国科学院2015年度工作会议上，微电子所“极大规模集成电路关键技术集体” 荣获2014年度中国科学院杰出科技成就奖，实现了微电子所在该奖项零的突破。
微电子所“极大规模集成电路关键技术集体”成员包括：突出贡献者叶甜春、陈大鹏、朱慧珑；主要完成者赵超、闫江、杨士宁、徐秋霞、刘明、陈岚、殷华湘、钟汇才、尹海洲、李俊峰、王文武、霍宗亮、李春龙、王红丽、王大海、阮文彪、唐波。
极大规模集成电路关键技术集体在国家科技重大专项的支持下，牵头组织全国性产学研用联盟，联合北京大学、清华大学、复旦大学、中芯国际、武汉新芯等单位，经过5年攻关，实现了22纳米高K介质/金属栅工程、14纳米FinFet器件、新型闪存器件、可制造性设计等关键技术的突破，研究水平迈入世界前列；提出了“专利指导下的研发战略”，在关键工艺模块上形成了较为系统的知识产权布局，首次实现了向大型制造企业的许可转让，并进入产业化开发阶段。这一成果的取得，标志着我国在集成电路这一高度全球化的高科技竞争领域前沿拥有了一席之地，将为我国纳米级极大规模集成电路产业技术升级提供有力的技术支撑。
微电子所“极大规模集成电路关键技术集体”成员包括：突出贡献者叶甜春、陈大鹏、朱慧珑；主要完成者赵超、闫江、杨士宁、徐秋霞、刘明、陈岚、殷华湘、钟汇才、尹海洲、李俊峰、王文武、霍宗亮、李春龙、王红丽、王大海、阮文彪、唐波。
极大规模集成电路关键技术集体在国家科技重大专项的支持下，牵头组织全国性产学研用联盟，联合北京大学、清华大学、复旦大学、中芯国际、武汉新芯等单位，经过5年攻关，实现了22纳米高K介质/金属栅工程、14纳米FinFet器件、新型闪存器件、可制造性设计等关键技术的突破，研究水平迈入世界前列；提出了“专利指导下的研发战略”，在关键工艺模块上形成了较为系统的知识产权布局，首次实现了向大型制造企业的许可转让，并进入产业化开发阶段。这一成果的取得，标志着我国在集成电路这一高度全球化的高科技竞争领域前沿拥有了一席之地，将为我国纳米级极大规模集成电路产业技术升级提供有力的技术支撑。
现在位置：首页 > 新闻动态 > 综合新闻
中国科学院微电子研究所关于“22纳米技术研发进展”相关报道的声明
2013-07-11 | 编辑： | 【大 中 小】【打印】【关闭】
近期，有关“22纳米技术研发进展”的新闻报道受到了媒体和业界的广泛关注，中国科学院微电子研究所全体科研人员感谢各界的关心、支持和爱护！但因22纳米技术涉及十分专业的领域，报道中的部分表述不够准确，需要做一些纠正和澄清：
一、22纳米技术研发取得的进展和突破是中国科学院微电子研究所联合北京大学、清华大学、复旦大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所等科研单位在国内大型制造企业的支持下共同合作的先导研发成果。
二、这一进展和突破仍是一个阶段性成果，要进入量产还需要更大量的开发工作。目前，研究团队正全力与企业合作进行开发，以期早日实现量产。同时，国内制造企业已经实现了65、40纳米技术量产，28纳米技术即将进入量产。此次22纳米研究突破的意义并不仅仅在于技术差距上的追赶，更重要的是我们在这种高度全球化的技术上开始拥有自己的知识产权。
再次感谢各位研发合作伙伴的支持和贡献！感谢各界的关心、支持和爱护！
中国科学院微电子研究所
2013年7月11日
中国科学院微电子研究所关于“22纳米技术研发进展”相关报道的声明
2013-07-11 | 编辑： | 【大 中 小】【打印】【关闭】
近期，有关“22纳米技术研发进展”的新闻报道受到了媒体和业界的广泛关注，中国科学院微电子研究所全体科研人员感谢各界的关心、支持和爱护！但因22纳米技术涉及十分专业的领域，报道中的部分表述不够准确，需要做一些纠正和澄清：
一、22纳米技术研发取得的进展和突破是中国科学院微电子研究所联合北京大学、清华大学、复旦大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所等科研单位在国内大型制造企业的支持下共同合作的先导研发成果。
