超级军网大陆开发出22奈米製程 提高积体电路技术
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/26 05:17:21
大陆开发出22奈米製程 提高积体电路技术
2012-12-21 16:13 新闻速报 【中广新闻／中广新闻】
据大陆新华社报导，大陆已在积体电路22奈米关键技术研发上获得进展，将有助于提升大陆自主生产製造质优价廉的积体电路产品的能力。
22奈米积体电路技术是全球正在研发的最新一代製造工艺。过去大陆的积体电路製造工艺大多是在引进国外知识产权基础上进行产品开发，在全球产业链最先进工艺的开发上缺少布局和话语权。
大陆「中国科学院微电子研究所」经过三年多努力，摒弃了传统的二氧化硅、多晶硅等材料，採用了高Ｋ材料、金属栅材料等新材料，研製出性能良好的器件，达到世界一流技术水准。这一技术将使积体电路产品的功能更多样化，速度更快，成本也更低。
在台湾的大厂台积电，20奈米製程已经在投片测试；16奈米研发时程也比预期更快，预估明年底试产，后年初即可开始放量。
http://news.chinatimes.com/mainland/130505/132012122101024.html
.大陆开发出22奈米製程 提高积体电路技术
2012-12-21 16:13 新闻速报 【中广新闻／中广新闻】
据大陆新华社报导，大陆已在积体电路22奈米关键技术研发上获得进展，将有助于提升大陆自主生产製造质优价廉的积体电路产品的能力。
22奈米积体电路技术是全球正在研发的最新一代製造工艺。过去大陆的积体电路製造工艺大多是在引进国外知识产权基础上进行产品开发，在全球产业链最先进工艺的开发上缺少布局和话语权。
大陆「中国科学院微电子研究所」经过三年多努力，摒弃了传统的二氧化硅、多晶硅等材料，採用了高Ｋ材料、金属栅材料等新材料，研製出性能良好的器件，达到世界一流技术水准。这一技术将使积体电路产品的功能更多样化，速度更快，成本也更低。
在台湾的大厂台积电，20奈米製程已经在投片测试；16奈米研发时程也比预期更快，预估明年底试产，后年初即可开始放量。
http://news.chinatimes.com/mainland/130505/132012122101024.html
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2012-12-21 16:13 新闻速报 【中广新闻／中广新闻】
据大陆新华社报导，大陆已在积体电路22奈米关键技术研发上获得进展，将有助于提升大陆自主生产製造质优价廉的积体电路产品的能力。
22奈米积体电路技术是全球正在研发的最新一代製造工艺。过去大陆的积体电路製造工艺大多是在引进国外知识产权基础上进行产品开发，在全球产业链最先进工艺的开发上缺少布局和话语权。
大陆「中国科学院微电子研究所」经过三年多努力，摒弃了传统的二氧化硅、多晶硅等材料，採用了高Ｋ材料、金属栅材料等新材料，研製出性能良好的器件，达到世界一流技术水准。这一技术将使积体电路产品的功能更多样化，速度更快，成本也更低。
在台湾的大厂台积电，20奈米製程已经在投片测试；16奈米研发时程也比预期更快，预估明年底试产，后年初即可开始放量。
http://news.chinatimes.com/mainland/130505/132012122101024.html
.大陆开发出22奈米製程 提高积体电路技术
2012-12-21 16:13 新闻速报 【中广新闻／中广新闻】
据大陆新华社报导，大陆已在积体电路22奈米关键技术研发上获得进展，将有助于提升大陆自主生产製造质优价廉的积体电路产品的能力。
22奈米积体电路技术是全球正在研发的最新一代製造工艺。过去大陆的积体电路製造工艺大多是在引进国外知识产权基础上进行产品开发，在全球产业链最先进工艺的开发上缺少布局和话语权。
大陆「中国科学院微电子研究所」经过三年多努力，摒弃了传统的二氧化硅、多晶硅等材料，採用了高Ｋ材料、金属栅材料等新材料，研製出性能良好的器件，达到世界一流技术水准。这一技术将使积体电路产品的功能更多样化，速度更快，成本也更低。
在台湾的大厂台积电，20奈米製程已经在投片测试；16奈米研发时程也比预期更快，预估明年底试产，后年初即可开始放量。
http://news.chinatimes.com/mainland/130505/132012122101024.html
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2007年英特尔 (Intel)在中国大连设立12吋晶圆厂，採用90奈米製程技术时，台湾説12吋晶圆厂是台湾经济的命脉，核心技术要根留台湾，不准登陆免被偸师。台积电向政府申请长达2年多后，只能以180奈米製程，八吋晶圆厂登陆。
核心技术要根留台湾，只要不准晶圆厂先进技术登陆，大陆晶圆技术就会永远留后。
2012年初三星在中国投资40亿美元建闪存芯片工厂，使用20奈米半导体生産工艺。