二、这一进展和突破仍是一个阶段性成果，要进入量产还需要更大量的开发工作。目前，研究团队正全力与企业合作进行开发，以期早日实现量产。同时，国内制造企业已经实现了65、40纳米技术量产，28纳米技术即将进入量产。此次22纳米研究突破的意义并不仅仅在于技术差距上的追赶，更重要的是我们在这种高度全球化的技术上开始拥有自己的知识产权。
再次感谢各位研发合作伙伴的支持和贡献！感谢各界的关心、支持和爱护！
中国科学院微电子研究所
2013年7月11日
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国家科技重大专项02专项“22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”项目顺利通过专家验收
2014-12-18 | 编辑：科技处 王宇 | 【大 中 小】【打印】【关闭】
12月13—14日，国家科技重大专项02专项实施管理办公室组织专家对“22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”项目进行了现场验收。该项目由国家科技重大专项02专项集成电路先导工艺研发中心承担，成员包括中科院微电子所、中科院上海微系统所、清华大学、北京大学、复旦大学等单位。
项目研究团队首次在国内针对集成电路先导工艺技术组织产学研联盟并开展联合攻关，经过五年的努力，完成了任务合同书的全部考核指标和研究内容，在高K/金属栅、新器件结构、沟道工程、源漏工程和互连等若干关键技术及工艺模块上取得了一系列具有自主知识产权的重大技术创新成果：第一，实现了我国集成电路先导技术研发从90纳米到22纳米技术代的跨越，研究水平迈入世界先进主流；第二，提出了“专利指导下的研发战略”，面向22-14纳米技术代形成了较为系统的知识产权布局，共完成专利申请1656项，其中美国专利申请501项；第三，实现了部分专利成果向国内大型集成电路制造企业的许可转让（共计1221项），现已进入产业化开发阶段；第四，建立了面向22纳米及以下技术代的先导技术研发公共平台和产学研联合攻关组织平台，有效地为相关企业、科研院所及高校提供了开放服务，已逐渐成为产学研开放合作基地；第五，引进海外学术带头人21人，包括“千人计划”学者5人，形成了一支国际化的高水平研发队伍。
验收专家组由产学研用各领域知名专家组成。验收会上，专家组认真听取了各项目（课题）负责人关于项目（课题）完成情况的汇报、用户代表中芯国际集成电路制造有限公司对项目成果验证情况的报告和中科院监理部对项目监理情况的报告，审阅了验收材料。经过充分讨论、质询和评议，专家组对项目取得的研究成果给予高度评价，认为该项目的研究成果，为22-14纳米技术代工业化二次开发积累了关键核心技术，为后续16纳米及以下技术代（包括10纳米、7纳米等）的基础技术研发奠定了坚实基础，一致同意该项目通过验收。
该项目的实施，显著提升了我国在集成电路制造工艺方面的当前及后续研发能力，为我国集成电路产业的自主创新和可持续发展奠定了坚实的基础。
国家科技重大专项02专项“22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”项目顺利通过专家验收
2014-12-18 | 编辑：科技处 王宇 | 【大 中 小】【打印】【关闭】
12月13—14日，国家科技重大专项02专项实施管理办公室组织专家对“22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”项目进行了现场验收。该项目由国家科技重大专项02专项集成电路先导工艺研发中心承担，成员包括中科院微电子所、中科院上海微系统所、清华大学、北京大学、复旦大学等单位。