现在2012年底，中国大陆己开发出22奈米製程。台湾仍然保留住先进的"核心技术"，只准180奈米製程，八吋晶圆厂登陆，要把核心技术根留台湾。
核心技术要根留台湾，只要不准晶圆厂先进技术登陆，大陆晶圆技术就会永远留后。
2012年初三星在中国投资40亿美元建闪存芯片工厂，使用20奈米半导体生産工艺。
现在2012年底，中国大陆己开发出22奈米製程。台湾仍然保留住先进的"核心技术"，只准180奈米製程，八吋晶圆厂登陆，要把核心技术根留台湾。
可喜可贺，再接再厉
这个可以有，量产了吗？光刻机是全国产吗？同志仍需努力啊
复旦大学22纳米CMOS关键技术上取得进展
2012年12月21日09:58 来源：中国电镀网
慧聪表面处理网：近日，复旦大学微电子学系在22纳米CMOS关键技术先导的研发上取得突破性进展，提出了多种超浅结源漏和先进互连的新工艺。
22纳米CMOS技术是全球正在研究开发的最新一代集成电路制造工艺，各国都投入了巨大资金，力争抢占技术制高点。Intel开发的基于三栅器件结构的处理器已于近期实现量产;IBM联盟也于近期发布了采用22纳米工艺生产的SRAM芯片;Global Foundries，欧洲的IMEC，日韩的三星、Toshiba和我国台湾的台积电也发布了各自的22纳米制程技术;我国于2009年在国家科技重大专项的支持下开始22纳米关键技术先导研发，该项目由中科院微电子所牵头，北京大学、清华大学、复旦大学和中科院微系统所共同参与，开展联合攻关。经过3年多的辛勤努力，该项目于近期取得突破性进展。
在研发过程中，复旦大学共申请相关发明专利180多项，其中包括50项国际专利申请。整个22纳米关键技术先导研发项目完成了1369项专利申请，其中包括424项国际专利申请，为我国在集成电路领域掌握自主知识产权，取得国际话语权奠定了基础。
多年来，我国的集成电路先进制造工艺大多是在引进的核心知识产权上进行产品工艺开发，在全球产业链最先进工艺的开发上缺少布局和话语权。此次22纳米关键技术先导研发是国内第一次在全球最先进工艺技术代组织这么大规模的产学研联合攻关，同期，国内制造企业在28纳米工艺上也在进行开发，目标就是在22纳米核心技术的知识产权中取得一席之地，在我国集成电路制造产业进入22纳米技术代时，开始拥有自己的话语权。该成果的取得对我国集成电路产业在22纳米获得具有自主知识产权的核心技术有重要意义，也为我国继续自主研发16纳米及以下技术代的关键工艺提供了必要的技术支撑。结合国内制造企业在28纳米技术研发上取得的突破，我国已开始在全球尖端集成电路技术创新链中拥有自己的地位。
http://info.pf.hc360.com/2012/12/210958410575.shtml
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复旦大学22纳米CMOS关键技术上取得进展
2012年12月21日09:58 来源：中国电镀网
慧聪表面处理网：近日，复旦大学微电子学系在22纳米CMOS关键技术先导的研发上取得突破性进展，提出了多种超浅结源漏和先进互连的新工艺。
22纳米CMOS技术是全球正在研究开发的最新一代集成电路制造工艺，各国都投入了巨大资金，力争抢占技术制高点。Intel开发的基于三栅器件结构的处理器已于近期实现量产;IBM联盟也于近期发布了采用22纳米工艺生产的SRAM芯片;Global Foundries，欧洲的IMEC，日韩的三星、Toshiba和我国台湾的台积电也发布了各自的22纳米制程技术;我国于2009年在国家科技重大专项的支持下开始22纳米关键技术先导研发，该项目由中科院微电子所牵头，北京大学、清华大学、复旦大学和中科院微系统所共同参与，开展联合攻关。经过3年多的辛勤努力，该项目于近期取得突破性进展。
在研发过程中，复旦大学共申请相关发明专利180多项，其中包括50项国际专利申请。整个22纳米关键技术先导研发项目完成了1369项专利申请，其中包括424项国际专利申请，为我国在集成电路领域掌握自主知识产权，取得国际话语权奠定了基础。
多年来，我国的集成电路先进制造工艺大多是在引进的核心知识产权上进行产品工艺开发，在全球产业链最先进工艺的开发上缺少布局和话语权。此次22纳米关键技术先导研发是国内第一次在全球最先进工艺技术代组织这么大规模的产学研联合攻关，同期，国内制造企业在28纳米工艺上也在进行开发，目标就是在22纳米核心技术的知识产权中取得一席之地，在我国集成电路制造产业进入22纳米技术代时，开始拥有自己的话语权。该成果的取得对我国集成电路产业在22纳米获得具有自主知识产权的核心技术有重要意义，也为我国继续自主研发16纳米及以下技术代的关键工艺提供了必要的技术支撑。结合国内制造企业在28纳米技术研发上取得的突破，我国已开始在全球尖端集成电路技术创新链中拥有自己的地位。
http://info.pf.hc360.com/2012/12/210958410575.shtml
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