项目研究团队首次在国内针对集成电路先导工艺技术组织产学研联盟并开展联合攻关，经过五年的努力，完成了任务合同书的全部考核指标和研究内容，在高K/金属栅、新器件结构、沟道工程、源漏工程和互连等若干关键技术及工艺模块上取得了一系列具有自主知识产权的重大技术创新成果：第一，实现了我国集成电路先导技术研发从90纳米到22纳米技术代的跨越，研究水平迈入世界先进主流；第二，提出了“专利指导下的研发战略”，面向22-14纳米技术代形成了较为系统的知识产权布局，共完成专利申请1656项，其中美国专利申请501项；第三，实现了部分专利成果向国内大型集成电路制造企业的许可转让（共计1221项），现已进入产业化开发阶段；第四，建立了面向22纳米及以下技术代的先导技术研发公共平台和产学研联合攻关组织平台，有效地为相关企业、科研院所及高校提供了开放服务，已逐渐成为产学研开放合作基地；第五，引进海外学术带头人21人，包括“千人计划”学者5人，形成了一支国际化的高水平研发队伍。
验收专家组由产学研用各领域知名专家组成。验收会上，专家组认真听取了各项目（课题）负责人关于项目（课题）完成情况的汇报、用户代表中芯国际集成电路制造有限公司对项目成果验证情况的报告和中科院监理部对项目监理情况的报告，审阅了验收材料。经过充分讨论、质询和评议，专家组对项目取得的研究成果给予高度评价，认为该项目的研究成果，为22-14纳米技术代工业化二次开发积累了关键核心技术，为后续16纳米及以下技术代（包括10纳米、7纳米等）的基础技术研发奠定了坚实基础，一致同意该项目通过验收。
该项目的实施，显著提升了我国在集成电路制造工艺方面的当前及后续研发能力，为我国集成电路产业的自主创新和可持续发展奠定了坚实的基础。
微电子所科研人员荣获2015年度“中国科学院卢嘉锡青年人才奖”
2015-03-09 | 编辑：三室 吕杭炳 张康玮 | 【大 中 小】【打印】【关闭】
近日，2015年度中国科学院王宽诚人才奖项评选结果公布，微电子所副研究员吕杭炳、刘琦荣获“中国科学院卢嘉锡青年人才奖”。此次全院共有50位青年学者获此殊荣。
吕杭炳主要从事阻变存储器（RRAM）的研究工作，在阻变存储器的集成技术、芯片设计和可靠性等方面开展了系统的研究工作，研制了具有完整读写功能的1 kb RRAM存储芯片，建立了能够同时兼顾实验室研发与企业大生产的研发平台；观测到了导电细丝经过多次编程后形貌、组分的演变过程，揭示了RRAM存储特性的衰退机制，并有针对性的提出了优化方案；研制成功具有4层堆叠结构的三维存储阵列；作为负责人主持“863”计划子课题1项、国家自然科学基金2项；在Nature Communication、Scientific Reports、Advanced Materials、IEEE Electron Devices Letter等国内外重要学术刊物和会议上发表论文60余篇，SCI他引675次，H因子15，作国际会议邀请报告6次；获得中国发明专利授权16项，美国发明专利授权2项。
刘琦主要从事纳米加工与新型纳米电子器件的研究工作，在阻变存储器（RRAM）的性能优化、集成、微观机制的表征和建模上开展了系统的研究工作，提出了阻变功能层掺杂的材料优化方案，解决了RRAM器件激活电压高、产率低和重复性差的难题；提出了“局域电场增强”的新器件设计思想，实现了导电通路生长的可控性，解决了RRAM器件参数离散影响集成的难题；首次实时获得导电通路形成/破灭的动态过程，揭示了电阻转变的微观机制，建立了多值阻变模型；获得国家自然科学基金委优秀青年科学基金项目，主持和参与了国家自然科学基金委、国家科技重大专项、“863”计划、“973”计划等多项关于新型存储技术项目；获得北京市科学技术二等奖1项（排名第二），在Nat.Commun.、Adv. Mater.、Nano Lett.、ACS Nano、Adv.Funct.Mater.、EDL和APL等期刊发表SCI论文60多篇，SCI他引1400多次，H因子18，获得授权中国发明专利14项，美国发明专利2项。
“卢嘉锡青年人才奖”是在王宽诚教育基金会资助下设立，旨在吸引和凝聚创新思想活跃的青年人才，鼓励青年人才面向国家战略需求和国际学科前沿，在创新实践活动中锻炼成长，奖励在各学科领域做出突出贡献的青年科技人才。
2015-03-09 | 编辑：三室 吕杭炳 张康玮 | 【大 中 小】【打印】【关闭】
近日，2015年度中国科学院王宽诚人才奖项评选结果公布，微电子所副研究员吕杭炳、刘琦荣获“中国科学院卢嘉锡青年人才奖”。此次全院共有50位青年学者获此殊荣。
吕杭炳主要从事阻变存储器（RRAM）的研究工作，在阻变存储器的集成技术、芯片设计和可靠性等方面开展了系统的研究工作，研制了具有完整读写功能的1 kb RRAM存储芯片，建立了能够同时兼顾实验室研发与企业大生产的研发平台；观测到了导电细丝经过多次编程后形貌、组分的演变过程，揭示了RRAM存储特性的衰退机制，并有针对性的提出了优化方案；研制成功具有4层堆叠结构的三维存储阵列；作为负责人主持“863”计划子课题1项、国家自然科学基金2项；在Nature Communication、Scientific Reports、Advanced Materials、IEEE Electron Devices Letter等国内外重要学术刊物和会议上发表论文60余篇，SCI他引675次，H因子15，作国际会议邀请报告6次；获得中国发明专利授权16项，美国发明专利授权2项。
刘琦主要从事纳米加工与新型纳米电子器件的研究工作，在阻变存储器（RRAM）的性能优化、集成、微观机制的表征和建模上开展了系统的研究工作，提出了阻变功能层掺杂的材料优化方案，解决了RRAM器件激活电压高、产率低和重复性差的难题；提出了“局域电场增强”的新器件设计思想，实现了导电通路生长的可控性，解决了RRAM器件参数离散影响集成的难题；首次实时获得导电通路形成/破灭的动态过程，揭示了电阻转变的微观机制，建立了多值阻变模型；获得国家自然科学基金委优秀青年科学基金项目，主持和参与了国家自然科学基金委、国家科技重大专项、“863”计划、“973”计划等多项关于新型存储技术项目；获得北京市科学技术二等奖1项（排名第二），在Nat.Commun.、Adv. Mater.、Nano Lett.、ACS Nano、Adv.Funct.Mater.、EDL和APL等期刊发表SCI论文60多篇，SCI他引1400多次，H因子18，获得授权中国发明专利14项，美国发明专利2项。
“卢嘉锡青年人才奖”是在王宽诚教育基金会资助下设立，旨在吸引和凝聚创新思想活跃的青年人才，鼓励青年人才面向国家战略需求和国际学科前沿，在创新实践活动中锻炼成长，奖励在各学科领域做出突出贡献的青年科技人才。
http://www.ime.ac.cn/xwzt/kyzt/ 科研动态
集成电路先导工艺研发中心(十室) > 研究室简介
研究室简介
中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心（十室）是国家科技重大专项22纳米先导工艺项目的主要承担单位。中心自建立之日起，就紧密围绕国家集成电路产业技术发展的需求，开展以器件小型化为基础的CMOS先导工艺研发。该中心拥有一条完整的8英寸研发线，采用工业级设备，并在多个关键模块上拥有特色工艺能力。在光刻模块，采用电子束光刻（E-beam lithography）技术可实现22纳米及以下技术代的图形化。采用高K/金属栅的栅工程模块，采用外延锗硅的沟道应变工程(strain engineering)，采用超低能离子注入和激光退火的超浅结模块和采用新型研磨料的CMP模块可以为集成电路产业技术的开发扫清障碍，大大降低工业界技术开发的成本和时间。中心的研发线采用准工业化的管理模式，使得研发周期（cycle time）缩短到接近工业界的水平。中心除承担国家科技重大专项，863和973等项目之外，还致力于工业界急需的生产技术的开发和小批量高附加值产品的研制。
作为集成电路先导工艺研发的国家队，该中心承担了整合各方面的研发力量，组建国家级产学研结合的研发平台的战略任务。现在，中心已经形成了包括中芯国际，北大，清华，复旦等单位在内的集成电路工艺的研发联盟。同时，为满足国产半导体装备发展的需要，在研发线上大量采用国产设备和材料，并与国产设备商一起对机台进行验证和工艺开发工作，使中心的研发平台成为国产设备商共同的试验场和展示平台。中心自建立之日起，即采用知识产权引导下的科研战略，致力于构建保护国家集成电路产业的知识产权库。近3年来，已完成专利申请700多项，其中200多项国际专利。
研发中心在中组部千人计划和中科院百人计划的支持下，大力引进海外人才，现有千人计划特聘专家4人，中科院百人计划学者4人。中心的固定在编人员110余人，包括研究员12人，副研究员及高级工程师20人。另外还有在学硕士、博士研究生40余人。现任实验室主任为赵超研究员。
研究室简介
中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心（十室）是国家科技重大专项22纳米先导工艺项目的主要承担单位。中心自建立之日起，就紧密围绕国家集成电路产业技术发展的需求，开展以器件小型化为基础的CMOS先导工艺研发。该中心拥有一条完整的8英寸研发线，采用工业级设备，并在多个关键模块上拥有特色工艺能力。在光刻模块，采用电子束光刻（E-beam lithography）技术可实现22纳米及以下技术代的图形化。采用高K/金属栅的栅工程模块，采用外延锗硅的沟道应变工程(strain engineering)，采用超低能离子注入和激光退火的超浅结模块和采用新型研磨料的CMP模块可以为集成电路产业技术的开发扫清障碍，大大降低工业界技术开发的成本和时间。中心的研发线采用准工业化的管理模式，使得研发周期（cycle time）缩短到接近工业界的水平。中心除承担国家科技重大专项，863和973等项目之外，还致力于工业界急需的生产技术的开发和小批量高附加值产品的研制。
作为集成电路先导工艺研发的国家队，该中心承担了整合各方面的研发力量，组建国家级产学研结合的研发平台的战略任务。现在，中心已经形成了包括中芯国际，北大，清华，复旦等单位在内的集成电路工艺的研发联盟。同时，为满足国产半导体装备发展的需要，在研发线上大量采用国产设备和材料，并与国产设备商一起对机台进行验证和工艺开发工作，使中心的研发平台成为国产设备商共同的试验场和展示平台。中心自建立之日起，即采用知识产权引导下的科研战略，致力于构建保护国家集成电路产业的知识产权库。近3年来，已完成专利申请700多项，其中200多项国际专利。
研发中心在中组部千人计划和中科院百人计划的支持下，大力引进海外人才，现有千人计划特聘专家4人，中科院百人计划学者4人。中心的固定在编人员110余人，包括研究员12人，副研究员及高级工程师20人。另外还有在学硕士、博士研究生40余人。现任实验室主任为赵超研究员。
差距还是很大呀，22nm还只是研究完成，真正量产还要一年左右，到时候10nm已经快要量产了
到量产又要好多年
摩尔定律管用的时间里，是看不到国内赶超了。中芯国际也开始不吹自己是超越摩尔定律发展的了。
要上批量还是要解决光刻机，小批量可以用电子束光刻
说真的，我不苛求。不怕慢，就怕站。只要我们持续努力，持续追赶，就是好的。
不改革人才选拔机制(考试和晋升)我觉得永远也超越不了国际了。
1771964382 发表于 2015-5-7 08:19
差距还是很大呀，22nm还只是研究完成，真正量产还要一年左右，到时候10nm已经快要量产了
一年左右？ 你太樂觀了
如果是intel這樣企業還差不多
國內的？
差距还是很大呀，22nm还只是研究完成，真正量产还要一年左右，到时候10nm已经快要量产了
一年左右？ 你太樂觀了
如果是intel這樣企業還差不多
國內的？
hlover96 发表于 2015-5-9 08:15
一年左右？ 你太樂觀了
如果是intel這樣企業還差不多
國內的？
我不知道国内的速度怎么样，我是按照英特尔的速度来推测了
国家现在还是投钱太少了，英特尔，三星，高通每年都是几十亿美元的投入
一年左右？ 你太樂觀了
如果是intel這樣企業還差不多
國內的？
我不知道国内的速度怎么样，我是按照英特尔的速度来推测了
国家现在还是投钱太少了，英特尔，三星，高通每年都是几十亿美元的投入
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